P型晶硅太阳能电池的背场及背钝化层制备方法

摘要

本发明公开了一种P型晶硅太阳能电池的背场及背钝化层制备方法，其包括如下步骤：在P型太阳能硅片的受光面（正面）形成稳定的PN+结；将P型太阳能硅片放入真空环境中，在P型太阳能硅片的背光面（背面）形成一层非常薄的P型掺杂材料膜层；在P型掺杂材料膜层表面形成一层带负电荷的氧化物膜层；将P型太阳能硅片放入氧化炉中、在无氧环境中进行热处理，在P型太阳能硅片的背面形成P+背场；随后在有氧环境中继续加热退火，形成背钝化层；对氧化炉降温、从氧化炉中取出P型太阳能硅片并冷却。本发明能够实现对P型晶硅太阳能电池的背场及背钝化层的一体化制备方法、提高太阳能电池的转化效率，简化工艺，降低成本。