蚀刻工件的方法、蚀刻工件的装置及非瞬态计算机可读介质

摘要

公开了用于蚀刻工件的方法、被配置为蚀刻工件的装置以及非瞬态计算机可读介质。可以提供一种用于蚀刻工件的方法，所述方法可以包括：确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线，每个基准蚀刻曲线与所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置对应；确定所述工件的厚度曲线；基于所确定的厚度曲线和所述多个基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的各个蚀刻持续时间，以减少所述工件的总厚度变化；以及对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配蚀刻剂到达所确定的各个蚀刻持续时间。

说明书

技术领域

各个方面涉及用于蚀刻工件的方法、一种被配置为蚀刻工件的装置以及一种非瞬态计算机可读介质。

背景技术

工件可以包括于或使用在可以用在很多技术和产业（例如电力产业，例如电力应用产业）的大范围的设备（例如太阳能板）中。工件可以包括或可以是晶片（例如半导体晶片，例如硅晶片）和/或载体（例如玻璃载体）。

工件和/或包括所述工件或产生自所述工件的设备（例如太阳能板）的寿命、可靠性和/或性能（例如电性能、速度、容量等）可能取决于工件的厚度的均匀性，其可以通过工件的总厚度变化得以量化。在工件的总厚度变化减少或最小化的情况下，可以改进工件和/或包括所述工件或产生自所述工件的设备的寿命、可靠性和/或性能。换句话说，具有跨工件的更均匀的厚度的工件可以增加工件和/或包括所述工件或产生自所述工件的设备的寿命、可靠性和/或性能。替换地，或此外，在工件的厚度至少基本上等于可以指定以提供工件和/或包括所述工件或产生自所述工件的设备的更长寿命、更大可靠性和/或更好性能的预定目标厚度的情况下，可以改进工件和/或包括所述工件或产生自所述工件的设备的寿命、可靠性和/或性能。

工件的厚度和/或总厚度变化可以取决于对工件所执行的工艺（例如薄化工件）。随着技术进展，当前用于薄化工件的方法可能不足以提供工件和/或设备的所要求的寿命、可靠性和/或性能可能需要的总厚度变化和/或预定目标厚度。可能需要新的薄化工件的方式。

发明内容

可以提供一种用于蚀刻工件的方法，所述方法可以包括：确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线，每个基准蚀刻曲线与所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置对应；确定所述工件的厚度曲线；基于所确定的厚度曲线和所述多个基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的各个蚀刻持续时间，以减少所述工件的总厚度变化；以及对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配蚀刻剂到达所确定的各个蚀刻持续时间。

附图说明

在附图中，相似的参考标号通常贯穿不同的图提及相同的部分。附图并不一定按比例，替代地重点通常被放在图解本发明的原理上。在以下描述中，参照以下附图描述本发明各个方面，其中：

图1A至图1D示出用于薄化工件的常规方法。

图2示出已薄化的工件的平面图、已薄化的工件的厚度曲线以及已薄化的工件的总厚度变化。

图3示出用于蚀刻工件的方法。

图4A-1至图4E示出用于确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线的处理流程。

图5A至图5D示出用于经由蚀刻剂分配器在工件上分配蚀刻剂的处理流程。

图6示出工件的第一厚度曲线与工件的第二厚度曲线的比较。

图7示出用于蚀刻工件的另一方法。

图8示出可以被配置为蚀刻工件的装置。

图9示出存储程序的非瞬态计算机可读介质。

图10示出流程图，该流程图示出用于蚀刻工件的方法的示例。

具体实施方式

以下详细描述提及随附的附图，附图通过图解的方式示出其中可以实践本发明的具体细节和方面。足够详细地描述这些方面，以使得本领域技术人员能够实践本发明。在不脱离本发明的范围情况下，可以利用其它方面，并且可以作出结构、逻辑和电改变。由于一些方面可以与一个或更多个其它方面组合以形成新的方面，因此各个方面并不一定是相互排除的。对于结构或设备描述各个方面，并且对于方法描述各个方面。可以理解，与结构或设备相关地描述的一个或更多个（例如所有）方面可以等同地应用于方法，并且反之亦然。

词语?“示例性?”在此用于意味着?“充当示例、实例或图解?”。在此描述为?“示例性?”的任何方面或设计不一定解释为优于或利于其它方面或设计。

在此用于描述在一侧或表面?“之上?”形成特征（例如层）所使用的词语?“之上?”可以用于意味着该特征（例如层）可以?“直接形成在隐含侧或表面上?”（例如与之直接接触）。在此用于描述在一侧或表面?“之上?”形成特征（例如层）所使用的词语?“之上?”可以用于意味着该特征（例如层）可以?“间接形成在隐含侧或表面上?”，其中，一个或更多个附加层被布置在隐含侧或表面与所形成的层之间。

以类似方式，在此用于描述?“覆盖 ?”一侧或表面在另一特征之上所部署的特征（例如层）所使用的词语“覆盖”可以用于意味着该特征（例如层）可以被部署在隐含侧或表面上并且与之直接接触。在此用于描述?“覆盖?”一侧或表面在另一特征上所部署的特征（例如层）所使用的词语?“覆盖?”可以用于意味着该特征（例如层）可以被部署在隐含侧或表面上并且与之间接接触，其中，一个或更多个附加层被布置在隐含侧或表面与覆盖层之间。

在此用于描述特征连接到至少一个另外隐含特征的术语?“耦接?”和/或?“电耦接?”和?“连接?”和/或?“电连接?”并非意味着意思是说该特征和所述至少一个另外隐含特征必须直接耦接或连接在一起；可以在该特征与至少一个另外隐含特征之间提供中间特征。

可以参照所描述的（多个）图的方位来使用方向性术语（例如比如?“上?”、?“下?”、?“顶?”、?“底?”、?“左边?”、?“右边?”等）。因为（多个）图的组件可以位于多个不同的方位上，因此为了图解而绝非限制的目的来使用方向性术语。应理解，可以在不脱离本发明的范围的情况下作出结构或逻辑改变。

工件（例如晶片（例如半导体晶片，例如硅晶片）和/或载体（例如玻璃载体））广泛地用于制造用在宽范围的技术和产业中（包括但不限于移动通信产业（例如在网络组件、移动设备等中）、交通产业（例如在飞机、汽车等中）以及电力生成、发布和应用产业（例如在太阳能板中））的设备。因此，工件（例如晶片和/或载体）可以包括于或用在可以在很多技术或产业（例如电力产业，例如电力应用产业）中使用的宽范围的设备（例如太阳能板）中。

工件（例如晶片和/或载体）在工件加工的某阶段期间可能需要薄化，例如，以便工件和/或包括所述工件或产生自所述工件的设备符合规范（例如尺寸，例如厚度）和/或电参数。

图1A至图1D示出用于薄化工件的常规方法。

图1A示出在载体104之上所部署的工件102。

载体104（例如玻璃载体）可以被配置为：例如在工件102的随后薄化期间，提供对工件102的支撑（例如机械支撑）。工件102可以被部署在载体104之上，并且可以安装到载体104上。例如，工件102可以通过可以在工件102与载体104（例如玻璃载体）之间部署的粘接剂106（例如不导电粘接剂，例如胶水、胶带、箔等）附接到载体104，如图1A所示。

工件102可以包括或可以是晶片。在这样的示例中，工件102（例如晶片）可以包括半导体衬底，其可以包括半导体材料，或可以由半导体材料组成。在这样的示例中，工件102（例如晶片）可以包括一个或更多个半导体材料层。虽然其它材料同样可以是可能的，但半导体材料可以包括或可以是选自材料组的至少一种材料，所述组包括：硅、锗、氮化镓、砷化镓和碳化硅。在另一示例中，工件102可以包括或可以是载体。在这样的示例中，工件102（例如载体）可以包括或可以是玻璃载体。在又一示例中，工件102可以包括或可以是载体（例如玻璃载体），具有在载体（例如玻璃载体）之上所部署的一个或更多个层（例如一个或更多个半导体层）。在又一示例中，工件102可以包括或可以是载体（例如玻璃载体），具有在载体（例如玻璃载体）之上所部署的一个或更多个晶片（例如一个或更多个半导体晶片）。接下来的描述考虑这样的示例：工件102可以包括或可以是晶片（例如半导体晶片）。然而，重申工件102可以包括或可以是其它类型的工件，例如载体（例如玻璃载体）。

