增强型沟槽式肖特基二极管整流器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种增强型沟槽式肖特基二极管整流器件，外延层上表面并延伸至外延层中部的沟槽，相邻沟槽之间外延层区域形成第一导电类型的单晶硅凸台，此单晶硅凸台顶面与上金属层之间形成肖特基势垒接触；一栅沟槽位于所述沟槽内，此栅沟槽内填充有导电多晶硅并与上金属层之间形成欧姆接触，所述栅沟槽和外延层之间均通过二氧化硅隔离；所述单晶硅凸台内并贴附于沟槽侧表面具有第二导电类型掺杂区，此第二导电类型掺杂区顶部与外延层上表面之间具有重掺杂第二导电类型掺杂区，所述第二导电类型掺杂区和重掺杂第二导电类型掺杂区均与外延层形成pn结界面。本发明调制器件反向偏置时候的电场分布，增强器件反向电压阻断能力，并为器件性能调整提供更多灵活性。