一种提高光提取效率的紫外发光二极管芯片及其制作方法

摘要

本发明提出了一种提高光提取效率的紫外发光二极管芯片及其制作方法，其中紫外发光二极管芯片包括n型半导体层、锥形坑准备层、有源层、p型半导体层、p型电极、反射层、键合层、n型电极、基板；其中：锥形坑准备层位于n型半导体层之上，有源层位于锥形坑准备层之上，p型半导体层位于有源层之上，n型半导体层上形成有n型电极层。本发明的优点在于：通过在有源层中形成六方多面结构的锥形坑，改变有源层中TM模偏振光的出光方向，使TM模偏振光不需在接近有源层附近进行长路径传播；同时调节有源层中锥形坑的开口大小和密度使有源层连接锥形坑的平台区的投影面积控制在有源区总投影面的30%以内，提高紫外发光二极管的光提取效率。