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液滴喷射装置和用于制造液滴喷射装置的方法

摘要

本发明涉及液滴喷射装置和用于制造液滴喷射装置的方法,液滴喷射装置包括:形成有喷嘴的喷嘴板;堆叠在喷嘴板上且形成有包括与喷嘴连通的压力腔室的液体流动通道的第一流动通道形成体;被布置在第一流动通道形成体的与喷嘴板相反的一侧上的表面上且被构造成对压力腔室中的液体施加压力的压电元件;和被布置在相对于第一流动通道形成体而言与喷嘴板相反的所述一侧上从而不阻止压电元件的驱动的第二流动通道形成体。第二流动通道形成体形成有液体存储腔室和被构造成限制从液体存储腔室流动到压力腔室中的液体量的节流流动通道。

著录项

  • 公开/公告号CN104512114A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-04-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 兄弟工业株式会社;

    申请/专利号CN201410460629.4

  • 发明设计人 垣内徹;伊藤敦;

    申请日2014-09-11

  • 分类号B41J2/045(20060101);B41J2/16(20060101);

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人黄刚;车文

  • 地址 日本爱知县名古屋市

  • 入库时间 2023-12-17 03:22:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-17

    授权

    授权

  • 2015-05-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):B41J2/045 申请日:20140911

    实质审查的生效

  • 2015-04-15

    公开

    公开

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年9月30日提交的日本专利申请号2013-203439 的优先权,其公开的全部内容通过参考在此并入。

技术领域

本发明涉及一种被构造成从喷嘴喷射液滴的液滴喷射装置和用于 制造该液滴喷射装置的方法。

背景技术

在日本专利号3422364中描述的喷墨型记录头中,流动通道形成 基板设有与喷嘴连通的压力腔室、用于将墨供应到压力腔室同时限制 流入到压力腔室的墨量的供墨通道和用于连通供墨通道与储存器部的 连通部。在日本专利号3422364中公开的喷墨型记录头中,压力腔室 和供墨通道被布置在与流动通道形成基板的平面方向平行的一个方向 上。

发明内容

如上所述,在日本专利号3422364的喷墨型记录头中,由于压力 腔室和供墨通道被布置在与流动通道形成基板的平面方向平行的一个 方向上,因此担心喷墨型记录头在所述一个方向上的尺寸增长。

本教导的目的是提供一种液滴喷射装置和用于制造该液体喷射装 置的方法,其能够抑制流动通道形成体在与流动通道形成体的平面方 向平行的方向上的尺寸增长,在流动通道形成体中形成包括压力腔室 的液体流动通道。

根据本教导的第一方面,提供一种液滴喷射装置,包括:形成有 喷嘴的喷嘴板;第一流动通道形成体,所述第一流动通道形成体被堆 叠在所述喷嘴板上,所述第一流动通道形成体形成有液体流动通道, 所述液体流动通道包括被构造成与所述喷嘴连通的压力腔室;压电元 件,所述压电元件被布置在所述第一流动通道形成体的在与所述喷嘴 板相反的一侧上的表面上,并且所述压电元件被构造成对所述压力腔 室中的液体施加压力;和第二流动通道形成体,所述第二流动通道形 成体被布置在相对于所述第一流动通道形成体而言与所述喷嘴板相反 的所述一侧上,从而不阻止所述压电元件的驱动,其中所述第二流动 通道形成体形成有液体存储腔室和节流流动通道,所述液体存储腔室 被构造成存储所述液体,所述节流流动通道被布置在所述压力腔室和 所述液体存储腔室之间,并且所述节流流动通道被构造成连接所述压 力腔室和所述液体存储腔室并限制从所述液体存储腔室流动到所述压 力腔室中的液体量,就与所述第一流动通道形成体的预定平面方向垂 直的方向而言,所述喷嘴、所述压力腔室、所述节流流动通道和所述 液体存储腔室依次布置,并且

