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一种超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片的制备方法

摘要

本发明公开了一种超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片的制备方法。其方法步骤:先将ITO表面进行巯基硅烷化处理,以增加其对Au纳米微粒的粘附性,然后利用恒电压沉积技术将具有树枝晶形貌的纳米金沉积在ITO电极上。之后通过在150℃的恒温干燥箱中反应3h,将树枝状金ITO表面的润湿态由亲水态转变为超疏水态。最后通过激光刻蚀技术,在超疏水表面刻蚀出8个具有超亲水边缘的微阵列圆孔,以得到超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片。本发明方法制备过程简单,成本低廉,制备的芯片具有富集微液滴的能力,且得到的树枝状金表面洁净、无污染,在生物分析、表面拉曼增强领域有广阔的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN110711610A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-01-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 桂林理工大学;

    申请/专利号CN201910990082.1

  • 发明设计人 潘宏程;郭垠;陈雯;

    申请日2019-10-17

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号

  • 入库时间 2023-12-17 05:14:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):B01L3/00 申请日:20191017

    实质审查的生效

  • 2020-01-21

    公开

    公开

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