工件102可以包括第一侧102a以及与第一侧102a相对的第二侧102b。工件102的第一侧102a和第二侧102b分别可以包括或可以是工件102的前侧和后侧。通过另一示例的方式，工件102的第一侧102a可以包括或可以是工件102的有源侧。工件102可以具有厚度T1，其可以例如包括或可以是工件102的第一侧102a与第二侧102b之间的距离。

如上所述，工件102可以包括或可以是晶片（例如半导体晶片，例如硅晶片）。在这样的示例中，工件102（例如晶片）可以包括至少一个半导体器件108。仅示出四个半导体器件108作为示例，然而，半导体器件108的数量可以小于四个（例如一个、两个、三个），或可以大于四个（例如五个、六个、七个、八个、九个、几十、几百或几千个半导体器件108）。例如，工件102（例如晶片）可以包括横向彼此相邻和/或作为半导体器件108的矩阵而布置的多个半导体器件108。在工件102可以包括或可以是载体（例如玻璃载体）的另一示例中，工件102可以不包括至少一个半导体器件108。

至少一个半导体器件108可以例如被配置用于在可以包括工件102（例如晶片）的器件中使用，或用于可以使用工件102（例如晶片）的生产。例如，工件102（例如晶片）或工件102（例如晶片）的至少一部分可以随后包括于太阳能板中（例如，可以是其一部分）。在这样的示例中，至少一个半导体器件108可以包括或可以是至少一个光伏单元。

至少一个半导体器件108可以被部署在工件102（例如晶片）的第一侧102a（例如有源侧）处，如图1A所示。在另一示例中，至少一个半导体器件108可以被部署在工件102（例如晶片）的第二侧102b（例如后侧）处。

可以部署至少一个半导体器件108的工件102的一侧可以面对载体104。例如，在图1A所示的示例中，工件102的第一侧102a可以面对载体104。薄化工件102可以包括：从与可以部署至少一个半导体器件108的一侧相对的工件102的一侧去除材料（例如半导体材料）。例如，在图1A所示的示例中，薄化工件102可以包括：从背对载体104的工件102的第二侧102b（例如后侧）去除材料（例如半导体材料）。

如图1B所示，可以对工件102执行（箭头110所指示的）研磨工艺。可以通过工件研磨器112来执行研磨工艺110，工件研磨器112可以被配置为：从工件（例如从背对载体104的工件102的一侧（例如根据图1B所示的示例的第二侧102b））去除材料（例如半导体材料）。换句话说，（箭头110所指示的）研磨工艺可以减少工件102的厚度T1。

图1C示出例如可以在随后于研磨工艺110而对工件102执行的蚀刻工艺（例如旋转蚀刻工艺，例如湿法旋转蚀刻工艺，例如湿法化学旋转蚀刻工艺）。可以通过蚀刻剂分配器114来执行蚀刻工艺（例如旋转蚀刻工艺），蚀刻剂分配器114可以被配置为：分配蚀刻剂116（例如液体蚀刻剂，例如化学蚀刻剂），并且其可以位于工件102之上。蚀刻剂分配器114也可以被提及为介质分配动臂（media dispense boom）。

图1B所示的研磨工艺110可能引起对工件102（例如工件102的第二侧102b）的损坏（例如晶体损坏）。蚀刻工艺（例如旋转蚀刻工艺）可以去除研磨工艺110所引起的损坏（例如晶体损坏）。

蚀刻工艺（例如旋转蚀刻工艺）可以从背对载体102的工件102的一侧（例如根据图1所示的示例的第二侧102b）去除材料（例如半导体材料）。蚀刻工艺（例如旋转蚀刻工艺）可以从工件102（例如从根据图1C所示的示例的工件102的第二侧102b）去除大约10μm至大约60μm的材料（例如半导体材料，例如硅）。根据其它示例，蚀刻工艺可以从工件102去除不同量的材料，例如小于10μm或大于60μm的材料。

于在工件102之上分配蚀刻剂116（例如液体蚀刻剂，例如化学蚀刻剂）的同时，工件102可以转动（例如旋转）。此外，蚀刻剂分配器114（例如介质分配动臂）可以沿着可以被横向地部署在工件102的边界B内的工件102之上的路径P（例如连续地）往复移动。

蚀刻剂分配器114可以位于工件102之上的固定高度处，并且可以沿着工件102之上的路径P（例如连续地）往复移动。例如，蚀刻剂分配器114在工件102之上沿其移动的路径P可以处于工件102之上的固定高度H处。

图1D示出沿着图1C所示的直线A-A’的工件102的视图。

如图1D所示，工件102可以是圆形工件。路径P在工件102的表面上（例如在工件102的第二侧102b上）的投影可以跟踪可以穿过工件102的中心102C的弧线118，并且可以被横向部署在工件102的边界B内。

用于薄化工件102的常规方法的结果可以是图2所示的已薄化的工件102T。

图2示出已薄化的工件102T的平面图200、已薄化的工件102T的厚度曲线202以及已薄化的工件102T的总厚度变化TTV。

与图1A至图1D相同的图2中的参考标号表示与图1A至图1D相同或相似的要素。因此，在此将不再详细描述这些要素；对以上的描述进行参照。

已薄化的工件102T的厚度曲线202可以提及已薄化的工件102T沿着穿过已薄化的工件102T的中心102C的直线102L的厚度。换句话说，已薄化的工件102T的厚度曲线202可以指示已薄化的工件102T的厚度沿着穿过已薄化的工件102T的中心102C的直线102L如何变化。在已薄化的工件102T可以是圆形工件（或至少基本上圆形工件）的示例中，如图2所示的示例中，穿过已薄化的工件102T的中心102C的直线102L可以是已薄化的工件102T的直径。相应地，已薄化的工件102T的厚度曲线202可以指示已薄化的工件102T的厚度沿着已薄化的工件102T的直径如何变化。

可以从背对载体104的已薄化的工件102T的一侧来确定已薄化的工件102T的厚度曲线202。例如，在图2所示的示例中，可以从已薄化的工件102T的第二侧102b（例如后侧）来确定已薄化的工件102T的厚度曲线202。在另一示例中，例如，在工件102可以包括或可以是晶片并且至少一个半导体器件108可以被部署在已薄化的工件102T的第二侧102b（例如后侧）处的示例中，可以从已薄化的工件102T的第一侧102a（例如前侧）来确定已薄化的工件102T的厚度曲线202。

通过无接触测量工艺和/或接触测量工艺可以确定（例如测量和/或感测）已薄化的工件102T的厚度并且因此已薄化的工件102T的厚度曲线202。例如，虽然同样可以使用用于确定已薄化的工件102T的厚度并且因此已薄化的工件102T的厚度曲线202的其它无接触测量工艺，但无接触测量工艺可以包括或可以是红外线干涉测量工艺、电容测量工艺和电感测量工艺中的至少一个。通过另一示例的方式，接触测量工艺可以包括或可以是机械钳测量工艺。在这样的示例中，接触测量工艺可以包括将已薄化的工件102T的至少一侧（例如第一侧102a和/或第二侧102b）与一个或更多个针和/或钳和/或卡尺接触。可以注意，同样可以使用用于确定已薄化的工件102T的厚度并且因此已薄化的工件102T的厚度曲线202的其它接触测量工艺。

如上所述，已薄化的工件102T可以是圆形工件。在这样的示例中，已薄化的圆形工件的厚度可以展现出至少基本上径向对称性。通过另一方式声明，圆形工件可以至少基本上相对于其厚度是径向对称的。例如，沿着直线102L（例如穿过已薄化的工件102T的中心102C的工件102T的第一直径）所确定的已薄化的工件102T的厚度曲线202可以至少基本上与沿着另一直线102L’（例如穿过已薄化的工件102T的中心102C并且相对于直线102L以极角φ（0<φ<180°）定向的工件102T的第二直径）确定的已薄化工件102T的厚度曲线202’相同。