当从与所述第一流动通道形成体的所述预定平面方向垂直的方向 看时,所述节流流动通道与所述压力腔室重叠。

根据本教导的第二方面,提供一种用于制造液滴喷射装置的方法, 所述液滴喷射装置包括:形成有喷嘴的喷嘴板;第一流动通道形成体, 所述第一流动通道形成体被堆叠在所述喷嘴板上,并且所述第一流动 通道形成体形成有液体流动通道,所述液体流动通道包括被构造成与 所述喷嘴连通的压力腔室;压电元件,所述压电元件被布置在所述第 一流动通道形成体的在与所述喷嘴板相反的一侧上的表面上,并且所 述压电元件被构造成对所述压力腔室中的液体施加压力;和第二流动 通道形成体,所述第二流动通道形成体被布置在相对于所述第一流动 通道形成体而言与所述喷嘴板相反的所述一侧上,其中所述第二流动 通道形成体包括:树脂层,所述树脂层被布置在相对于所述第一流动 通道形成体而言与所述喷嘴板相反的所述一侧上,并且所述树脂层形 成有被构造成与所述压力腔室连通的节流流动通道;和存储腔室形成 构件,所述存储腔室形成构件被布置在所述树脂层的在与所述第一流 动通道形成体相反的一侧上的表面上,并且所述存储腔室形成构件形 成有被构造成与所述节流流动通道连通的液体存储腔室,所述方法包 括:压电元件形成步骤,用于在将作为所述第一流动通道形成体的基 板上形成所述压电元件;抗蚀剂层形成步骤,用于在形成有所述压电 元件的所述基板上形成抗蚀剂层,所述抗蚀剂层包含感光树脂材料, 并且所述抗蚀剂层将作为所述树脂层;曝光步骤,用于通过用光线照 射所述抗蚀剂层的一部分而在所述抗蚀剂层中形成用所述光线照射的 照射部和未用所述光线照射的非照射部;和去除步骤,用于去除所述 照射部和所述非照射部中的一个,其中在所述曝光步骤中,所述照射 部和所述非照射部中的所述一个被形成在所述抗蚀剂层的形成所述节 流流动通道的第一部分处,并且所述照射部和所述非照射部中的另一 个被形成在所述抗蚀剂层的除了所述第一部分之外的第二部分处,并 且其中在所述去除步骤中,通过从所述抗蚀剂层去除所述照射部和所 述非照射部中的所述一个而在所述抗蚀剂层中形成所述节流流动通 道。

在根据本教导第一方面的液滴喷射装置中,节流流动通道被布置 成当从与第一流动通道形成体的预定平面方向垂直的方向看时与压力 腔室重叠。因此,与压力腔室和节流流动通道沿第一流动通道形成体 的预定平面方向布置的情况相比,能够减少第一流动通道形成体在预 定平面方向上的长度。由此,能够抑制液滴喷射装置在第一流动通道 形成体的预定平面方向上的尺寸增长。

此外,在根据本教导第二方面用于制造液滴喷射装置的方法中, 通过形成包含感光树脂的抗蚀剂层、在抗蚀剂层的形成节流流动通道 的第一部分形成用光线照射的照射部和未用光线照射的非照射部中的 所述一个、然后从抗蚀剂层去除照射部和非照射部中的所述一个而在 抗蚀剂层中形成节流流动通道。由此,与形成有节流流动通道的构件 被接合到基板的情况等相比,能够提高节流流动通道相对于压力腔室 的定位精度。

附图说明

图1是根据本教导的实施例的打印机的示意构造图。

图2是图1的打印机的喷墨头的平面图。

图3是与图2对应的从其去除了存储腔室形成体的图。

图4是与图3对应的从其去除了树脂层的图。

图5是沿图2-4的线V-V截取的剖面图。

图6是图5的部分放大图。

图7是示出制造喷墨头的过程的流程图。

图8A示出薄膜堆叠体被形成在硅基板上的状态,图8B示出抗蚀 剂层被形成在基板上的状态,图8C示出曝光抗蚀剂层的状态,并且图 8D示出抗蚀剂层的照射部已被去除的状态。

图9A示出下构件被接合到树脂层的状态,图9B示出压力腔室被 形成在硅基板中的状态,图9C示出喷嘴板已被接合到硅基板的状态, 并且图9D示出中间构件和上构件已被接合到下构件的状态。

图10是根据第一变型与图5对应的图。

图11是根据第一变型与图7对应的流程图。

图12A示出已在第一变型中形成第一抗蚀剂层的状态,图12B示 出已在第一变型中形成第二抗蚀剂层的状态,图12C示出在第一变型 中第一和第二抗蚀剂层被曝光的状态,并且图12D示出在第一变型中 第一和第二抗蚀剂层的照射部已被去除的状态。

图13A示出根据第二变型下构件被接合到树脂层的状态,并且图 13B示出在第二变型中硅基板已被研磨的状态。

具体实施方式

下文中,将阐述本教导的优选实施例。

如图1所示,根据本实施例的打印机1包括滑架2、喷墨头3、输 送辊4等。

滑架2由在扫描方向上延伸的两个导轨5支撑以沿导轨5在扫描 方向上往复移动。此外,以下说明将以扫描方向的左侧和右侧如图1 所示限定的方式进行。喷墨头3被安装在滑架2上以从形成在其下表 面中的多个喷嘴30喷射墨滴。输送辊4被布置在滑架2的在与扫描方 向垂直的输送方向上的两侧,且在输送方向上输送多片记录纸P。

