法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-10
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01S3/10 申请公布日:20140827 申请日:20140522
发明专利申请公布后的视为撤回
2014-09-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S3/10 申请日:20140522
实质审查的生效
2014-08-27
公开
公开
机译: 具有量子阱和超晶格的基于III族氮化物的发光二极管结构的制造方法,基于III族氮化物的量子阱结构和基于III族氮化物的超晶格结构
机译: 制造具有量子阱和超晶格的,基于III族氮化物的发光二极管结构,基于III族氮化物的量子阱结构和基于III族氮化物的超晶格结构的方法
机译: III族氮化物半导体发光二极管或激光二极管具有发光超晶格结构,其上具有非线性电势结构的有源层