已薄化的工件102T的总厚度变化（TTV）可以提及已薄化的工件102T沿着直线102L的厚度的最大变化。例如，已薄化的工件102T沿着直线102L的厚度曲线202可以在最小值V1与最大值V2之间变化，如图2所示。已薄化的工件102T的TTV可以例如表达为最大值V2与最小值V1之间的差，即TTV=V2–V1。

已薄化的工件102T的TTV可以是已薄化的工件102T沿着直线102L或在工件102的区域之上的厚度的同质性的指示。例如，更大的TTV可以指示已薄化的工件102T的厚度的低同质性，而更小的TTV可以指示已薄化的工件102T的厚度的高同质性。

包括已薄化的工件102T或产生自已薄化的工件102T的设备（例如太阳能板）的寿命、可靠性和/或性能（例如电性能、速度、容量等）可以取决于设备（例如太阳能板）中所包括或对于设备所使用的已薄化的工件102T的厚度曲线202和/或TTV。例如，在电力应用设备（例如太阳能板）中，已薄化的工件102T的厚度曲线202和/或TTV可能对于设备（例如太阳能板）是极为重要的。为了改进这样的设备（例如太阳能板）的寿命、可靠性和/或性能（例如电性能、速度、容量等），已薄化的工件102T的厚度T2可能必须良好地处于特定限制内。例如，用于太阳能板中所使用的已薄化的工件102T的电流规范允许大约6μm的最大TTV。换句话说，工件的最厚部分与工件的最薄部分之间的厚度差应为6μm或更小。将来的规范和/或用于其它设备的规范可能甚至有更高要求。

已薄化的工件102T的厚度曲线202和/或TTV可以取决于对工件102所执行的一个或更多个薄化工艺。如图1A至图1D所示，薄化工件102可以包括：将工件102安装到载体104上（例如，如图1A所示），研磨工件102（例如，如图1B所示），并且蚀刻工件102（例如如图1C所示）。

例如，当工件102被安装到的载体104的表面不均匀时，将工件102安装到载体104上（例如，如图1A所示）可能造成工件102的第一TTV。研磨工件102（例如，如图1B所示）可以将附加厚度变化贡献于工件102，并且可以造成工件102的第二TTV。蚀刻工件102（例如，如图1C所示）可以将又一厚度变化贡献于工件102，并且可以造成工件102的第三（最终）TTV。也就是说，前述工艺（安装、研磨、蚀刻）中的每一个可以贡献于工件102的最终TTV。

如上所述，在已薄化的工件102T的TTV减少或最小化的情况下，可以改进包括已薄化的工件102T或产生自已薄化的工件102T的设备（例如，太阳能板）的寿命、可靠性和/或性能（例如电性能、速度、容量等）。反之，已薄化的工件102T可能具有可能超出TTV的规定范围（就是说大于TTV的规定范围）的TTV，并且这可能导致工件损耗。

用于降低已薄化的工件102T的TTV的一种可能性可以是使得前述工艺中的每个工艺所加入的TTV最小化。换句话说，可以单独地使得分别通过安装、研磨和蚀刻所获得的第一TTV、第二TTV和第三TTV最小化。然而，第一TTV、第二TTV与第三TTV之间和/或当中的互作用可能无法事先预测，并且单独地最小化的TTV可能替代地在构造上加和，并且可能造成已薄化的工件102T的大的TTV。

鉴于（例如，如图1A至图1D所示的）用于薄化工件102的常规方法的上述特征以及（例如，如图2所示的）已薄化的工件102T的厚度曲线202和TTV，可以识别出以下需要：

可能存在对于提供一种可以在蚀刻之前考虑并且补偿通过对工件所执行的工艺而贡献于工件的总厚度变化的用于蚀刻工件的方法的需要。

可能存在对于提供一种可以减少工件（例如晶片）的层（例如半导体材料层）的总厚度变化的用于蚀刻工件（例如晶片）的方法的需要。

可能存在对于提供一种可以提供可以具有可以至少基本上等于预定目标厚度的厚度的工件的用于蚀刻工件的方法的需要。

可能存在对于提供一种使得蚀刻的工件的总厚度变化减少或最小化的用于蚀刻工件的方法的需要。

例如，可以通过根据一个或更多个实施例的用于蚀刻工件的方法来满足上述需要。

一个或更多个实施例的一方面可见在于：工件的蚀刻可以基于恰在蚀刻之前的工件的厚度曲线和/或总厚度变化。

一个或更多个实施例的一方面可以是：工件的蚀刻可以基于恰在蚀刻之前工件的厚度曲线和/或总厚度变化而从工件去除材料（例如半导体材料），以使得蚀刻的工件的总厚度变化减少或最小化。

一个或更多个实施例的一方面可见在于，可以作出蚀刻持续时间的调整（例如全局调整），从而可以实现工件的预定目标厚度。

图3示出用于蚀刻工件的方法300。

方法300可以例如用于替代图1C所示的蚀刻工艺（例如旋转蚀刻工艺）。换句话说，可以在安装工艺（例如图1A所示）和研磨工艺（例如图1B所示）之后执行用于蚀刻工件的方法300。

方法300可以包括：确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线，每个基准蚀刻曲线与所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置对应（在302中）；确定所述工件的厚度曲线（在304中）；基于所确定的厚度曲线和所述多个基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的各个蚀刻持续时间，以减少所述工件的总厚度变化（在306中）；以及对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配蚀刻剂到达所确定的各个蚀刻持续时间（在308中）。

如上所述，用于蚀刻工件的方法300可以包括：确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线（在302中）。

图4A-1至图4E示出用于确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的（图4E所示的）多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3的方法，如方法300中的302中所公开的那样。

与图1A至图1D以及图2相同的图4A-1至图4E的参考标号表示与图1A至图1D以及图2相同或相似的要素。因此，在此将不再详细描述这些要素；对以上的描述进行参照。

图4A-1示出基准工件404。根据一些实施例，可以通过相似或相同的方式将基准工件404配置为待通过蚀刻方法（例如方法300）蚀刻的工件。基准工件404可以被部署在（例如安装到）载体104（例如玻璃载体）上，并且可以通过粘接剂106（例如胶水）附接到载体104（例如玻璃载体）。

基准工件404可以包括或可以是基准晶片。在这样的示例中，基准工件404（例如基准晶片）可以包括半导体衬底，其可以包括半导体材料，或可以由半导体材料组成。在这样的示例中，基准工件404（例如基准晶片）可以包括一个或更多个半导体材料层。虽然其它材料同样可以是可能的，但半导体材料可以包括或可以是选自材料组的至少一种材料，所述组包括：硅、锗、氮化镓、砷化镓和碳化硅。在另一示例中，基准工件404可以包括或可以是基准载体。在这样的示例中，基准工件404（例如基准载体）可以包括或可以是玻璃载体。例如，基准工件404（例如基准载体，例如玻璃载体）可以被部署在载体104之上。在又一示例中，基准工件404可以包括或可以是基准载体（例如玻璃载体），具有在基准载体（例如玻璃载体）之上所部署的一个或更多个层（例如一个或更多个半导体层）。在又一示例中，基准工件404可以包括或可以是基准载体（例如玻璃载体），具有在基准载体（例如玻璃载体）之上所部署的一个或更多个基准晶片（例如一个或更多个基准半导体晶片）。接下来的描述考虑这样的示例：基准工件404可以包括或可以是基准晶片（例如基准半导体晶片）。然而，重申基准工件404可以包括或可以是其它类型的基准工件，例如基准载体（例如玻璃载体）。

基准工件404可以包括第一侧404a以及与第一侧404a相对的第二侧404b。基准工件404的第一侧404a和第二侧404b分别可以包括或可以是基准工件404的前侧和后侧。通过另一示例的方式，基准工件404的第一侧404a可以包括或可以是基准工件404的有源侧。基准工件404可以具有厚度TR，其可以例如包括或可以是基准工件404的第一侧404a与第二侧404b之间的距离。

