一种磁致伸缩薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种磁致伸缩薄膜及其制备方法，所述薄膜是沉积在单面抛光单晶硅基片上的FeGaB非晶薄膜，厚度400‑800nm；所述制备方法包括：清洗单面抛光单晶硅基片；在基片上采用磁控溅射法通过共溅射沉积FeGaB薄膜。本发明制备的磁致伸缩薄膜具有软磁性能好、饱和场低、磁致伸缩系数高等优点。本发明可用于制备小型化、兆赫兹条件下磁电耦合系数高、综合性能优异的磁电复合薄膜。