一种基于磁性能变化的应变测量芯片及其测量装置和测试方法

摘要

本发明涉及微应变的测量领域，具体涉及一种基于磁性能变化的应变测量芯片及其测量装置和测试方法，测量芯片由磁性合金薄膜和丁基橡胶(IIR)薄膜压制而成，磁性合金薄膜为铁基非晶合金薄膜，薄膜厚度为30μm～100μm；丁基橡胶薄膜由IIR树脂和炭黑组成，炭黑的含量为10wt％～50wt％，薄膜厚度0.1mm～1mm；并利用该测量芯片用于测量应变的测量装置中。本发明使用的装置制备工艺简便，制作成本低；所测材料省去了焊接引线的麻烦，且信号响应快、测量准确性，稳定性大大提高；测量方法简单，易操作，灵敏度较高；测试结果可以更为直观准确的反映磁性合金的应变值。