在通过输送辊4在输送方向上输送记录纸P的同时,打印机1通 过从与滑架2一起在扫描方向上移动的喷墨头3喷射墨滴而在记录纸P 上执行打印。

接下来,将说明喷墨头3。如图2至图6所示,喷墨头3包括喷 嘴板11、流动通道形成基板12、薄膜堆叠体13、树脂层14和储存器 单元15。图2仅示出在一体形成的流动通道中的前面提到的墨存储腔 室37。图3仅示出在一体形成的流动通道中的前述连接流动通道32。 在图3中,树脂层14被以阴影线示出。在图4中,前述墨存储腔室37 和节流流动通道33由双点链线示出用于容易图示出位置关系。

喷嘴板11由例如聚酰亚胺等的合成树脂材料制成。喷嘴板11形 成有多个喷嘴30。多个喷嘴30被在输送方向上排列以形成喷嘴列9。 喷嘴板11形成有在扫描方向上布置的两个喷嘴列9。

流动通道形成基板12由硅制成。在流动通道形成基板12中形成 与多个喷嘴30对应的多个压力腔室31。压力腔室31中的每一个具有 在扫描方向上伸长的大致矩形的平面形状,且具有相对于扫描方向和 输送方向而言的恒定高度。此外,多个压力腔室31被在输送方向上排 列以与两个喷嘴列9对应。然后,形成右侧喷嘴列9的多个喷嘴30在 平面图中与对应压力腔室31的右端部重叠。此外,形成左侧喷嘴列9 的多个喷嘴30在平面图中与对应压力腔室31的左端部重叠。

在该实施例中,由于与压力腔室31中的每一个在平面图中具有方 形形状的情况相比,压力腔室31中的每一个具有在扫描方向上伸长的 形状,因此能够以高密度在输送方向上布置多个压力腔室31和与多个 压力腔室31连通的多个喷嘴30。

薄膜堆叠体13包括墨分离层21、公共电极22、压电层23、多个 单独电极24、保护层25和26、多根导线27和其它保护层28。

墨分离层21由二氧化硅(SiO2)等形成且在流动通道形成基板12的 上表面12a的整个区域上延伸。此外,通孔21a被形成在墨分离层21 的在平面图中与压力腔室31的在扫描方向上与喷嘴30相反的一侧上 的端部重叠的部分。

公共电极22由金属材料形成,且被形成在墨分离层21的上表面 上。公共电极22连续延伸越过多个压力腔室31。此外,公共电极22 恒定保持在地电位。

压电层23由主要由锆钛酸铅构成的压电材料制成,且被布置在形 成在墨分离层21的上表面的公共电极22的上表面上,锆钛酸铅是钛 酸铅和锆酸铅的混合晶体。此外,压电层23连续延伸越过与相应喷嘴 列9对应的多个压力腔室31。压电层23预先在其厚度方向上(例如图6 中向下)极化。

多个单独电极24中的每一个具有在扫描方向上伸长的大致矩形 的平面形状,且被形成在压电层23的上表面上的在平面图中与压力腔 室31之一重叠的部分中。

保护层25由氧化铝(Al2O3)、氮化硅等形成。保护层25被形成在 墨分离层21的形成有公共电极22、压电层23和多个单独电极24的上 表面上从而覆盖公共电极22、压电层23和多个单独电极24。通孔25a 被形成在保护层25的在平面图与通孔21a之一重叠的每个部分中。通 孔25b被形成在保护层25的在平面图中与包括压力腔室31之一的中 央部分的大部重叠的每个部分中。通孔25c被形成在保护层25的在平 面图中与单独电极24之一的在扫描方向上的喷嘴30侧的端部重叠的 每个部分中。

保护层26由二氧化硅等形成。保护层26被形成在保护层25的上 表面上以与保护层25一起覆盖公共电极22、压电层23和多个单独电 极24。通孔26a被形成在保护层26的在平面图与通孔25a之一重叠的 每个部分中。通孔26b被形成在保护层26的在平面图中与通孔25b之 一重叠的每个部分中。通孔26c被形成在保护层26的在平面图中与通 孔25c之一重叠的每个部分中。由此,多个单独电极24分别从通孔25b、 26b和从通孔25c、26c露出。此外,代替两个保护层25、26,还能够 提供由二氧化硅形成的一个保护层。

多根导线27被形成在保护层26的上表面上。多根导线27被设置 成与多个单独电极24对应且在从通孔25c、26c露出的部分处分别连接 到对应的单独电极24。在平面图中多根导线27从喷嘴30延伸离开, 从与单独电极24连接的部分直到流动通道形成基板12在扫描方向上 的端部。导线27的在与和单独电极24连接的部分相反的一侧上的端 部用作连接端子27a。连接端子27a经由未示出的导线构件与未示出的 驱动器IC连接。由此,驱动器IC能够单独地对单独电极24选择性地 施加预定驱动电位或地电位。