如上所述，基准工件404可以包括或可以是基准晶片（例如半导体晶片，例如硅晶片）。在这样的示例中，基准工件404（例如基准晶片）可以包括至少一个半导体器件108。仅示出四个半导体器件108作为示例，然而，半导体器件108的数量可以小于四个（例如一个、两个、三个），或可以大于四个（例如五个、六个、七个、八个、九个、几十、几百或几千个半导体器件108）。例如，基准工件404可以包括横向彼此相邻和/或作为半导体器件108的矩阵而布置的多个半导体器件108。在基准工件404可以包括或可以是基准载体（例如玻璃载体）的另一示例中，基准工件404可以不包括至少一个半导体器件108。

至少一个半导体器件108可以被部署在基准工件404（例如基准晶片）的第一侧404a（例如有源侧）处，如图4A-1所示。在另一示例中，至少一个半导体器件108可以被部署在基准工件404（例如基准晶片）的第二侧404b（例如后侧）处。可以部署至少一个半导体器件108的基准工件404（例如基准晶片）的一侧可以面对载体104。

图4A-2示出沿着图4A-1所示的直线C-C’的基准工件404的视图。

确定（图4E所示的）多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3可以包括：确定基准工件404的初始厚度曲线402（例如，如图4A-3所示）。

如上关于已薄化的工件102T所述，图2所示的厚度曲线202可以指示已薄化的工件102T沿着穿过已薄化的工件102T的中心102C的直线102L的厚度。相似地，图4A-3所示的基准工件404的初始厚度曲线402可以指示基准工件404沿着穿过基准工件404的中心404C的直线404L的初始厚度。

基准工件404可以具有至少基本上与工件102相同的尺寸和/或形状。在工件102可以是圆形工件（或至少基本上圆形工件）的示例中，基准工件404可以是圆形工件（或至少基本上圆形工件）。在这样的示例中，穿过基准工件404的中心404C的直线404L可以是基准工件404的直径，如图4A-2所示。如上所述，工件102可以包括或可以是至少基本上径向对称的圆形工件，换句话说，具有至少基本上径向对称的厚度曲线的工件。相似地，基准工件404可以包括或可以是至少基本上径向对称的圆形工件。

通过无接触测量工艺和/或接触测量工艺可以确定（例如测量和/或感测）基准工件404的初始厚度曲线402。例如，虽然同样可以使用用于确定基准工件404的初始厚度曲线402的其它无接触测量工艺，但无接触测量工艺可以包括或可以是红外线干涉测量工艺、电容测量工艺和电感测量工艺中的至少一个。通过另一示例的方式，接触测量工艺可以包括或可以是机械钳测量工艺。在这样的示例中，接触测量工艺可以包括：将基准工件404的至少一侧（例如第一侧404a和/或第二侧404b）与一个或更多个针和/或钳和/或卡尺接触。可以注意，同样可以使用用于确定基准工件404的厚度并且因此基准工件404的厚度曲线402的其它接触测量工艺。

如图4B-1所示，确定多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3可以包括：在可以处于沿着路径P的分离位置处的多个位置P1、P2、P3中的各个位置（例如P1）处在基准工件404之上定位蚀刻剂分配器114。多个位置P1、P2、P3可以是在分配蚀刻剂的同时蚀刻剂分配器114可以位于中心的位置（见以下关于图4C的描述）。相应地，在从蚀刻剂分配器114分配蚀刻剂的同时，关于多个位置P1、P2、P3中的各个位置（例如P1）的移动（例如轻微偏离）可以是可能的。在另一示例中，多个位置P1、P2、P3可以是在分配蚀刻剂的同时可以固定蚀刻剂分配器114的位置。作为示例，仅示出三个位置P1、P2、P3，然而，沿着路径P的分离位置的数量可以小于三个（例如两个），或可以大于三个（例如四个、五个、六个、七个、八个、九个、十个或几十、几百个位置P1、P2、P3）。多个位置P1、P2、P3可以彼此间隔开一定有限距离。例如，虽然其它值同样可以是可能的，但两个相邻位置之间（例如位置P1与P2之间）的（例如沿着路径P的）距离可以大于或等于大约1mm，例如大于或等于大约5mm，例如大于或等于大约1cm。

可以定位蚀刻剂分配器114的多个位置P1、P2、P3中的各个位置（例如P1）可以位于基准工件404的表面之上（例如基准工件404的第二侧404b之上）的各个高度（例如与位置P1对应的H1）处。例如，在图4B-1所示的示例中，各个位置P1可以位于基准工件404的第二侧404b之上的各个高度H1处。相似地，各个位置P2可以位于基准工件404的第二侧404b之上的各个高度H2处。以类似的方式，各个位置P3可以位于基准工件404的第二侧404b之上的各个高度H3处。与多个位置P1、P2、P3中的各个位置对应的各个高度（例如分别H1、H2、H3）可以至少基本上相等。

图4B-2示出沿着图4B-1所示的直线C-C’的工件102的视图。

如图4B-2所示，蚀刻剂分配器114的多个位置P1、P2、P3在基准工件404的表面（例如基准工件404的第二侧404b）上的投影可以跟踪可以置于路径P上并且可以穿过基准工件404的中心404C的弧线118，并且可以被横向部署在基准工件404的边界B内。

根据一个或更多个实施例，多个位置可以位于基准工件404的中心404C的任一侧处。例如，参照图4B-2，各位置中的至少一个可以在包含P3的弧线118的该区段上位于中心404C与边界B之间，各位置中的至少另一个可以在包含P1和P2的弧线118的该区段上位于中心404C与边界B之间。

根据一个或更多个实施例，多个位置可以全都位于基准工件404的中心404C的同一侧处。例如，参照图4B-2，多个位置可以在包含P3的弧线118的该区段上全部位于中心404C与边界B之间，或多个位置可以在包含P1和P2的弧线118的区段上全部位于中心404C与边界B之间。

接下来的描述提供确定与蚀刻剂分配器114可以定位在多个位置P1、P2、P3中的各个位置P1处的基准工件404之上的实例对应的基准蚀刻曲线REP1的示例。然而，所提供的描述和示例类似地可应用于确定与蚀刻剂分配器114可以定位在多个位置P1、P2、P3中的各个位置PX处的基准工件404之上的实例对应的基准蚀刻曲线REPX，其中，X取值2或3。

如图4C所示，确定基准蚀刻曲线REP1可以包括：经由蚀刻剂分配器114在基准工件404之上分配蚀刻剂116达到预定基准蚀刻持续时间（例如与各个位置P1对应的各个预定基准蚀刻持续时间PD1）。换句话说，蚀刻剂分配器114可以定位在多个位置P1、P2、P3中的各个位置P1处，并且可以在基准工件404之上分配蚀刻剂116达到各个时间的持续时间（例如各个预定基准蚀刻持续时间PD1）。在蚀刻剂116分配在基准工件404之上的同时，基准工件404和载体104可以旋转（箭头406指示）。如上所述，多个位置P1、P2、P3可以是在分配蚀刻剂的同时蚀刻剂分配器114可以位于中心的位置。相应地，在从蚀刻剂分配器114分配蚀刻剂116的同时，关于多个位置P1、P2、P3中的各个位置（例如P1）的移动（例如轻微偏离）可以是可能的。例如，蚀刻剂分配器116可以横向移动（例如稍微横向移动）到多个位置P1、P2、P3中的各个位置（例如P1）的左右前和/或后。在另一示例中，多个位置P1、P2、P3可以是在分配蚀刻剂116的同时可以固定蚀刻剂分配器114的位置。

确定基准蚀刻曲线REP1可以包括：例如在通过定位在各个位置P1处的蚀刻剂分配器114来蚀刻基准工件404之后，随后确定基准工件404的（图4D所示的）最终厚度曲线402F1。换句话说，可以随后于经由定位在多个位置P1、P2、P3中的各个位置P1处的蚀刻剂分配器114在基准工件404之上分配蚀刻剂116而确定基准工件404的（图4D所示的）最终厚度曲线402F1。与各个位置P1对应的最终厚度曲线402F1可以指示在通过经由定位在各个位置P1处的蚀刻剂分配器114所分配的蚀刻剂116蚀刻基准工件404之后有多少基准工件404的材料保留。可以通过用于确定工件的厚度曲线前述方法中的任一（例如红外线干涉测量工艺）来确定最终厚度曲线402F1。

