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一种光调控三端口人工突触器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种光调控三端口人工突触器件及制备方法,所述器件的结构包含衬底;位于所述衬底上的栅电极和栅绝缘层;位于所述栅绝缘层上的聚合物薄膜层;位于所述聚合物薄膜层上的有机半导体层;位于所述有机半导体层上的半导体沟道层;位于所述半导体沟道层两端的源电极和漏电极。所述制备方法包括选择衬底、形成栅电极和栅绝缘层、配制聚合物溶液、旋涂形成聚合物薄膜层、真空混蒸有机半导体层和源漏电极。本发明的器件将三端口人工突触中的有机半导体层用P型半导体和N型半导体混蒸而成,既保留了器件的器件特性,又优化器件结构;其制备方法操作简单,成本低廉,适宜大规模生产;可应用于人工智能和视觉神经网络领域。

著录项

  • 公开/公告号CN110854275A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京邮电大学;

    申请/专利号CN201911196975.5

  • 发明设计人 仪明东;马可;郭云;曹克阳;

    申请日2019-11-29

  • 分类号

  • 代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人柏尚春

  • 地址 210023 江苏省南京市栖霞区文苑路9号

  • 入库时间 2023-12-17 07:13:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/42 申请日:20191129

    实质审查的生效

  • 2020-02-28

    公开

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