薄膜材料残余应力测试结构及方法

摘要

本发明提出了一种薄膜材料残余应力的测试结构及方法，其结构由两组结构组成，第一组结构包括静电驱动的多晶硅悬臂梁(101)、由待测薄膜材料制作的带有对准结构的非对称十字梁(102)、由待测薄膜材料制作的双端固支梁(103)；第二组结构是第一组结构去除固支梁(103)后的剩余结构；将力的加载驱动部分和待测薄膜材料制作的残余应力测试结构分开，通过几何参数设计控制测试结构的弯曲挠度，通过两组测试结构的相同部分受力相同的原理提取出残余应力测试结构所受到的力，利用力和挠度计算得到待测薄膜材料的残余应力。本发明的测试结构、测量方法和参数提取的计算方法极其简单，适应性广，可以用于测试导电或绝缘薄膜材料的残余应力。

说明书

技术领域

本发明提供了一种薄膜材料残余应力的测试结构。属于微机电系统(MEMS)材料参数测试技术领域。

背景技术

微机电系统的性能与材料参数有密切的关系。由于加工过程的影响，一些材料参数将产生变化，这些由加工工艺所导致的不确定因素，将使得器件设计与性能预测出现不确定和不稳定的情况。材料参数测试目的就在于能够实时地测量由具体工艺制造的微机电器件材料参数，对工艺的稳定性进行监控，并将参数反馈给设计者，以便对设计进行修正。因此，不离开加工环境并采用通用设备进行的测试成为工艺监控的必要手段。材料力学性能的物理参数主要包括残余应力、杨氏模量、泊松比、断裂强度等。

在微机电器件结构中广泛地使用薄膜材料，尤其是在表面微机械结构中，薄膜材料是结构材料的主要材料。目前大多数的材料参数在线测试结构都是针对导电材料，例如掺杂单晶硅、掺杂多晶硅以及金属等。对于绝缘材料，例如氮化硅、二氧化硅以及被二氧化硅所包裹的单晶硅或多晶硅，由于这些材料具有绝缘特性，不易实现测试信号的直接加载和电检测。

发明内容：

技术问题：测量材料的残余应力通常需要知道结构受力大小和结构受力所产生的形变或弯曲的挠度。本发明提出了一种测试结构，用于测量薄膜材料的残余应力。测试结构由两组结构组成：其中一组用于测量基准数据，即结构产生一定弯曲挠度时所施加力的大小；另一组用于测量在同样弯曲挠度条件下，加入残余应力测试单元后所需要施加的力的大小。将两次所施加的力相减，得到在残余应力测试结构上实际受到的力值，根据该值和弯曲挠度并根据测试结构的几何尺寸等即可计算得到该薄膜材料的残余应力。

技术方案：为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

实际测试残余应力的结构为一个由待测薄膜材料制作的双端固支梁。利用静电驱动的多晶硅悬臂梁形成作用力源。采用由待测薄膜材料制作的带对准结构的非对称十字梁作为挠度测量单元，该十字梁的竖直短梁作为转轴，竖直短梁的两端和锚区连接，在竖直短梁中心位置的左右两侧各有一根水平长梁，两根水平长梁的长度不同，目的是利用比例放大原理提高挠度测量精度。在较长的长梁末端设置一个对准结构。

将固支梁的中心和十字梁较短的长梁末端同时置于多晶硅悬臂梁末端之下，通过施加电压而产生的静电力下拉多晶硅悬臂梁，并同时使固支梁的中心和十字梁较短长梁的末端向下运动，当位于十字梁中较长的长梁末端的对准结构对准时驱动结束。此时，静电力的大小包括三部分力：驱动多晶硅悬臂梁下弯所需要的力；十字梁发生扭转所需要的力；固支梁下弯的所需要的力。

去掉用于实际测量残余应力的固支梁，仅留下晶硅悬臂梁和十字梁形成另一组测试结构，采用同样的静电驱动方法使多晶硅悬臂梁达到同样的挠度，根据所施加的电压的大小和挠度的大小计算得到此时的静电力。

将两次测量的静电力相减，静电力的差即为驱动固支梁达到设定挠度所需要的力。由该力的大小和挠度以及固支梁几何尺寸等即可计算得到待测薄膜材料的残余应力。

根据上述技术方案，本发明提供了一种测量薄膜材料残余应力的测试结构。该测试结构由两组结构组成，第一组结构包括静电驱动的多晶硅悬臂梁、由待测薄膜材料制作的带有对准结构的非对称十字梁、由待测薄膜材料制作的双端固支梁；第二组结构是第一组结构去除固支梁后的剩余结构；