可以基于图4D所示的所确定的初始厚度曲线402和各个所确定的最终厚度曲线402F1来确定各个基准蚀刻曲线REP1。

例如，所确定的最终厚度曲线402F1与所确定的初始厚度曲线402之间的差可以指示在蚀刻剂分配器114定位在各个位置P1处的同时在预定基准蚀刻持续时间（例如PD1）期间蚀刻剂116沿着穿过基准工件404的中心404C的直线404L所去除的基准工件404的材料的量。然后可以基于该差来确定基准蚀刻曲线REP1。

例如，基准蚀刻曲线REP1可以包括或可以是在蚀刻剂分配器114定位在各个位置P1处的同时蚀刻剂116沿着穿过基准工件404的中心404C的直线404L去除基准工件404的材料的速率。例如，可以通过将所确定的最终厚度曲线402F1与所确定的初始厚度曲线402之间的差除以各个预定基准蚀刻持续时间PD1来确定基准蚀刻曲线REP1。基准蚀刻曲线REP1可以例如表达为μm/s或其变形。

基准蚀刻曲线REP1也可以被提及为蚀刻曲线，其可以包括或可以是指示在蚀刻剂分配器114定位在基准工件404之上的各个位置P1处并且蚀刻剂116经由蚀刻剂分配器114而得以在基准工件404之上分配的情况下可以从基准工件404蚀刻的材料的量的曲线（例如沿着直线404L蚀刻材料的速率）。换句话说，基准蚀刻曲线REP1可以与当通过定位在位置P1处的蚀刻剂分配器来蚀刻基准工件404时所获得的依赖于位置的蚀刻速率（即对于基准工件404的每个位置或至少对于与路径P上的位置对应的工件404的每个位置所获得的蚀刻速率）对应。又换句话说，对于（作为参数的）蚀刻剂分配器114的给定位置P1，基准蚀刻曲线REP1可以指示蚀刻速率作为工件404上的（例如图4B-2所示的）（横向）位置PW的函数。又换句话说，蚀刻速率可以表达为R=R_P1(PW)。

虽然从基准工件404确定，但基准蚀刻曲线REP1可以提供在蚀刻剂分配器114定位在多个位置P1、P2、P3中的各个位置P1处的情况下可以从工件102去除材料的速率的指示。换句话说，基准蚀刻曲线REP1可以用于推断当在蚀刻剂分配器114定位在工件102之上的各个位置P1处并且蚀刻剂116经由蚀刻剂分配器114而得以在工件102之上分配的情况下从工件102蚀刻材料时可以获得的蚀刻曲线。

以上的描述提供可以如何确定多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3中的基准蚀刻曲线REP1的示例。可以通过对于多个位置P1、P2、P3中的每个另一位置（例如P2、P3）执行以上关于图4A-1至图4D所描述的工艺流程来确定其它基准蚀刻曲线（例如，分别REP2、REP3）。

图4E示出可以通过上述示例确定的多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3。

用于多个位置P1、P2、P3中的每个位置的预定基准蚀刻持续时间（例如PD1、PD2、PD3）可以例如是相同的。在另一示例中，用于多个位置P1、P2、P3中的每个位置的预定基准蚀刻持续时间（例如PD1、PD2、PD3）可以是不同的。在任一示例中，例如，由于多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3可以包括或可以是从基准工件404去除材料的速率，因此对于多个位置P1、P2、P3所确定的基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3可以解释各个预定基准蚀刻持续时间。

如上面关于图3所描述的，用于蚀刻工件的方法300可以包括：确定所述工件的厚度曲线（在304中）。在这点上，可以通过用于确定工件的厚度曲线前述方法中的任一（例如红外线干涉测量工艺）来确定工件102的厚度曲线。

工件102的厚度曲线可以包括在蚀刻之前通过对工件所执行的工艺而贡献于工件102的总厚度变化。换句话说，工件102的厚度曲线可以解释在蚀刻之前通过对工件102所执行的工艺而贡献于工件102的总厚度变化。

如上面关于图3所描述的，用于蚀刻工件的方法300可以包括：基于工件102的所确定的厚度曲线以及多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3来确定用于蚀刻剂分配器114的多个位置P1、P2、P3中的每个位置的各个蚀刻持续时间，以减少工件102的总厚度变化（在306中）。

如上所述，多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3可以指示在蚀刻剂分配器114定位在多个位置P1、P2、P3处的同时蚀刻剂116可以从工件102去除材料的（位置依赖的）速率。例如，基准蚀刻曲线REP1可以指示在蚀刻剂分配器114定位在位置P1处的同时蚀刻剂116可以从工件102去除材料的（位置依赖的）速率。相似地，基准蚀刻曲线REP2可以指示在蚀刻剂分配器114定位在位置P2处的同时蚀刻剂116可以从工件102去除材料的（位置依赖的）速率。以类似的方式，基准蚀刻曲线REP3可以指示在蚀刻剂分配器114定位在位置P3处的同时蚀刻剂116可以从工件102去除材料的（位置依赖的）速率。

多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3可以例如表达为μm/s或其变形。相应地，将用于各个位置的各个蚀刻持续时间（例如用于各个位置P1的各个蚀刻持续时间a1）和各个基准蚀刻曲线（例如REP1）相乘可以指示在蚀刻剂分配器114定位在各个位置（例如P1）处的同时蚀刻剂116可以从工件102去除的材料的量。因此，在各个基准蚀刻曲线（例如分别REP1、REP2、REP3）可以由各个蚀刻持续时间（例如分别a1、a2、a3）加权的情况下的多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3的线性组合可以指示在蚀刻剂分配器114分别定位在多个位置P1、P2、P3处分别达到时间持续时间a1、a2、a3的同时蚀刻剂116可以沿着穿过工件102的中心102C的直线102L从工件102去除的材料的总量。换句话说，确定用于蚀刻剂分配器114的多个位置P1、P2、P3中的每个位置的各个蚀刻持续时间可以包括：确定多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3的线性组合，其中，各个蚀刻持续时间可以是与多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3的线性组合的各个基准蚀刻曲线对应的各个系数。

如上所述，可以确定各个蚀刻持续时间a1、a2、a3，以减少工件102的总厚度变化。可以例如通过最小二乘拟合来确定可以减少工件102的总厚度变化的多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3的线性组合。换句话说，为了减少工件102的总厚度变化，可以通过最小二乘拟合来组合多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3，以确定可以减少工件102的总厚度变化的材料从工件102的最优自适应去除。

在一个或更多个实施例中，所确定的蚀刻持续时间a1、a2、a3对于所有位置可以是非零的。在一个或更多个实施例中，所确定的蚀刻持续时间a1、a2、a3对于一个或更多个位置可以为零，至少两个位置可以与非零蚀刻持续时间关联。例如，与位置P2对应的蚀刻持续时间a2可以确定为零，而分别与位置P1和P3对应的蚀刻持续时间a1和a3可以确定为非零。这可以例如指示可以在蚀刻剂分配器关于各个位置（例如分别P1和P3）位于中心的同时蚀刻工件102达到各个蚀刻持续时间（例如分别a1和a3）的同时可以通过跳过与确定为零的蚀刻持续时间关联的位置（例如跳过位置P2）来减少工件102的总厚度变化。

在另一实施例中，所确定的蚀刻持续时间a1、a2、a3对于除了一个位置之外的所有位置可以为零。例如，与位置P1和P2分别对应的蚀刻持续时间a1和a2可以确定为零，而与位置P3对应的蚀刻持续时间a3可以确定为非零。这可以例如指示可以在蚀刻剂分配器关于各个位置（例如P3）位于中心的同时蚀刻工件102达到各个蚀刻持续时间（例如a3）的同时可以通过跳过与确定为零的蚀刻持续时间关联的位置（例如跳过位置P1和P2）来减少工件102的总厚度变化。

如上面关于图3所描述那样，用于蚀刻工件的方法可以包括：对于多个位置P1、P2、P3中的每个位置经由蚀刻剂分配器116在工件102之上分配蚀刻剂116达到所确定的各个蚀刻持续时间（例如分别a1、a2、a3）（在308中）。

