法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/11556 申请日:20190823
实质审查的生效
2020-03-03
公开
公开
机译: 用于形成存储器单元的高度延伸的串的阵列的方法,形成存储器单元的高度延伸的串的阵列的方法以及形成存储器单元的垂直串的阵列的方法
机译: 可编程电荷存储晶体管,存储器单元的高度延伸串的阵列,形成Si3Nx的方法,形成在控制栅极和可编程电荷存储晶体管的电荷存储材料之间的绝缘体材料的方法,形成阵列的方法存储器单元的纵向扩展串,根据方法制造的可编程电荷存储晶体管以及一系列存储器单元的纵向扩展串
机译: 形成存储器单元的高度延伸的串的阵列的方法,形成多晶硅的方法,分别包括可编程电荷存储晶体管的存储器单元的高度延伸的串以及包括多晶硅的电子元件