光罩基底、转印用光罩的制造方法以及半导体设备的制造方法

摘要

提供一种光罩基底、转印用光罩的制造方法以及半导体设备的制造方法，在进行EB缺陷修正的情况下能够抑制透光性基板的表面粗糙的发生并且能够抑制在遮光膜的图案中发生自发性蚀刻。在透光性基板上具备用于形成转印图案的遮光膜，遮光膜通过由硅元素和氮元素组成的材料形成或者通过进一步包含从准金属元素和非金属元素中选择的一种以上的元素的材料形成，将除了遮光膜的与透光性基板的界面的附近区域和遮光膜的与透光性基板位于相反侧的表层区域之外的内部区域中的Si