所述第一组结构的多晶硅悬臂梁由第一锚区、细长梁、作为上电极的宽梁、细短梁自左向右连接而成，在宽梁的下表面是矩形下电极，宽梁和下电极之间是空气层；在细短梁的下表面有第一凸点、第二凸点分别作为固支梁和十字梁的施力点；

所述第一组结构中的固支梁由第二锚区、第三锚区和长梁连接而成，固支梁与多晶硅悬臂梁垂直，固支梁的中心位于多晶硅悬臂梁左边的第一凸点之下；

所述第一组结构中的十字梁由第四锚区、第五锚区、第一竖直短梁、两根不同长度的左边长梁、右边长梁以及一个对准结构组成；其中，第一竖直短梁的两端分部与第四锚区、第五锚区相连，在第一竖直短梁中心位置的左右两边设有左边长梁和右边长梁，从第一竖直短梁的中心到第二凸点的长度为L2，从竖直短梁的中心到竖直梁B边的长度为L1，L1大于L2；在右边长梁的右端连接一个对准结构，对准结构由第二竖直短梁、第三竖直短梁和第六锚区构成，其中第二竖直短梁连接在右边长梁的右端，成垂直关系，第三竖直短梁一端与第六锚区相连；对准结构的对准边为第三竖直短梁的A边和第二竖直短梁的B边，A、B边有一个微小的距离△，十字梁的水平轴线和多晶硅悬臂梁的水平轴线重合。

本发明的薄膜材料残余应力测试结构的测试方法是：利用第一组结构和第二组结构相同部分在相同测试挠度下受力相同的原理，提取出驱动固支梁中心达到测试挠度时所需要的静电力；

所述的固支梁，其中心的测试挠度通过设计距离△、L1、L2进行控制，当A、B对准时，固支梁中心的第二凸点位置的

所述第一组结构在测试挠度下的静电力F1包含了三部分：驱动多晶硅悬臂梁弯曲所需要的力、十字梁扭转所需要的力、固支梁弯曲所需要的力；

所述第二组结构在测试挠度下的静电力F2包括了两部分：驱动多晶硅悬臂梁弯曲所需要的力；十字梁扭转所需要的力；

将F1减去F2即为单独驱动固支梁到达测试挠度所需要的净力。

有益效果：与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

本发明提出了一种薄膜材料残余应力的测试结构，可以用于导电薄膜材料和绝缘薄膜材料的残余应力测试。本发明将力的加载驱动部分和由待测薄膜材料制作的残余应力测试结构分开，通过几何参数设计控制测试结构的弯曲挠度，通过两组测试分结构相同部分受力相同的原理提取出残余应力测试结构所受到的力，利用力和挠度计算得到绝缘薄膜材料的残余应力。本发明的测试结构、测量方法和参数提取的方法极其简单，可以用于导体/绝缘体等多种薄膜材料的残余应力的测试。

本发明的最大优点在于薄膜材料的残余应力测试方法简单，测试设备要求低，测试过程及测试参数值稳定。加工过程与微机电器件同步，没有特殊加工要求。完全符合在线测试的要求。计算方法仅限于简单数学公式。本发明的测试结构、测量方法和参数提取的计算方法极其简单，适应性广，可以用于测试导电和绝缘薄膜材料的残余应力。

附图说明

图1是本发明的第一组结构。

图2是本发明的第二组结构。

图中有：多晶硅悬臂梁101、十字梁102、固支梁103；

第一锚区101-1、细长梁101-2、宽梁101-3、细短梁101-4、第一凸点101-5、第二凸点101-6、下电极101-7；

长梁103-1、第二锚区103-2、第三锚区103-3；

左边长梁102-1、第四锚区102-2、第五锚区102-3、第一竖直短梁102-4、右边长梁102-5、第二竖直短梁102-6、第六锚区102-7、第三竖直短梁102-8。

具体实施方式

下面结合附图1和图2对本发明做更进一步的说明。

本发明提供了一种测量薄膜材料残余应力的测试结构。测试结构由两组结构构成，分别如图1和图2所示。图1所示的第一组结构包括静电驱动的多晶硅悬臂梁101、由待测薄膜材料制作的带对准结构的非对称十字梁102、由待测薄膜材料制作的双端固支梁103；第二组测试结构如图2所示，包括多晶硅悬臂梁101和十字梁102。第二组结构是第一组结构去掉了固支梁103后的剩余结构。

