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用于软X射线波段透射式Fibonacci薄膜透镜及其设计、制备方法

摘要

用于软X射线波段的透射式Fibonacci薄膜透镜,包括有Fibonacci薄膜系,Fibonacci薄膜系的一侧表面为平面,另一侧表面刻蚀成凹状或凸状对称面结构;其设计方法为:1)选用两种厚度均为d的材料A和B,材料A和B在原子量小于36的单元素材料或其化合物材料中选择,由这两种材料构成n级Fibonacci序列薄膜;2)将步骤1)的n级Fibonacci序列薄膜构成一维光子晶体,利用数值方法计算该一维光子晶体薄膜的能带和等频率圆,根据带隙的位置绘制光子晶体的等频率圆图;3)根据步骤2)的计算结果,利用材料A和B制备厚度为d,周期为m的n级Fibonacci序列薄膜,在薄膜的一个表面制备凹或凸状对称面;具有结构简单、成像精度高、设计制备方法简单的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN103886928A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安石油大学;

    申请/专利号CN201410150285.7

  • 发明设计人 李岩;李晓莉;徐向晏;

    申请日2014-04-15

  • 分类号G21K1/06;

  • 代理机构西安西达专利代理有限责任公司;

  • 代理人第五思军

  • 地址 710065 陕西省西安市雁塔区电子二路东段18号西安石油大学

  • 入库时间 2023-12-17 00:01:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-11

    授权

    授权

  • 2014-07-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):G21K1/06 申请日:20140415

    实质审查的生效

  • 2014-06-25

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明属于光学透镜技术领域,具体涉及一种用于软X射线波段 的透射式Fibonacci序列薄膜透镜及其设计、制备方法。

背景技术

软X射线光学(电磁波的波长在1~30纳米之间)在能源、半 导体及大规模集成电路、生物、医学等诸多领域有着重要的应用。在 软X射线光学中,关键器件之一是能够控制X射线方向并使其产生 成像作用的元件。但是,由于在软X射线波段,材料的折射率一般 在0.6~1.1之间,特别是在这一波段中,材料对软X射线均有很强 的吸收作用,因而,到目前为止仍无法制作类似常规光学透镜的元件 来实现软X射线的成像。当前,所能应用的主要X射线光学元件多 是利用全反射以及衍射效应原理开发的可以使得X射线产生汇聚和 衍射作用的器件【1.顾春时等.基于非周期多层膜的X射线成像研 究.光子学报,35(6),2006,881-885;2.黄秋实等.基于多层膜技术 的硬X射线Laue透镜衍射效率的理论研究。光子学报,38(9),2009, 2299-2304;3.乐孜纯等。X射线成像光学的新进展:Bragg-Fresnel 多层膜元件。光学精密工程,4(2),1996,1-6】,如K-B镜;透射 式Fresnel波带片;劳厄(Laue)透镜;布喇格-菲涅尔(Bragg-Fresnel) 多层膜元件等。这些光学元件由于利用的是全反射或衍射效应原理来 实现软X射线的汇聚作用,因而,要么存在着无法大角度入射,从 而导致存在较严重的视场倾斜和慧差问题;要么存在着不便于聚焦等 问题。特别是由于聚焦原理的限制,使得它们与传统意义上的光学折 射率透镜完全不同。这使得一方面,这类光学元件无法像普通光学透 镜一样来进行各种组合以获得更好的成像质量。另一方面在使用上也 会带来很大的不便,例如,在半导体集成电路设计领域,由于受波长 的影响,下一代光刻工艺需采用极紫外光刻技术(Extreme Ultraviolet  Lithography,EUV),即以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的 光刻技术。然而,受限于当前软X射线光学元件对软X射线的汇聚 原理,这使得EUV技术无法充分利用传统光学光刻技术的基础架构 来降低芯片的生产成本。从而导致下一代芯片的研制成本大大增加。 虽然,X射线聚束透镜即可实现对X射线的汇聚,也可实现X射线 的发散以及平行光的输出。这已非常接近传统光学透镜的特性。然而, 由于这种聚束透镜是利用X射线在空心纤维导管内的全反射以及大 量空心纤维导管的不同组合形状来实现X射线的汇聚与发散作用, 这导致这类透镜的在制作和使用上也存在着较大的困难。

发明内容

为了克服上述现有技术的不足,本发明的目的是提供一种用于软 X射线波段的透射式Fibonacci序列准周期结构薄膜透镜及其设计、 制备方法,具有结构简单、成像精度高、设计制备方法简单的特点。

为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:用于软X射线波 段的透射式Fibonacci薄膜透镜,包括有Fibonacci薄膜系, Fibonacci薄膜系的一侧表面为平面,另一侧表面刻蚀成凹状或凸状 对称面结构。