图5A至图5D示出用于经由蚀刻剂分配器116在工件102之上分配蚀刻剂116的工艺流程，如方法300的308中所公开的那样。

与图1A至图1D、图2以及图4A-1至图4E相同的图5A至图5D的参考标号表示与图1A至图1D、图2以及图4A-1至图4E相同或相似的要素。因此，在此将不再详细描述这些要素；对以上的描述进行参照。

如图5A所示，例如，在用于第一位置（例如P1）的各个蚀刻持续时间（例如a1）确定为非零的示例中，蚀刻剂分配器116可以移动到多个位置P1、P2、P3中的第一位置（例如P1）。

如图5B所示，蚀刻剂116可以随后得以在工件102分配达到对于第一位置（例如P1）所确定的各个蚀刻持续时间（例如a1），其中，可以通过多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3的线性组合的最小二乘拟合来确定各个蚀刻持续时间（例如a1）。如图5B所示，在蚀刻剂116分配在工件102之上的同时，工件102可以旋转（箭头406指示）。如上所述，第一位置（例如P1）可以是在分配蚀刻剂116的同时蚀刻剂分配器114可以位于中心的位置。相应地，在从蚀刻剂分配器114分配蚀刻剂116的同时，关于第一位置（例如P1）的移动（例如小偏离）可以是可能的。在另一示例中，第一位置（例如P1）可以是在分配蚀刻剂116的同时蚀刻剂分配器114可以固定的位置。

如图5C所示，对于多个位置P1、P2、P3中的每个位置经由蚀刻剂分配器114在工件102之上分配蚀刻剂116达到所确定的各个蚀刻持续时间（例如分别a1、a2、a3）可以包括：例如在用于第二位置（例如P2）的各个蚀刻持续时间（例如a2）确定为非零的示例中，随后（如箭头502指示）将蚀刻剂分配器114从多个位置P1、P2、P3中的第一位置（例如P1）移动到第二位置（例如P2）。

如图5D所示，对于多个位置P1、P2、P3中的每个位置经由蚀刻剂分配器114在工件102之上分配蚀刻剂116达到所确定的各个蚀刻持续时间（例如分别a1、a2、a3）可以包括：随后在工件102之上分配蚀刻剂116达到对于第二位置（例如P2）所确定的各个蚀刻持续时间（例如a2）。如图5D所示，在蚀刻剂116分配在工件102之上的同时，工件102可以旋转（箭头406指示）。如上所述，第二位置（例如P2）可以是在分配蚀刻剂116的同时蚀刻剂分配器114可以位于中心的位置。相应地，在从蚀刻剂分配器114分配蚀刻剂116的同时，关于第二位置（例如P2）的移动（例如小偏离）可以是可能的。在另一示例中，第二位置（例如P2）可以是在分配蚀刻剂116的同时蚀刻剂分配器114可以固定的位置。

在将蚀刻剂分配器114从多个位置P1、P2、P3中的第一位置（例如P1）移动到第二位置（例如P2）的同时，可以停止蚀刻剂116在工件102之上的分配。可以进一步注意，如方法300的308中所公开的经由蚀刻剂分配器116在工件102之上分配蚀刻剂116可以独立于蚀刻剂分配器114可以定位的多个位置P1、P2、P3的顺序。例如，第一位置可以是P3，并且第二位置可以是P1或P2。通过另一示例的方式，第一位置可以是P2，并且第二位置可以是P1或P3。在示例中，蚀刻剂分配器114可以定位的位置的顺序可以与可以将蚀刻剂分配器114从工件102的边沿移动到工件102的中心的顺序对应。在另一示例中，蚀刻剂分配器114可以定位的位置的顺序可以与可以将蚀刻剂分配器114从工件102的中心移动到工件102的边沿的顺序对应。

用于蚀刻工件102的方法300（例如，如图4A-1至图4E以及图5A至图5D所示）所提供的效果可以在蚀刻之前考虑并且补偿通过对工件所执行的工艺所贡献于工件102的总厚度变化。

用于蚀刻工件102的方法300（例如，在图4A-1至图4E以及图5A至图5D的示例中）所提供的效果可以是所蚀刻的工件102的总厚度变化的减少和最小化。

用于蚀刻工件102的方法300（例如，在图4A-1至图4E以及图5A至图5D所示的示例中）所提供的效果可以是：工件102的蚀刻可以基于恰在蚀刻之前工件102的厚度曲线和/或总厚度变化。

用于蚀刻工件102的方法300（例如，在图4A-1至图4E以及图5A至图5D所示的示例中）所提供的效果可以是：恰在蚀刻之前基于工件102的厚度曲线和/或总厚度变化从工件102去除材料（例如半导体材料）以使得所蚀刻的工件102的总厚度变化减少或最小化。

用于蚀刻工件102的方法300（例如，在图4A-1至图4E以及图5A至图5D的示例中）所提供的效果可以是工件102（例如晶片）的层（例如半导体材料层）的总厚度变化的减少。

用于蚀刻工件102的方法300（例如在图4A-1至图4E以及图5A至图5D的示例中）所提供的效果可以是提供可以具有可以至少基本上等于预定目标厚度的厚度的工件102。

图6示出工件102的第一厚度曲线602与工件102的第二厚度曲线604的比较。

图6所示的第一厚度曲线602和第二厚度曲线604是相对于它们各自的均值m1、m2而绘制的。

第一厚度曲线602可以包括或可以是（例如可以包括在蚀刻之前通过对工件102所执行的工艺所贡献于工件102的总厚度变化的）在蚀刻工件102之前工件102的厚度曲线。第二厚度曲线604可以包括或可以是在根据方法300蚀刻工件102之后工件102的厚度曲线。

如图6所示，在根据方法300的蚀刻之前的工件102的总厚度变化TTV1可以大于在根据方法300的蚀刻之后的工件102的总厚度变化TTV2。相应地，可以通过用于蚀刻工件102的方法300来实现工件的总厚度变化的明显减少。

例如，根据一个或更多个实施例，总厚度变化的减少可以等于或大于大约50%，例如等于或大于大约60%，例如等于或大于大约70%，例如等于或大于大约80%，例如等于或大于大约90%或甚至更大。

例如，根据一个或更多个实施例，在蚀刻之后的总厚度变化可以小于或等于大约2.5μm，例如小于或等于大约2.0μm，例如小于或等于大约1.5μm，例如小于或等于大约1.4μm，例如小于或等于大约1μm。

图7示出用于蚀刻工件的另一方法700。

方法700可以包括：确定所述工件的厚度曲线，所述工件具有总厚度变化（在702中）；将蚀刻剂分配器定位在所述工件之上的多个位置处（在704中）；确定用于所述多个位置中的每个位置的基准蚀刻曲线，所述用于各个位置的基准蚀刻曲线是当在所述蚀刻剂分配器定位在所述基准工件之上的所述各个位置处并且蚀刻剂经由所述蚀刻剂分配器而得以在所述基准工件之上分配的情况下从基准工件蚀刻材料时可以获得的蚀刻曲线（在706中）；基于所述工件的所确定的厚度曲线以及用于所述多个位置中的每个位置的所确定的基准蚀刻曲线来确定用于所述多个位置中的每个位置的蚀刻持续时间，所述用于各个位置的蚀刻持续时间是所述蚀刻剂经由位于所述各个位置处的所述蚀刻剂分配器而得以在所述工件之上分配的时间的持续时间，其中，当对于所述各个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配所述蚀刻剂达到所述各个蚀刻持续时间时，所述工件的所述总厚度变化减少（在708中）；以及对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配蚀刻剂到达所确定的蚀刻持续时间（在710中）。

如上所述，方法700可以包括：确定工件的厚度曲线，所述工件具有总厚度变化（在702中），其可以例如与图3所示的方法300的304中所公开的?“确定工件的厚度曲线?”相同。

如上所述，方法700可以包括：确定用于多个位置中的每个位置的基准蚀刻曲线，所述用于各个位置的蚀刻曲线是当在蚀刻剂分配器定位在基准工件之上的所述各个位置处并且蚀刻剂经由蚀刻剂分配器而得以在基准工件之上分配的情况下（在706中）从基准工件蚀刻材料时所获得的蚀刻曲线，其可以例如与图3所示的方法300的302中所公开的?“确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线，每个基准蚀刻曲线与蚀刻剂分配器的多个位置的各个位置对应?”相同。

