一种改善锗单晶内应力及内部缺微陷的热处理方法

摘要

一种改善锗单晶内应力及内部缺微陷的热处理方法，包括以下步骤：S1：将需要进行退火的锗单晶截断成合适的长度并标明编号放入炉中；S2：按照设备操作规程，将炉子抽真空后再充入氩气，然后重复两次；第二次充入氩气时，保持炉室内氩气为常压，氩气持续通入一定的气流量；单晶在氩气氛围中升温；S3：升温与降温过程包括：S31升温至100℃；S32：升温至350℃；S33：升温至450℃；S34：恒温处理；S35：降温冷却至25℃。本发明，热处理顶点温度450℃，在该温度点作为热处理顶点温时，能够有效消除锗单晶内应力与内部微缺陷。同时，根据不同直径尺寸的单晶设置了不同的升降温方案，在保证热处理效果的同时提升了生产效率。