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一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管及其制备方法

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本发明公开了一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管，本发明的绝缘栅双极晶体管将器件背面部分区域设置为P+发射区，通过器件导通时电流自动调节P+发射区的开启导通，调节背P+发射区向N型基区注入空穴的效率，提高器件的高频特性应用范围。本发明还提供了一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管的制备方法。

著录项

公开/公告号CN103681811A

专利类型发明专利
公开/公告日2014-03-26

原文格式PDF
申请/专利权人朱江;
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申请/专利号CN201210320231.1
发明设计人朱江;
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申请日2012-09-01
分类号H01L29/739(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/331(20060101);
代理机构
代理人
地址 310018 浙江省杭州市下沙三号大街裕园公寓1号603室
入库时间 2023-12-17 01:29:34

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-10-24

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/739 申请公布日:20140326 申请日:20120901

发明专利申请公布后的视为撤回
2014-10-22

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/739 申请日:20120901

实质审查的生效
2014-03-26

公开

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