如上所述，方法700可以包括：基于所述工件的所确定的厚度曲线以及用于所述多个位置中的每个位置的所确定的基准蚀刻曲线来确定用于所述多个位置中的每个位置的蚀刻持续时间，所述用于各个位置的蚀刻持续时间是所述蚀刻剂经由定位在所述各个位置处的所述蚀刻剂分配器而得以在所述工件上分配的时间的持续时间，其中，当对于所述各个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配所述蚀刻剂达到所述各个蚀刻持续时间时，工件的总厚度变化减少（在708中），其可以例如与图3所示的方法300的306中所公开的?“基于所确定的厚度曲线和所述多个基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的各个蚀刻持续时间，以减少所述工件的总厚度变化?”相同。

如上所述，方法700可以包括：将蚀刻剂分配器定位在所述工件之上的多个位置处（在704中），以及对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配所述蚀刻剂达到所确定的蚀刻持续时间（在710中），其可以例如与图3所示的方法300的308中所公开的?“对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配蚀刻剂达到所确定的各个蚀刻持续时间?”相同。

图8示出可以被配置为蚀刻工件的装置800。

与图4A至图4E以及图5A至图5D相同的图8中的参考标号表示与图4A至图4E以及图5A至图5D相同或相似的要素。因此，在此将不再详细描述这些要素；对以上的描述进行参照。

装置800可以例如用于蚀刻工件102（在上面关于图4A至图4E以及图5A至图5D而被描述）。

装置800可以包括蚀刻曲线确定设备802、厚度确定设备804和蚀刻持续时间确定设备806。

蚀刻曲线确定设备802、厚度确定设备804和蚀刻持续时间确定设备806中的至少一个可以包括电路或可以通过电路而得以实现。在此所使用的词语?“电路?”意味着实现实体的任何种类的逻辑，其可以是执行存储器中所存储的软件的专用目的电路或处理器、固件或其任何组合。因此，在一个或更多个示例中，?“电路?”可以是硬引线逻辑电路或可编程逻辑电路（例如可编程处理器（例如微处理器（例如复杂指令集计算机（CISC）处理器或精简指令集计算机（RISC）处理器）））。?“电路?”也可以是执行软件（例如任何种类的计算机程序（例如使用虚拟机代码（例如比如Java）的计算机程序））的处理器。不同的电路因此也可以通过相同组件（例如通过执行两种不同程序的处理器）而得以实现。

蚀刻曲线确定设备802可以被配置为：确定图4A至图4E所示的多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3。换句话说，蚀刻曲线确定设备802可以被配置为：确定用于蚀刻剂分配器114的多个位置P1、P2、P3的多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3，每个基准蚀刻曲线与蚀刻剂分配器114的多个位置P1、P2、P3中的各个位置对应。

厚度确定设备804可以被配置为：确定图4A至图4E所示的工件102的厚度曲线。

蚀刻持续时间确定设备806可以被配置为：基于所确定的厚度曲线以及基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3来确定用于蚀刻剂分配器114的多个位置P1、P2、P3中的每个位置的各个蚀刻持续时间（例如a1、a2、a3），以减少工件102的总厚度变化，如以上关于图3所描述的那样。

如以上关于方法300所描述的那样，蚀刻持续时间确定设备806可以被配置为：确定可以减少工件102的总厚度变化的多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3的线性组合，其中，各个蚀刻持续时间（例如分别a1、a2、a3）可以是与多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3的线性组合的各个基准蚀刻曲线（例如分别REP1、REP2、REP3）对应的各个系数。

如以上关于方法300所描述的那样，可以通过最小二乘拟合来确定可以减少工件102的总厚度变化的多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3的线性组合。相应地，蚀刻持续时间确定设备806可以被配置为：通过最小二乘拟合来确定可以减少工件102的总厚度变化的多个基准蚀刻曲线REP1、REP2、REP3的线性组合。

装置800可以还包括：蚀刻剂分配器114，其可以被配置为：对于多个位置P1、P2、P3中的每个位置经由蚀刻剂分配器114在工件102之上分配蚀刻剂116达到所确定的各个蚀刻持续时间（例如a1、a2、a3）。

装置800可以还包括：定位设备808，其可以被配置为：将蚀刻剂分配器114定位在工件102之上的多个位置P1、P2、P3处。例如，关于图5A至图5D，定位设备808可以将蚀刻剂分配器114定位在第一位置P1和第二位置P2处，并且可以进一步被配置为：将蚀刻剂分配器114从第一位置P1移动到第二位置P2。

图9示出存储程序902的非瞬态计算机可读介质900，程序902可以引起计算机执行根据图3所示的方法300和图7所示的方法700中的至少一个的用于蚀刻工件的方法。

可以作为图8所示的装置800的一部分或可以对其进行控制的计算机例如可以执行非瞬态计算机可读介质900。

根据在此所提出的各个示例，可以提供一种用于蚀刻工件的方法。所述方法可以包括：确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线，每个基准蚀刻曲线与所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置对应；确定所述工件的厚度曲线；基于所确定的厚度曲线和所述多个基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的各个蚀刻持续时间，以减少所述工件的总厚度变化；以及对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配蚀刻剂到达所确定的各个蚀刻持续时间。

所述工件可以包括或可以是晶片（例如半导体晶片，例如硅晶片）。

所述工件可以包括或可以是载体（例如玻璃载体）。

与所述各个位置对应的所述基准蚀刻曲线可以包括或可以是当在蚀刻剂分配器定位在基准工件之上的各个位置处并且蚀刻剂经由蚀刻剂分配器而得以在基准工件之上分配的情况下从基准工件蚀刻材料时可以获得的蚀刻曲线。

确定所述工件的所述厚度曲线可以包括：确定所述工件沿着穿过所述工件的中心的直线的厚度。

所述工件可以包括或可以是圆形工件，穿过所述工件的中心的所述直线可以是所述圆形工件的直径。

所述圆形工件可以包括或可以是至少基本上径向对称的圆形工件。

确定所述工件的所述厚度曲线可以包括无接触测量工艺和/或接触测量工艺中的至少一个。

所述无接触测量工艺可以包括或可以是红外线干涉测量工艺、电容测量工艺和电感测量工艺。

所述接触测量工艺可以包括或可以是机械钳测量工艺。

确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置的所述多个基准蚀刻曲线可以包括：a）确定基准工件的初始厚度曲线；b）在所述多个位置中的各个位置处在基准工件之上定位所述蚀刻剂分配器；c）经由所述蚀刻剂分配器在所述基准工件之上分配所述蚀刻剂达到预定基准蚀刻持续时间；d）随后确定所述基准工件的最终厚度曲线；e）从所确定的初始厚度曲线和所确定的最终厚度曲线来确定所述基准蚀刻曲线；以及f）对于所述多个位置中的每个位置执行a）-e）。

从所确定的初始厚度曲线和所确定的最终厚度曲线来确定所述基准蚀刻曲线可以包括：计算所述最终厚度曲线与所述初始厚度曲线之间的差。

所述方法可以还包括：在所述基准工件之上分配所述蚀刻剂的同时旋转所述基准工件。

所述工件和所述基准工件中的至少一个可以包括半导体材料或可以由半导体材料构成。

所述蚀刻剂分配器的所述多个位置在所述工件的表面上的投影可以跟踪穿过所述工件的中心并且被横向部署在所述工件的边界内的弧线。

在所述工件之上分配所述蚀刻剂可以包括：将所述蚀刻剂分配器移动到所述多个位置中的第一位置；随后在所述工件之上分配所述蚀刻剂达到对于所述第一位置所确定的各个蚀刻持续时间；随后将所述蚀刻剂分配器从所述第一位置移动到所述多个位置中的第二位置；并且随后在所述工件之上分配所述蚀刻剂达到对于所述第二位置所确定的各个蚀刻持续时间，其中，在所述蚀刻剂分配器从所述多个位置中的所述第一位置移动到所述第二位置的同时，可以停止在所述工件之上分配所述蚀刻剂。

