氧等离子体刻蚀聚二甲基硅氧烷表面形貌的方法

摘要

本发明提供氧等离子体刻蚀聚二甲基硅氧烷表面形貌的方法。将制备的PDMS印章，置于氧等离子体气氛下，对PDMS印章进行刻蚀，得到表面微结构。并且详细介绍了制备具有规整微结构的CD表面微结构的方法；本发明选用氧等离子体对复制模塑技术得到的具有表面微结构的PDMS印章进行刻蚀，通过改变氧等离子体刻蚀时间，精确调控PDMS印章微结构的高度。该技术成本低、精度高、操作简便、应用范围广。在不改变PDMS印章形貌的条件下，用氧等离子体调控PDMS印章的形貌高度。采用本发明的方法制得的微结构在在光学、微电子、传感器、生物医学等很多领域有着广泛的应用前景。