具有嵌入空穴注入层以提高效率和下降率的光子器件

摘要

本发明涉及具有嵌入空穴注入层以提高效率和下降率的光子器件。发光器件包括位于衬底上方的n掺杂氮化镓(n-GaN)层。多量子阱(MQW)层位于n-GaN层上方。电子阻挡层位于MQW层上方。p掺杂氮化镓(p-GaN)层位于电子阻挡层上方。该发光器件包括空穴注入层。在一些实施例中，空穴注入层包括p掺杂氮化铟镓(p-InGaN)层，其位于下面三个位置的一个位置中：MQW层和电子阻挡层之间、电子阻挡层和p-GaN层之间以及p-GaN层内部。