保护层28被形成在保护层26的形成有多根导线27的上表面上以 覆盖多根导线27。通孔28a被形成在保护层28的在平面图中与通孔 26a之一重叠的每个部分中。此外,通孔28b被形成在保护层28的在 平面图中与通孔26b之一重叠的每个部分中。

所有构成薄膜堆叠体13的墨分离层21、公共电极22、多个压电 层23、多个单独电极24、保护层25、26、多根导线27和保护层28的 每一个的厚度大约是1至3μm。此外,在该实施例中,因为通孔21a、 25a、26a和28a彼此竖直重叠,分别连接到压力腔室31的连接流动通 道32被形成为在竖直方向上穿透薄膜堆叠体13。此外,在薄膜堆叠体 13中,在平面图中与压力腔室31之一重叠的墨分离层21、公共电极 22、压电层23和单独电极24的每个部分用作压电元件19。

这里,将说明压电元件19的操作。在压电元件19中,单独电极 24以与公共电极22同样的方式预先保持在地电位。如果单独电极24 的电位由于单独电极24和公共电极22之间的电位差从地电位切换到 前述驱动电位,在压电层23的夹在单独电极24和公共电极22之间的 每一个部分中产生沿着厚度方向(图6中向下)的电场。由于该电场的方 向平行于压电层23的前述极化方向,压电层23的上述部分在极化方 向上皱缩,与之一起,压电层23和墨分离层21在这些部分中作为整 体变形以朝压力腔室31突出。由此,压力腔室31容积减少以对压力 腔室31内部的墨产生增加的压力,从而从与压力腔室31连通的喷嘴 30喷射墨滴。

树脂层14是由例如环氧树脂等的合成树脂材料制成的构件,且具 有大约30至50μm的厚度。树脂层14被布置在保护层28的除了扫描 方向上的两端部之外的区域的上表面上。

此外,节流流动通道33被形成为在树脂层14的在平面图中与连 接流动通道32之一重叠的每个部分中竖直穿透树脂层14而不相对于 扫描方向和输送方向弯曲。换言之,当从与流动通道形成基板12的表 面垂直的方向看时,节流流动通道33分别与连接流动通道32重叠。 由此,当从流动通道形成基板12的表面垂直的方向看时,节流流动通 道33中的每一个与压力腔室31之一的在扫描方向上与喷嘴30相反的 一侧上的端部重叠。在从前述墨存储腔室37到压力腔室31之一的每 个墨流动通道中节流流动通道33具有最大流动阻力,且节流流动通道 33被构造成限制从墨存储腔室37流动到压力腔室31中的一个的墨量。

此外,在该实施例中,由于节流流动通道33的每一个在平面图中 与压力腔室31之一重叠,与节流流动通道33被形成在流动通道形成 基板12中且压力腔室31和节流流动通道33被布置在扫描方向上的情 况相比,能够减少流动通道形成基板12在扫描方向上的长度。由此, 能够抑制喷墨头3在扫描方向上的尺寸增长。

如果如上所述压力腔室31的每一个在平面图中具有在扫描方向 上伸长的形状,流动通道形成基板12可能在扫描方向上长,因而喷墨 头3可能在扫描方向上尺寸增长。因此,在该实施例中,通过如上所 述布置节流流动通道33的每一个在平面图中与压力腔室31之一在长 度方向上的端部重叠,对于抑制喷墨头3在扫描方向上尺寸增长来说 具有重要意义。

这里,如果节流流动通道33的每一个与压力腔室33之一在长度 方向上的端部重叠,则压电元件19的每一个不可能延伸直到在平面图 中与压力腔室31之一在长度方向上的端部重叠的位置。然而,如果压 力腔室31的每一个在平面图中具有在一个方向伸长的形状,在压力元 件19的每一个延伸直到在平面图中与压力腔室31之一在长度方向上 的端部重叠的位置的情况与压力元件19的每一个不延伸直到在平面图 中与压力腔室31之一在长度方向上的端部重叠的位置的情况之间,当 压电元件19被驱动时,在压电层23和墨分离层21的变形的程度上改 变很小。

此外,当从与流动通道形成基板12的表面垂直的方向看时,节流 流动通道33的每一个具有比对应连接流动通道32小的横截面积。节 流流动通道33的每一个的直径比对应连接流动通道32的略小。例如, 连接流动通道32的每一个的直径是大约32μm,而节流流动通道33的 每一个的直径是30μm。此外,节流流动通道33的每一个在平面图中 与对应连接流动通道32完全重叠。换言之,当从与流动通道形成基板 12的表面垂直的方向看时,节流流动通道33的每一个的整个横截面与 连接流动通道32之一的横截面重叠。由此,树脂层14完全覆盖薄膜 堆叠体13的连接流动通道32的每一个的内壁。因此,能够防止构成 薄膜堆叠体13的墨分离层21和保护层25、26、28的损坏。如果墨分 离层21和保护层25、26、28被损坏,它们的碎裂块作为异物朝压力 腔室31流动且引起一些问题。在该实施例中,由于连接流动通道32 的每一个的内壁在平面图中不与节流流动通道33之一重叠,从节流流 动通道33的每一个朝压力腔室31之一的墨流动不被连接流动通道33 的每一个的内壁阻碍,且墨平滑地从节流流动通道33的每一个流动到 压力腔室31的每一个。

