首页> 中国专利> 一种低速车用实现上桥及下桥MOSFET导通过流检测和保护的低成本设计方法

一种低速车用实现上桥及下桥MOSFET导通过流检测和保护的低成本设计方法

摘要

本发明公开了一种低速车用实现上桥及下桥MOSFET导通过流检测和保护的低成本设计方法,包括MOSFET、二极管、阻容采样电路、比较器、三极管开关电路、阻容延时电路、驱动模块和单片机,所述MOSFET、二极管、阻容采样电路、比较器、三极管开关电路、阻容延时电路依次串联,并分别电性连接于驱动模块和单片机,所述驱动模块电性连接于单片机。本发明替代使用价格昂贵的集成芯片设计,既降低了成本,又能满足功能安全及可靠性。在电机相线出现短路或者上下桥MOSFET驱动逻辑出现错误导致同时开通的情况下,能快速响应对逆变桥功率MOSFET的保护措施,防止控制器炸机及行车危险事故发生。

著录项

  • 公开/公告号CN110676817A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-01-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江西精骏电控技术有限公司;

    申请/专利号CN201910886186.8

  • 发明设计人 许年昌;王长江;

    申请日2019-09-19

  • 分类号

  • 代理机构北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人卢富华

  • 地址 334000 江西省上饶市上饶经济技术开发区凤凰西大道315号

  • 入库时间 2023-12-17 06:51:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02H7/12 申请日:20190919

    实质审查的生效

  • 2020-01-10

    公开

    公开

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