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一种ESD保护及抗EMI集成滤波器的制造方法

摘要

本发明提供了一种ESD保护及抗EMI集成滤波器的制造方法。通过将齐纳二极管(D)、电阻(R)和电容(C)集成在一个器件中,能够为便携式电子系统的各种I/O端口提供ESD保护及抗EMI的单片器件解决方案,避免了采用传统分立器件带来的体积大、重量重、保护电压不稳定等问题。另外在工艺中采用离子注入法来制作次表面齐纳二极管,避免了采用传统半导体工艺制作的齐纳二极管热稳定性差、反向击穿电压精度不高以及输出噪声电压较大等问题。

著录项

  • 公开/公告号CN104112708A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工大华生电子有限公司;

    申请/专利号CN201310133655.1

  • 申请日2013-04-17

  • 分类号H01L21/77;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 150028 黑龙江省哈尔滨市松北区科技创新城科技一街719号A401

  • 入库时间 2023-12-17 01:39:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-30

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/77 申请公布日:20141022 申请日:20130417

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-11-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/77 申请日:20130417

    实质审查的生效

  • 2014-10-22

    公开

    公开

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