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基于电催化性能提高Cr-Si高阻膜电阻器耐湿热性能的方法

摘要

本发明公开了一种基于电催化性能提高Cr-Si高阻膜电阻器耐湿热性能的方法,首先以Cr粉、Si粉、Ni粉、Mo粉和W粉为原料,通过粉末冶金法制备Cr-Si基靶材,在中频真空冶炼炉中分别炼制Cr-Si-Ni靶材、Cr-Si-Ni-Mo靶材和Cr-Si-Ni-W靶材;再将靶材于磁控溅射镀膜机上制备电阻器高阻膜,并将高阻膜调至阻值为249kΩ,±0.5%;再以纳米二氧化硅增强型酚醛-环氧树脂复合涂料进行封装。本发明在高温、高湿条件下的电阻变化率为0.03%~0.16%。

著录项

  • 公开/公告号CN104485190A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-04-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201410699102.7

  • 申请日2014-11-27

  • 分类号H01C17/00;C23C14/06;C23C14/35;

  • 代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人张宏祥

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2023-12-17 04:36:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-03

    授权

    授权

  • 2015-04-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01C17/00 申请日:20141127

    实质审查的生效

  • 2015-04-01

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明是关于薄膜电阻器的,特别涉及一种提高Cr-Si高阻膜电阻器自身耐高温、耐 高湿性能材料的制备方法。

背景技术

富硅(Si)的铬硅(Cr-Si)阻值膜具有电阻率高、热稳定性好和长期工作性能稳定等 优点,在混合集成电路和薄膜器件(尤其是小尺寸薄膜片式电阻器)等方面有着广泛的应 用。但是,当含有Cr-Si高阻膜的集成电路和薄膜器件工作于高温和高湿的严酷环境中, 常由于Cr-Si高阻膜电化学腐蚀失效而影响整机产品的可靠性和使用寿命。对于这个问题, 常用的解决方法是:在制备Cr-Si高阻膜后,用具有耐湿热性能的有机涂料封装起来,使 其与外界潮湿环境隔绝,达到保护Cr-Si高阻膜的目的,从而提高整机系统的可靠性和使 用寿命。有机涂层虽然在一定程度上能提高Cr-Si高阻膜的耐湿热性能,但仍满足不了高 可靠性整机系统的要求。

申请人在耐高温、耐高湿涂料方面已进行了大量的研究,取得了一些成果。所研制的 有机封装涂料虽然在耐高温、耐高湿性能方面可以与日本的PC系列涂料相媲美,对于双元 素Cr-Si高阻膜临界阻值电阻器【249kΩ,精度为±0.5%,电阻温度系数TCR(Temperature  Coefficient of Resistance)介于-25~-45ppm/℃】,按国军标GJB1929-94标准进行240 h湿热实验后,电阻变化率ΔR/R=0.3-0.5%,但要想使封装后的这种Cr-Si高阻膜耐高 温、耐高湿性能再进一步提高(ΔR/R≤0.1%),仅从封装涂料方面去研究解决,显得十分 困难。

此外,双元素Cr-Si高阻膜除耐湿热性能差外,其电阻温度系数TCR还较大,导致热 稳定性较差,进而影响器件及整机系统的稳定性和可靠性。申请人在磁控溅射用Cr-Si高 阻靶材以及降低所制备高阻薄膜TCR方面进行大量研究的同时,发现了一个意外现象:在 相同的湿热实验条件下,含有少量Ni的Cr-Si-Ni高阻膜较Cr-Si高阻膜具有较好的耐湿 热性能。通过进一步实验研究后,产生了本发明的技术方案。

发明内容

本发明的目的,主要针对现有技术的双元素Cr-Si高阻膜耐湿热性能差的缺点,提供 一种提高双元素富硅Cr-Si高阻膜自身耐湿热性能的方法,用该方法制备的Cr-Si高阻膜 电阻器具有较好的耐高温、耐高湿性能。