所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置可以位于在所述工件的表面之上的各个高度处，其中，与所述多个位置中的所述各个位置对应的所述各个高度可以至少基本上相等。

基于所确定的厚度曲线和基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的所述各个蚀刻持续时间可以包括：确定可以减少所述工件的所述总厚度变化的所述多个基准蚀刻曲线的线性组合，所述各个蚀刻持续时间是与所述多个基准蚀刻曲线的所述线性组合的各个基准蚀刻曲线对应的各个系数。

确定可以减少所述工件的所述总厚度变化的所述多个基准蚀刻曲线的所述线性组合可以包括：最小二乘拟合。

所述方法可以还包括：在所述工件之上分配所述蚀刻剂的同时旋转所述工件。

根据在此所提出的各个示例，可以提供一种用于蚀刻工件的方法。所述方法可以包括：确定所述工件的厚度曲线，所述工件具有总厚度变化；将蚀刻剂分配器定位在所述工件之上的多个位置处；确定用于所述多个位置中的每个位置的基准蚀刻曲线，所述用于各个位置的基准蚀刻曲线是当在所述蚀刻剂分配器定位在所述基准工件之上的所述各个位置处并且蚀刻剂经由所述蚀刻剂分配器而得以在所述基准工件之上分配的情况下从基准工件蚀刻材料时可以获得的蚀刻曲线；基于所述工件的所确定的厚度曲线以及用于所述多个位置中的每个位置的所确定的基准蚀刻曲线来确定用于所述多个位置中的每个位置的蚀刻持续时间，所述用于各个位置的蚀刻持续时间是所述蚀刻剂经由位于所述各个位置处的所述蚀刻剂分配器而得以在所述工件之上分配的时间的持续时间，其中，当对于所述各个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配所述蚀刻剂达到所述各个蚀刻持续时间时，所述工件的所述总厚度变化可以减少；以及对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配所述蚀刻剂到达所确定的蚀刻持续时间。

所述蚀刻剂分配器的所述多个位置在所述工件的表面上的投影可以跟踪穿过所述工件的中心并且被横向部署在所述工件的边界内的弧线。

所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置可以位于在所述工件的表面之上的各个高度处，与所述多个位置中的所述各个位置对应的所述各个高度至少基本上相等。

基于所述工件的所述厚度曲线以及用于所述多个位置中的每个位置的基准蚀刻曲线来确定用于所述多个位置中的每个位置的蚀刻持续时间可以包括：确定可以减少所述工件的所述总厚度变化的所述多个位置的所述基准蚀刻曲线的线性组合，用于所述多个位置中的每个位置的蚀刻持续时间是与所述多个位置的所述基准蚀刻曲线中的各个基准蚀刻曲线对应的各个系数。

确定所减少所述工件的所述总厚度变化的所述多个位置的所述基准蚀刻曲线的线性组合可以包括：最小二乘拟合。

根据在此所提出的各个示例，可以提供一种被配置为蚀刻工件的装置。所述装置可以包括：蚀刻曲线确定设备，被配置为：确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线，每个基准蚀刻曲线与所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置对应；厚度确定设备，被配置为：确定所述工件的厚度曲线；以及蚀刻持续时间确定设备，被配置为：基于所确定的厚度曲线和所述基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的各个蚀刻持续时间，以减少所述工件的总厚度变化。

所述装置可以还包括：蚀刻剂分配器，所述蚀刻剂分配器被配置为：对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配蚀刻剂达到所确定的各个蚀刻持续时间。

所述装置可以还包括：定位设备，被配置为：将所述蚀刻剂分配器定位在所述工件之上的所述多个位置处。

所述蚀刻持续时间确定设备可以被配置为：确定减少所述工件的所述总厚度变化的所述多个基准蚀刻曲线的线性组合，所述各个蚀刻持续时间是与所述多个基准蚀刻曲线的所述线性组合的各个基准蚀刻曲线对应的各个系数。

所述蚀刻持续时间确定设备可以被配置为：通过最小二乘拟合来确定可以减少所述工件的所述总厚度变化的所述多个基准蚀刻曲线的线性组合。

根据在此所提出的各种示例，可以提供一种非瞬态计算机可读介质，其存储程序，所述程序引起计算机执行用于蚀刻工件的方法。所述方法可以包括：确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线，每个基准蚀刻曲线与所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置对应；确定所述工件的厚度曲线；基于所确定的厚度曲线和所述基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的各个蚀刻持续时间，以减少所述工件的总厚度变化；以及对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配蚀刻剂到达所确定的各个蚀刻持续时间。

于在此所描述的方法、装置或非瞬态计算机可读介质的情况下所描述的各种示例和方面可以类似地对于在此所描述的其它方法、装置或非瞬态计算机可读介质是有效的。

图10示出流程图1000，流程图1000示出用于蚀刻工件的方法的示例。

如图10所示，流程图1000可以包括：工件调节工艺（在1002中）。工件调节工艺（在1002中）可以包括蚀刻工艺（例如旋转蚀刻工艺，如在1002中所指示的那样），其可以至少基本上平滑掉可以例如作为对工件所执行的研磨工艺的结果的工件的粗糙表面。

如图10所示，流程图1000可以包括：例如随后于调节工件（在1002中），测量工件的厚度（在1004中）。测量工件的厚度（在1004中）可以例如包括或可以是例如如上所述而确定工件的厚度曲线。可以例如通过图8所示的厚度确定设备804来确定工件的厚度（例如厚度曲线）。作为示例，厚度确定设备804可以是（在1004中，指示为?“ISIS厚度测量?”的）ISIS Sentronics所制造的设备。

如图10所示，流程图1000可以包括：数学处理（在1006中）。数学处理（在1006中）可以包括：基于工件的所确定的厚度曲线（在1004中）和（例如通过图8的装置800中所示的蚀刻曲线确定设备802所确定的）多个基准蚀刻曲线来确定用于蚀刻剂分配器（例如动臂）的多个位置中的每个位置的各个蚀刻持续时间。数学处理（在1006中）可以应用于减少工件的总厚度变化。可以通过图8的装置800中示出的蚀刻持续时间确定设备806来执行数学处理（在1006中）。

如图10所示，数学处理（在1006中）可以包括：将数据发送到主机（在1006a中），主机可以例如是蚀刻持续时间确定设备806的至少一部分。数学处理（在1006中）可以包括：计算用于动臂位置的蚀刻时间（在1006b中）。如上所述，可以通过可以减少工件的总厚度变化的最小二乘拟合来计算所述蚀刻时间。数学处理1006可以包括：操控用于每个工件的标准蚀刻工艺（在1006c中）。标准蚀刻工艺在1006c中还指示为?“标准配方?”，而每个工件在1006c中还指示为?“每个槽?”。数学处理（在1006中）可以包括：例如以槽式方式将配方（在1006d中）发送到（在1006d中指示为词语?“工具?”的）蚀刻剂分配器。

如图10所示，流程图1000可以包括自适应旋转蚀刻（在1008中），其可以例如根据所计算的用于动臂位置的蚀刻时间（在1006b中）来蚀刻工件。如图10所示，流程图1000可以包括第二厚度测量（在1010中），其可以确定蚀刻的工件的厚度曲线。作为示例，厚度确定设备804可以确定第二厚度测量（在1010中），厚度确定设备804可以是（在1010中如?“ISIS厚度测量?”所指示的）ISIS Sentronics所制造的设备。第二厚度测量（在1010中）可以例如验证上述方法和/或工艺的成功。例如，第二厚度测量（在1010中）可以提供在自适应旋转蚀刻（在1008中）之后工件的总厚度变化。这可以允许在自适应旋转蚀刻（在1008中）之前（例如在1004中）与之后（例如在1010中）的工件的总厚度变化的比较。

虽然已经参照本公开这些方面特定地示出并且描述了各种方面，但本领域技术人员应理解，在不脱离所附权利要求所限定的本公开的精神和范围的情况下，可以对其作出形式和细节方面的各种改变。本公开的范围因此由所附权利要求指示，并且因此意图囊括落入到权利要求的等同物的意义和范围内的所有改变。