通孔34被形成在树脂层14的在平面图中与压电元件19之一重叠 的每个部分中。然后,前述多根导线27的每一个在平面图中从与单独 电极24之一连接且与通孔34之一重叠的部分经由与树脂层14的不形 成通孔34的部分重叠的部分延伸直到不与树脂层14重叠的连接端子 27a之一。

储存器单元15包括下构件41、中间构件42和上构件43。下构件 41是由金属材料、硅等制成的板状构件,且被布置在树脂层14的上表 面上。直径大于节流流动通道33的每一个的通孔35被形成在下构件 41的在平面图中与节流流动通道33之一重叠的每个部分中。通过以这 种方式布置下构件41,压电元件19被树脂层14的通孔34的内壁和下 构件41覆盖。

中间构件42是由与下构件41相同材料制成的另一板状构件,且 被布置在下构件41的上表面上。通孔36被形成在中间构件42的几乎 整个区域上。在该实施例中,由通孔35和通孔36形成的空间用作用 于存储墨的墨存储腔室37。

上构件43是由与下构件41和中间构件42相同材料制成的又另一 板状构件,且被布置在中间构件42的上表面上。墨供应流动通道38 被设置在上构件43的大致中央部分以穿透上构件43。由此,墨供应流 动通道38的下端连接到墨存储腔室37。墨供应流动通道38的上端经 由未示出的管等连接到未示出的墨盒。由此,存储在墨盒中的墨经由 墨供应流动通道38供应到墨存储腔室37。

在该实施例中,喷嘴30、压力腔室31、节流流动通道33和墨存 储腔室37具有如上所述的位置关系,且喷嘴30、压力腔室31、节流 流动通道33和墨存储腔室37从下方依次竖直布置。此外,在该实施 例中,通孔34被形成在树脂层14中,且储存器单元15被布置成不阻 碍压电元件19的驱动。

接下来,使用图7的流程图,将说明制造喷墨头3的方法。为了 制造喷墨头3,如图8A所示,包括压电元件19的薄膜堆叠体13被首 先形成在硅基板112的上表面112a上,该硅基板稍后将形成流动通道 形成基板12(步骤S101)。硅基板112具有与压力腔室31的高度对应的 厚度。在以下说明中,如短语“步骤S101”将简单地表述为“S101”, 依此类推。此外,在图8A至8D和图9A至9D中,为了清楚地看图, 薄膜堆叠体13的每一层被示出为比图5和图6中的厚。

因为本文使用了用于形成薄膜堆叠体13的相同传统方法,因此将 省略详细描述。为了简要说明,通过顺序形成薄膜堆叠体13的每一层 的膜和然后在适当的时刻通过蚀刻等去除形成的膜的不需要的部分, 根据公知的膜形成方法例如溶胶-凝胶法、溅射法等形成薄膜堆叠体 13。

接下来,根据例如旋涂法等的膜形成方法,包含感光树脂的液体 抗蚀剂被施加到形成有薄膜堆叠体13的硅基板112(S102)。然后,施 加的抗蚀剂被干燥(S103)。由此,如图8B所示,抗蚀剂层114被形成 在形成有薄膜堆叠体13的硅基板112上。

接下来,抗蚀剂层114被曝光(S104)。为了更详细说明,如图8C 所示,光掩模M被布置在抗蚀剂层114上方。光掩模M具有遮光部 Ma,这些遮光部Ma用于对抗蚀剂层114的将形成节流流动通道33和 通孔34的部分遮蔽任何光线。然后,紫外线U从光掩模M上方朝抗 蚀剂层114照射。由此,抗蚀剂层114的在平面图中不与遮光部Ma重 叠的部分被形成为用紫外线照射的照射部A1。此外,抗蚀剂层114的 在平面图中与遮光部Ma重叠的部分被形成为没用紫外线照射的非照 射部A2。这里,形成抗蚀剂层114的抗蚀剂被称为负抗蚀剂。因此, 在通过曝光形成在抗蚀剂层114中的照射部A1和非照射部A2之间, 仅非照射部A2可被用例如碱性水溶液、有机溶剂等的显影剂去除。在 这种情况下,当在上述步骤S104中抗蚀剂层114被紫外线U照射时照 射部A1被硬化。

