公开/公告号CN101971317B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-10-10
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料公司;
申请/专利号CN200980108920.2
发明设计人 马耶德·A·福阿德;李实健;
申请日2009-02-24
分类号H01L21/66(20060101);H01L21/265(20060101);
代理机构11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人徐金国;赵静
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 09:11:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-04-05
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/66 授权公告日:20121010 终止日期:20160224 申请日:20090224
专利权的终止
2012-10-10
授权
授权
2012-02-15
著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/66 变更前: 变更后: 申请日:20090224
著录事项变更
2011-04-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20090224
实质审查的生效
2011-02-09
公开
公开
机译: 在等离子体离子注入过程中测量掺杂剂浓度的方法
机译: 在等离子体离子注入过程中测量掺杂剂浓度的方法
机译: 确定用于掺杂物浓度测量设备的标准晶片的制造中的掺杂物浓度的方法