一种端基为氟代烷氧基的液晶材料的提纯方法

摘要

本发明提供了一种端基为氟代烷氧基的液晶材料的提纯方法，包括如下步骤：(1)向待提纯的液晶材料中添加吸附剂，混合均匀；(2)将混有吸附剂的液晶材料投入离子膜提纯器中，施加外加电场，吸附0.5～3h，收集提纯后的液晶材料。所述电场强度1kV/cm～10kV/cm，电极间距20mm～50mm。本发明的端基为氟代烷氧基的液晶材料的提纯方法，提纯精度高，操作方便，无需使用其他溶剂即可进行提纯，节约了成本，更加安全环保。