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一种边缘抛光系统、边缘抛光方法及晶圆

摘要

本发明涉及一种边缘抛光系统、边缘抛光方法及晶圆,该边缘抛光系统用于研磨硅片凹槽,该边缘抛光系统包括:至少两个边缘抛光单元,其中,每个边缘抛光单元中均设置有抛光垫,且所有抛光垫研磨边缘的锥角角度均不相同以用于对所述硅片凹槽中的不同区域进行研磨。本发明将抛光系统中的抛光垫的规格进行细分,采用多个研磨边缘锥角角度不同的抛光垫对硅片凹槽中的不同区域进行多个阶段的研磨,可以均等分配抛光垫与硅片凹槽的之间的接触面积,避免采用单一研磨工具导致微研磨或者过研磨等研磨不良现象的发生,从而减少了硅片凹槽的返工率,提高了设备产能,降低了制造费用。

著录项

  • 公开/公告号CN110842754A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安奕斯伟硅片技术有限公司;

    申请/专利号CN201911114004.1

  • 发明设计人 崔世勋;

    申请日2019-11-14

  • 分类号B24B37/00(20120101);B24B37/11(20120101);H01L21/67(20060101);H01L21/304(20060101);

  • 代理机构61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘长春

  • 地址 710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室

  • 入库时间 2023-12-17 05:48:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):B24B37/00 申请日:20191114

    实质审查的生效

  • 2020-02-28

    公开

    公开

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