γ辐照降低LED效率崩塌效应及增强发光强度的方法

摘要

本发明公开了一种γ射线辐照降低LED效率崩塌效应及增强发光强度的方法，该方法在标准大气压，普通空气氛围下，采用γ射线对LED芯片进行辐照。选择适当的辐照剂量，使辐照后LED内In组分起伏增强，In团簇对载流子的束缚能力增加，载流子局域能力增强，因此发生去局域时电流密度增大，从而降低LED的效率崩塌效应，增强大电流密度下的发光强度。本发明工艺简单，操作方便，可大面积使用，与LED复杂的外延片生长过程和芯片制作过程无关，因此适于对LED芯片的光学性能进行改进，以促进InGaN基白光LED的应用。