首页> 中国专利> 一种基于氮化镓/铝镓氮异质结的磁场传感器

一种基于氮化镓/铝镓氮异质结的磁场传感器

摘要

本发明提出的新型磁场传感器直接将磁敏感晶体管与电阻形成的差分放大电路集成在氮化镓/铝镓氮的高电子迁移率的异质结衬底上,将传感与放大部分集成,无需额外的传感器。其具有体积小,集成度高的优点。此外,由于本发明的磁场传感器建立在氮化硅/铝镓氮衬底上,高电子迁移率带来高灵敏度的优点,而宽禁带使得器件具有耐高温和环境干扰的特性。此外,本发明的磁场传感器还可以与其他功能部件,如射频模块等,共集成在同一衬底上,从而实现具有不同功能应用的系统。

著录项

  • 公开/公告号CN110783450A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳第三代半导体研究院;

    申请/专利号CN201911004795.2

  • 发明设计人 万景;刘冉;叶怀宇;张国旗;

    申请日2019-10-22

  • 分类号

  • 代理机构北京中知法苑知识产权代理有限公司;

  • 代理人阎冬

  • 地址 518000 广东省深圳市南山区学苑大道1088号南方科技大学台州楼一楼

  • 入库时间 2023-12-17 06:55:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/04 申请日:20191022

    实质审查的生效

  • 2020-02-11

    公开

    公开

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