接下来,如图8D所示,显影剂用于去除抗蚀剂层114的非照射部 A2(S105)。由此,抗蚀剂层114成为形成有节流流动通道33和通孔34 的树脂层14。

以这种方式,在该实施例中,抗蚀剂层114被形成在形成有薄膜 堆叠体13的硅基板112上,并且通过用光线照射抗蚀剂层114形成照 射部A1和非照射部A2。然后,通过用显影剂去除非照射部A2而形成 形成有节流流动通道33的树脂层14。因此,与预先形成有节流流动通 道33的构件接合到形成有薄膜堆叠体等13的硅基板112的顶部情况 等相比,能够提高节流流动通道33相对于压力腔室31的定位的准确 性。

在该实施例中,由于薄膜堆叠体13包括多根导线27,在薄膜堆 叠体13的上表面的在平面图中与多根导线27重叠的部分中形成与导 线27的每一个大约同样厚度的凹部和凸部。另一方面,多根导线27 在平面图中与树脂层14的不形成有节流流动通道33和通孔34的部分 重叠。在该实施例中,通过对形成有薄膜堆叠体13的硅基板112施加 包含感光树脂的液体抗蚀剂且干燥抗蚀剂而形成抗蚀剂层114。因此, 当施加液体抗蚀剂时,液体抗蚀剂沿薄膜堆叠体13的上表面的凹部和 凸部流动使得不在抵抗剂层114和薄膜堆叠体13之间形成间隙。因此, 能够防止墨从薄膜堆叠体13和树脂层14之间泄漏。

同时,抵抗剂层114的下表面具有与薄膜堆叠体13的上表面的凹 部和凸部对应的凸部和凹部。在该实施例中,如上所述,树脂层14以 及将形成树脂层14的抵抗剂层114是每一根导线27的十倍或更多的 厚度。因此,树脂层14的上表面是没有凹部和凸部的平表面。

接下来,如图9A所示,预制的下构件41用粘结剂等被接合到树 脂层14的上表面(S106)。然后,通过研磨硅基板112的上表面而调整 硅基板112的厚度,如图9B所示,压力腔室31通过蚀刻等被形成在 硅基板112中(S107)。通过该步骤,硅基板112成为形成有压力腔室31 的流动通道形成基板12。然后,如图9C所示,预制的喷嘴板11被接 合到流动通道形成基板12的下表面(S108)。然后,如图9D所示,预 制的中间构件42被接合到下构件41的上表面,此外,预制的上构件 43被接合到中间构件42的上表面(S109)。

在该实施例中,通过如步骤S106至S109将构件41至43顺序接 合到树脂层14的上表面,能够容易形成形成有比节流流动通道33大 容积的墨存储腔室37的储墨器单元15。由于节流流动通道33用于调 整墨流入压力腔室31中的量,它们需要具有相对于压力腔室31相当 高的定位精度。另一方面,由于提供墨存储腔室37以临时存储用于供 应压力腔室31的墨,不需要具有与节流流动通道33同样高的定位精 度。因此,即使当接合构件41至43时即使发生一点位置偏离,也没 有问题。

如上所述,在该实施例中,由于树脂层14的上表面是没有凹部和 凸部的平表面,当下构件41被接合到树脂层14的上表面时,能够防 止在树脂层14和下构件41之间形成任何间隙。

以该方式,通过上述步骤S101至S109制造喷墨头3。

在该实施例中,喷墨头3对应于本教导的液滴喷射装置。流动通 道形成基板12对应于本教导的第一流动通道形成体,而沿着流动通道 形成基板12的表面的方向对应于本教导的预定平面方向。其所有构成 薄膜堆叠体13的墨分离层21、公共电极22、压电层23、单独电极24、 保护层25、26、导线27和保护层28对应于本教导的多个层。墨存储 腔室37对应于本教导的液体存储腔室。储存器单元15对应于本教导 的存储腔室形成构件,下构件41对应于本教导的第一存储腔室形成构 件,并且中间构件42和上构件43对应于本教导的第二存储腔室形成 构件。树脂层14和储存器单元15的组合对应于本教导的第二流动通 道形成体。此外,扫描方向对应于本教导的预定一个方向。

在该实施例中,步骤S101对应于本教导的压电元件形成步骤。步 骤S102和S103的组合对应于本教导的抗蚀剂层形成步骤。步骤S104 对应于本教导的曝光步骤。步骤S105对应于本教导的去除步骤。步骤 S106对应于本教导的第一存储腔室形成构件接合步骤,步骤S109对应 于本教导的第二存储腔室形成构件接合步骤,并且这两个步骤的组合 对应于本教导的存储腔室形成构件接合步骤。此外,非照射部A2对应 于本教导的一个部分,而照射部A1对应于本教导的另一个部分。

