一种抗单粒子辐射效应的加固锁存器电路

摘要

本发明公开了一种抗单粒子辐射效应的加固锁存器电路，包括第一传输门单元、第二传输门单元、施密特反相器、常规输入分离反相器、第一输入分离钟控反相器、第二输入分离钟控反相器、延迟电路和MullerC单元电路。本发明工作在透明模式时，有效利用施密特反相器的迟滞效应和锁存器内部单元的延迟差，通过MullerC单元屏蔽来自组合逻辑单元的SET脉冲；工作在锁存模式时，通过改进具有自恢复能力的DICE单元结构，使得任意一个内部节点受到辐射效应影响发生SEU后都能通过其他节点的状态恢复过来，保证了锁存器的正确输出。因此，可以有效地消除辐射效应对电路的影响，适用于时钟门控电路，具有功耗和面积开销小的优点。