公开/公告号CN110783450A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳第三代半导体研究院;
申请/专利号CN201911004795.2
申请日2019-10-22
分类号
代理机构北京中知法苑知识产权代理有限公司;
代理人阎冬
地址 518000 广东省深圳市南山区学苑大道1088号南方科技大学台州楼一楼
入库时间 2023-12-17 06:55:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/04 申请日:20191022
实质审查的生效
2020-02-11
公开
公开
机译: 发光器件包括具有异质结的倒置的铝铟镓氮化物布置以及电极,该异质结具有在n导电层和p导电层之间布置的发射层。
机译: 铝氮化镓三元合金层和第二III氮化物三元合金层具有异质结的半导体器件
机译: 铝氮化镓三元合金层和第二III氮化物三元合金层具有异质结的半导体器件