接下来,将说明对以上实施例进行各种改变的两个变型。

在以上实施例中,树脂层14由一个硬化的抗蚀剂层形成。然而, 不限于此,在如图10所示的一个变型(第一变型)中,树脂层14由布置 在形成有薄膜堆叠体13的流动通道形成基板12上的第一树脂层14a 和布置在第一树脂层14a的上表面上的第二树脂层14b一体形成。第 一树脂层14a和第二树脂层14b中的每一个由硬化的感光树脂形成。 这里,第一树脂层14a和第二树脂层14b可由相同树脂材料形成或不 同树脂材料形成。

在这种情况下,如图11所示,在前述步骤S101之后,根据例如 旋涂法等的膜形成方法,包含感光树脂的液体第一抗蚀剂被施加到形 成有薄膜堆叠体13的硅基板112(S201),然后施加的第一抗蚀剂被干 燥(S202)。由此,如图12A所示,第一抗蚀剂层114a被形成在形成有 薄膜堆叠体13的硅基板112之上。

接下来,根据例如旋涂法等的膜形成方法,包含感光树脂的液体 第二抗蚀剂被施加到第一抗蚀剂层114a的上表面(S203),然后施加的 第二抗蚀剂被干燥(S204)。由此,如图12B所示,第二抗蚀剂层114b 被形成在第一抗蚀剂层114a的上表面上。薄膜堆叠体13的每个层以及 抗蚀剂层114被示出在图12A至图12D中以比在图10中的厚。

这里,第一抗蚀剂被硬化之前的粘度低于第二抗蚀剂被硬化之前 的粘度。例如,第一抗蚀剂和第二抗蚀剂可包含相同类型的感光树脂, 且第一抗蚀剂的感光树脂当被施加时可比第二抗蚀剂的感光树脂被施 加时薄。可替代地,可通过使包含在第一抗蚀剂中的感光树脂与包含 在第二抗蚀剂中的感光树脂类型不同而产生如上所述这种粘度差别。

接下来,第一抗蚀剂层114a和第二抗蚀剂层114b被曝光(S205)。 为了更详细地说明,如图12C所示,与以上实施例相同的光掩模M被 布置在通过堆叠第一抗蚀剂层114a和第二抗蚀剂层114b形成的抗蚀剂 层114上方。然后,紫外线U被从光掩模M上方朝抗蚀剂层114照射。 由此,第一抗蚀剂层114a和第二抗蚀剂层114b的在平面图中不与遮光 部Ma重叠的部分被形成为通过用紫外线照射硬化的照射部A1。此外, 第一抗蚀剂层114a和第二抗蚀剂层114b的在平面图中与遮光部Ma重 叠的部分被形成为不通过用紫外线照射的非照射部A2。

之后,通过与上述实施例相同方式的步骤S105至S109执行制造 喷墨头3的过程。

在第一变型中,由于第一抗蚀剂被施加时的粘度低于第二抗蚀剂 被施加时的粘度,当施加液体第一抗蚀剂时,液体第一抗蚀剂沿薄膜 堆叠体13的上表面的凹部和凸部可靠地流动,使得在第一抗蚀剂层 114a和薄膜堆叠体13之间不形成间隙。由此,能够防止墨从薄膜堆叠 体13和抗蚀剂层14之间泄漏。

另一方面,由于第二抗蚀剂被施加时的粘度高于第一抗蚀剂被施 加时的粘度,通过第二抗蚀剂施加到第一抗蚀剂层114a的上表面能够 增加第二抗蚀剂层114b的高度。由此,能够使得整个抗蚀剂层114比 抗蚀剂114仅通过第一抗蚀剂整体形成的情况厚。即,通过在第二树 脂层14b和薄膜堆叠体13之间插入薄膜树脂层14a,能够增加树脂层 14和薄膜堆叠体13的接合强度,同时,增加形成在树脂层14中的节 流流动通道33的长度的自由度。

此外,在该第一变型中,步骤S201和S202的组合对应于本教导 的第一抗蚀剂层形成步骤。此外,步骤S203和S204的组合对应于本 教导的第二抗蚀剂层形成步骤。

此外,在上述实施例中,树脂层14是每一根导线27的十倍或更 多厚度。然而,树脂层14可以低于每一根导线27的十倍的厚度。在 这种情况下,由于导线27的厚度的影响,可沿树脂层14的上表面形 成凹部和凸部。然而,通过增加施加以接合树脂层14和下构件41的 粘合剂的量和/或将树脂层14和下构件41彼此足够强地彼此挤压等, 能够在树脂层14和下构件41之间不形成任何间隙。

在以上实施例中,节流流动通道33的直径比连接流动通道32小, 且节流流动通道33在平面图中分别与连接流动通道32完全重叠。然 而,不限于此,节流流动通道33的直径分别可等于或小于连接流动通 道32。此外,不管节流流动通道33和连接流动通道32之间直径的尺 寸关系,每一个节流流动通道33在平面图中可与连接流动通道32之 一部分地不重叠。