所述第一组结构的多晶硅悬臂梁101由第一锚区101-1、细长梁101-2、作为上电极的宽梁101-3、细短梁101-4自左向右连接而成，在宽梁101-3的下表面是矩形下电极101-7，宽梁101-3和下电极101-7之间是空气层；在细短梁101-4的下表面有第一凸点101-5、第二凸点101-6分别作为固支梁103和十字梁102的施力点；

所述第一组结构中的固支梁103由第二锚区103-2、第三锚区103-3和长梁103-1连接而成，固支梁103与多晶硅悬臂梁101垂直，固支梁103的中心位于多晶硅悬臂梁101左边的第一凸点101-5之下；

所述第一组结构中的十字梁102由第四锚区102-2、第五锚区102-3、第一竖直短梁102-4、两根不同长度的左边长梁102-1、右边长梁102-5以及一个对准结构组成；其中，第一竖直短梁102-4的两端分部与第四锚区102-2、第五锚区102-3相连，在第一竖直短梁102-4中心位置的左右两边设有左边长梁102-1和右边长梁102-1，从第一竖直短梁102-4的中心到第二凸点101-6的长度为L2，从竖直短梁102-4的中心到竖直梁102-6B边的长度为L1，L1大于L2；在右边长梁102-5的右端连接一个对准结构，对准结构由第二竖直短梁102-6、第三竖直短梁102-8和第六锚区102-7构成，其中第二竖直短梁102-6连接在右边长梁102-5的右端，成垂直关系，第三竖直短梁102-8一端与第六锚区102-7相连；对准结构的对准边为第三竖直短梁102-8的A边和第二竖直短梁102-6的B边，A、B边有一个微小的距离△，十字梁102的水平轴线和多晶硅悬臂梁101的水平轴线重合。

薄膜材料残余应力测试结构的测试方法是：利用第一组结构和第二组结构相同部分在相同测试挠度下受力相同的原理，提取出驱动固支梁103中心达到测试挠度时所需要的静电力；

所述的固支梁103，其中心的测试挠度通过设计距离△、L1、L2进行控制，当A、B对准时，固支梁103中心的第二凸点101-6位置的

所述第一组结构在测试挠度下的静电力F1包含了三部分：驱动多晶硅悬臂梁101弯曲所需要的力、十字梁102扭转所需要的力、固支梁103弯曲所需要的力；

所述第二组结构在测试挠度下的静电力F2包括了两部分：驱动多晶硅悬臂梁101弯曲所需要的力；十字梁102扭转所需要的力；

将F1减去F2即为单独驱动固支梁103到达测试挠度所需要的净力。

所述第二组结构是在所述第一组结构中去掉了固支梁103之后的剩余结构，其所有单元结构和尺寸均与第一组结构对应单元相同。

薄膜材料残余应力的测试原理如下：

首先对第一组结构进行测试，在多晶硅悬臂梁101的上下极板宽梁101-3和101-7之间施加逐渐增加的电压，该电压产生的静电力驱动多晶硅悬臂梁101的右端向下弯曲，同时通过第一凸点101-5、第二凸点101-6压迫固支梁103的中心和十字梁102的左端向下移动，并使十字梁102以第一竖直短梁102-4为轴扭转，导致右边长梁102-5向上翘起，右边长梁102-5的投影长度缩短，B边逐渐逼近A边，当B边和A边对准时停止增加电压并记录电压值V1。通过设计值△、L1、L2可以简单地控制测试时需要达到的测试挠度。当A、B对准时，固支梁103中心在第二凸点101-6位置的挠度(测试挠度)为：

$>\frac{\sqrt{{L1}^2-{(L1-\Delta )}^2}}{L1}\times L2$>

由挠度和所施加的电压值V1可以计算得到此时的静电力F1。F1包括了三个部分：多晶硅悬臂梁101弯曲所需要的力；十字梁102扭转所需要的力；固支梁103弯曲所需要的力。

接下来对第二组结构进行测试。同样地，通过上下极板宽梁101-3和下电极101-7施加逐渐增加的电压，使多晶硅悬臂梁101的右端向下弯曲，同时通过第二凸点101-6压迫十字梁102的左端向下移动，并使十字梁102以第一竖直短梁102-4为轴扭转，右边长梁102-5向上翘起，当B边和A边对准时停止增加电压并记录电压值V2。由所施加的电压值V2和移动距离(挠度)可以计算得到此时的静电力F2。F2包括了两个部分：驱动梁101弯曲所需要的力；十字梁102扭转所需要的力。

F1减去F2即为单独驱动固支梁103到达设定挠度所需要的净力。由该力的值和固支梁103中心的挠度可以计算得到薄膜材料的残余应力。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。