本发明通过如下技术方案予以实现。

一种基于电催化性能提高Cr-Si高阻膜电阻器耐湿热性能的方法,采用对水具有电催 化性能的金属镍Ni及其合金镍钼Ni-Mo和镍钨Ni-W对Cr-Si高阻膜进行改进,步骤如下:

(1)以Cr粉、Si粉、Ni粉、Mo粉和W粉为原料,通过粉末冶金法制备Cr-Si基靶 材,在中频真空冶炼炉上分别炼制溅射阻值膜用的Cr-Si-Ni靶材、Cr-Si-Ni-Mo靶材和 Cr-Si-Ni-W靶材;

上述靶材的构成元素及其重量百分比含量分别为:

Cr-Si-Ni靶材:Cr 40%,Si55%,Ni5%;

Cr-Si-Ni-Mo靶材:Cr 40%,Si55%,Ni3%,Mo2%;

Cr-Si-Ni-W靶材:Cr 40%,Si55%,Ni3%,W2%;

(2)将步骤(1)制备的靶材于磁控溅射镀膜机上制备Cr-Si-Ni、Cr-Si-Ni-Mo和 Cr-Si-Ni-W电阻器高阻膜,本底真空为3×10-3Pa,溅射电压为600V,溅射电流为150mA, Ar流量为20sccm,溅射时间2h,然后在500℃下N2中退火2h;并将制备的Cr-Si基电 阻器高阻膜调至阻值为249kΩ,±0.5%;

(3)对制备的Cr-Si基高阻膜电阻器,采用纳米二氧化硅增强型酚醛-环氧树脂复合 涂料进行封装;该复合涂料的nano-SiO2、EP和PF质量比为3:43:100;

(4)按国军标GJB1929-94标准对封装后的Cr-Si基高阻膜电阻器进行240h湿热实 验。

所述步骤(2)的磁控溅射镀膜机为美国TRC2020磁控溅射镀膜机。

所述对水具有电催化性能的金属及其合金也可以是贵金属铂Pt和钯Pd及其与金属Ni、 W、Mo的合金。

本发明提供的富硅Cr-Si基高阻膜电阻器(Cr-Si-Ni、Cr-Si-Ni-Mo和Cr-Si-Ni-W) 较之现有技术,在相同的湿热实验条件下的阻值变化较小,其电阻变化率介于0.03%~0.16%, 低于现有技术的Cr-Si膜电阻器的电阻变化率(0.22%~0.48%),证明了采用Ni及其合金改 性的Cr-Si高阻膜电阻器具有更好的耐高温、耐高湿性能。

附图说明

图1是本发明具体实施例的Cr-Si基高阻膜电阻器的湿热性能测试图。

具体实施方式

本发明提供的一种基于电催化性能提高Cr-Si高阻膜电阻器耐湿热性能的方法,是采 用对水具有电催化性能的金属或合金,在不显著影响富硅Cr-Si高阻膜阻值的情况下,改 变其在湿热环境中的失效机理,由水对Cr-Si高阻膜的电化学腐蚀变化为具有电催化性能 的Cr-Si基高阻膜对水的电催化分解,从而消除少量水对具有电催化性能Cr-Si基高阻膜 的影响,实现Cr-Si高阻膜本身具有耐湿热性能。

具体实施例通过具有对水电催化性能的非贵金属镍(Ni)及其合金镍钼(Ni-Mo)和镍钨 (Ni-W)对富硅Cr-Si高阻膜进行改进,提高其自身耐湿热性能。Ni及其合金对Cr-Si高阻 膜的改性,首先通过粉末冶金法制备Cr-Si基靶材,采用溅射法来实现。

由于金属Ni、Mo和W等具有较好的导电性(电阻率分别为6.84μΩ·cm,5.2μΩ·cm和 5.48μΩ·cm),过多的金属会显著改变富硅Cr-Si高阻膜阻值;此外Ni、Mo和W等是高熔点 金属(熔点分别为1453℃,2610℃和3380℃),由于真空冶炼炉温度的限制,过多的高 熔点金属在冶金学上将难以实现Cr-Si基靶材的制备。基于上述因素的考虑,结合各元素 的相图,本申请具体实施例的Cr-Si基高阻靶材构成元素及含量如表1所示。