在上述实施例中,节流流动通道33的每一个被布置成在平面图中 与压力腔室31之一在长度方向上的端部重叠。然而,不限于此,例如, 节流流动通道33的每一个在平面图中可与压力腔室31之一的除长度 方向上端部之外的其它部分重叠。此外,不限于在平面图中的伸长形 状,例如,压力腔室31的每一个在平面图中可具有方形等的平面形状。

在以上实施例中,树脂层14被布置在形成有薄膜堆叠体13的流 动通道形成基板12之上,且节流流动通道33被形成在树脂层14中。 然而,不限于此,例如,由金属材料、硅等制成的构件可被布置在形 成有薄膜堆叠体13的流动通道形成基板12之上,节流流动通道33可 被形成在构件的在平面图中分别与压力腔室31重叠的部分。在这种情 况下,例如,预形成有节流流动通道33的上述构件可被接合到形成有 薄膜堆叠体13的流动通道形成基板12从而将形成有节流流动通道33 的构件布置在形成有薄膜堆叠体13的流动通道形成基板12上。

在以上实施例中,形成抗蚀剂层114的抗蚀剂是所谓的其非照射 部A2可被例如碱性水溶液等的显影剂去除的负抗蚀剂。然而,不限于 此,形成抗蚀剂层114的抗蚀剂可以是照射部A1可被显影剂去除的所 谓的正抗蚀剂。在这种情况下,在上述步骤S104中,前述使用的光掩 模M可设有位于在平面图中不与节流流动通道33和通孔34重叠的遮 光部Ma。由此,抗蚀剂层114的在平面图中与节流流动通道33和通 孔34重叠的部分被形成为照射部A1。此外,抗蚀剂层114的在平面图 中不与节流流动通道33和通孔34重叠的部分被形成为非照射部A2。 然后,通过在步骤S105中用显影剂去除照射部A1,树脂层14形成有 节流流动通道33和通孔34。在这种情况下,在曝光抗蚀剂层114和去 除照射部A1之后,抗蚀剂层114通过加热抗蚀剂层114而硬化。在这 种情况下,照射部A1对应于本教导的一个部分,而非照射部A2对应 于本教导的另一个部分。

在上述实施例中,在下构件41接合到树脂层14的上表面之后, 形成压力腔室31,喷嘴板11被接合,然后构件42、43被接合到下构 件41。然而,不限于此,例如,在构件41至43接合到树脂层14的上 表面之后,可执行压力腔室31的形成和喷嘴板11的联接。在这种情 况下,储存器单元15不限于通过三个构件41至43形成。例如,储存 器单元15可通过上构件43和包括与下构件41对应的部分和与中间构 件42对应的部分的其它构件形成。可替代地,储存器单元15可通过 具有与构件41至43分别对应的部分的一个构件形成。

在上述实施例中,在前述S101中形成膜的阶段,硅基板112具有 与压力腔室31的高度对应的厚度。然而,不限于此,例如,在前述S101 中形成膜的阶段,硅基板112的厚度可超出与压力腔室31的高度对应 的厚度。然后,在根据与上述实施例同样的前述S101至S105形成薄 膜堆叠体13和树脂层14之后,与S106相同方式,下构件41可被接 合到如图13A中示出的树脂层14的上表面。接下来,通过在接合到树 脂层14的下构件41被支撑的状态下,研磨硅基板112的下表面,硅 基板112的厚度可被调整以对应于压力腔室31的高度,如图13B所示。

在以上变型中,在下构件41被接合到树脂层14的上表面之后, 在下构件41被支撑的状态下研磨硅基板112。因此,能够使用下构件 41作为用于当研磨硅基板112时支撑硅基板112的支撑构件。由此, 能够容易研磨硅基板112。此外,能够防止硅基板112的损坏。

在上述实施例中,压电元件19的每一个通过从下方堆叠墨分离层 21、公共电极22、压电层23和单独电极24形成。然而,不限于该堆 叠顺序,例如,压电元件19的每一个可还通过从下方堆叠墨分离层21、 单独电极24、压电层23和公共电极22形成。在该情况下,导线27可 被形成在墨分离层21的上表面上,而保护层25、26可被形成在导线 27和公共电极22之间。

此外,在以上实施例中,喷嘴板11被直接接合到流动通道形成基 板112的下表面。然而,另一板可被插入在流动通道形成基板12和喷 嘴板11之间。在该情况下,可以在被插入在流动通道形成基板112和 喷嘴板11之间的板中形成流动通道,以允许压力腔室31分别与喷嘴 13连通。由此,能够扩大流动通道的每一个从压力腔室31到喷嘴13 的长度。

此外,利用本教导应用于被构造成从喷嘴喷射墨滴的喷墨头的示 例进行上述说明。然而,不限于此,能够将本教导应用到不同于喷墨 头的用于喷射除了墨滴之外的液滴的任何液滴喷射装置。

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