一种表征有机半导体器件驰豫现象的方法

摘要

本发明公开了一种表征有机半导体器件驰豫现象的方法，包括：计算有机半导体器件中载流子的跃迁速率，并选择一种状态密度来表示载流子的分布状况；根据计算的有机半导体器件中载流子的跃迁速率和选择的状态密度，确定能量空间中没有被载流子占据的空位置数；根据确定的能量空间中没有被载流子占据的空位置数，确定载流子跃迁的距离；根据确定的载流子跃迁的距离计算有机半导体器件的电流密度，并以该电流密度来表征有机半导体器件的弛豫现象。本发明计算过程简单，可广泛应用于各种无序的半导体材料和器件，如有机半导体，非晶半导体等驰豫现象的表征。