表1(wt.%)

按表1中各实施例制备靶材后,采用以下设备和工艺条件制备Cr-Si基高阻膜:

采用美国TRC2020磁控溅射镀膜机,本底真空为3×10-3Pa,溅射电压为600V,溅射 电流为150mA,Ar流量为20sccm,溅射时间2h,然后在500℃下N2中退火2h;再将 制备的Cr-Si基电阻器高阻膜调至阻值为249kΩ(±0.5%)。

再对上述制备的Cr-Si基高阻膜电阻器采用有机涂料进行封装,所述有机涂料为纳米 二氧化硅(nano-SiO2)增强型酚醛(PF)-环氧(EP)树脂复合涂料,其nano-SiO2、EP和PF 质量比为3:43:100。该复合涂料的详细制备方法可参见本申请人的相关文章:Wang Xiuyu, Zhang Zhisheng,Bai Tian,Sun Guqing,Wang Jinlong,Huang Xiangdong,PF/EP/nano-SiO2composite paint for resistor.Transactions of Tianjin University,15(2009)283 –287.

按照国军标GJB1929-94标准对所制备的Cr-Si-Ni、Cr-Si-Ni-Mo和Cr-Si-Ni-W高阻 膜电阻器进行湿热实验,每种电阻器取20支,实验结果如图1所示。

图1是本发明具体实施例的Cr-Si基高阻膜电阻器的湿热性能测试图,作为对比实施 例,在相同的湿热实验条件下,现有技术的249kΩ(±0.5%)双元素Cr-Si高阻膜实验结 果也示于图1中。对比实施例所用的高阻膜电阻器是标称阻值为R=249KΩ的临界阻值电 阻器(工作电压等于额定电压)。

由图1可以明显看出,当Cr-Si高阻膜中引入少量金属Ni、Mo和W后,其耐湿热性能 有了较大提高,因此在湿热实验后,Cr-Si-Ni、Cr-Si-Ni-Mo和Cr-Si-Ni-W高阻膜电阻变 化率较小,阻值膜本身表现出对水具有一定的耐湿热性能。这与金属Ni及其合金NiMo和 NiW对水具有电催化性能有关。非贵金属Ni及其合金NiMo和NiW等常用于氢气制备的析氢 电极材料,对水具有电催化性能,能使水分解析出氢气和氧气。在湿热实验中,当少量水 透过封装保护膜进入Cr-Si-Ni、Cr-Si-Ni-Mo和Cr-Si-Ni-W高阻膜表面时,由于这种合金 膜对水具有电催化性能,因此在通电的工作状态下,含Ni的阻值膜将使其表面少量的水发 生电催化分解,而不是少量水使电阻膜发生电化学腐蚀,从而使这种含Ni的阻值膜本身表 现出耐湿热性能。另外,实施例2的耐湿热性能较1和3略好些,这应与阻值膜对水电催 化分解水的能力大小有关。

由电催化的有关知识可知,贵金属铂(Pt)和钯(Pd)等也对水具有较好的电催化性能, 且对水的电催化分解能力优于Ni,将其引入Cr-Si高阻膜,也会提高阻值膜本身的耐湿热 性能,只是会使电阻成本上升。因此,如从产品成本来考虑,应优先考虑非贵金属如金属 Ni及其合金。

本发明的Cr-Si基靶材工艺适应性好,且所制备的含镍Cr-Si基高阻膜本身具有较好 的耐湿热性能。当这种阻值膜与高性能电子封装保护材料结合使用时,所生产的成品电阻 器则具有更好的耐湿热性能,特别适用于工作在恶劣湿热环境中的精密仪器和高性能集成 电路,其应用为航天、军事电子技术的发展及新能源的利用提供了良好保证。

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