所述的Fibonacci薄膜系的材料为原子量小于36的单元素材料 或者由该单元素材料组成的化合物。

用于软X射线波段透射式Fibonacci薄膜透镜的设计方法,包括 以下步骤:

1)确定透镜的中心波长为Λ,选用两种厚度均为d的材料A和 B,材料A和B在原子量小于36的单元素材料或其化合物材料中选 择,由这两种材料构成n级Fibonacci序列薄膜;材料A和B在波长 范围[ζ12]内的折射率分别为nA和nB,其中,Λ满足Λ∈[ζ12];

材料A和B的选择利用如下的公式(1)进行

N=1-12πwr0λ2(η1+iη2)=1-δ----(1)

其中,N,1-δ和β为材料的复折射率,折射率和吸收系数;η=η1+iη2为原子散射因子,i为复数单位;r0为经典原子半径;w为薄膜单位 体积的原子数;λ为入射波的波长;

2)将步骤1)的n级Fibonacci序列薄膜构成一维光子晶体,利 用数值方法计算该一维光子晶体薄膜的能带和等频率圆,根据带隙的 位置绘制光子晶体的等频率圆图;

若该一维光子晶体薄膜负折射率等频率圆的无单位频率范围为 a/λ∈[f1,f2],其中,a为一维光子晶体的晶格常数,λ为入射波的波 长,由此可计算出这种一维光子晶体的晶格常数a和构成这种一维光 子晶体薄膜的两种材料的厚度d,及该一维光子晶体负折射率所处的 实际波长区间λ∈[Λ1,Λ2];

3)根据步骤2)的计算结果,采用镀膜工艺,利用材料A和B 制备厚度为d,周期为m的n级Fibonacci序列薄膜,在薄膜的一个 表面制备凹或凸状对称面,若透镜为聚焦透镜则需要制备凹状对称 面;若透镜为发散透镜则需要制备凸状对称面,即可设计出波长处于 区间[Λ1,Λ2]和区间[ζ12]的交集的透射式薄膜透镜。

用于软X射线波段透射式Fibonacci薄膜透镜的制备方法,包括 以下步骤:

1)令Fibonacci薄膜透镜使用的中心波长为Λ;

2)选择两种适合镀膜的材料A和B,材料A、B在波长范围[ζ1, ζ2]内的折射率分别为nA和nB,其中,Λ满足Λ∈[ζ12],

材料的选择可以利用如下的公式(1)进行

N=1-12πwr0λ2(η1+iη2)=1-δ----(1)

其中,N,1-δ和β为材料的复折射率,折射率和吸收系数;η=η1+iη2为原子散射因子,i为复数单位;r0为经典原子半径;w为薄膜单位 体积的原子数;λ为入射波的波长,

3)利用步骤2)选定的材料A和B构成n级Fibonacci序列薄膜 系,其中,由A材料和B材料构成的薄膜厚度均为d,Fibonacci序 列薄膜系的构造方法如下:0级Fibonacci序列薄膜系由材料A和B 构成,膜系的层数为两层,膜系中A、B两种材料的排列顺序可以表 示为AB,当采用替代规则后即可产生1级Fibonacci序列薄膜系,1 级Fibonacci序列薄膜系仍由A、B两种材料构成,膜系的层数为三 层,膜系中A、B两种材料薄膜的排列顺序可以表示为ABA,所述 的替代规则为,用材料排列顺序为AB的两层薄膜代替0级Fibonacci 序列薄膜系中的A层薄膜,用材料A构成的一层薄膜代替0级 Fibonacci序列薄膜系中的B层薄膜,由此构成1级Fibonacci序列薄 膜系,在上一级Fibonacci序列薄膜系中使用上述替代规则,就可以 构成下一级Fibonacci序列薄膜系;

4)由上述n级Fibonacci序列薄膜系构成一维光子晶体薄膜系, 利用数值方法计算该一维光子晶体薄膜系的能带和等频率圆,并根据 带隙的位置绘制光子晶体的等频率圆图,若该一维光子晶体薄膜的负 折射率等频率圆的无单位频率范围为a/λ∈[f1,f2],其中,a为一维光 子晶体的晶格常数,λ为入射波的波长,f1和f2为无单位频率,则根 据a/Λ=(f1+f2)/2计算出该一维光子晶体的晶格常数a,根据式a/f21和式a/f12计算出一维光子晶体负折射率所处的实际波长区间λ∈ [Λ1,Λ2],比较波长区间[Λ1,Λ2]和[ζ12],其交集为透射式Fibonacci 序列薄膜透镜所使用的波长区间,若上述n级Fibonacci序列薄膜系 由p层膜构成,由式a=pd得到每层膜的厚度d;

5)计算膜系透射率,计算膜系透射率的转移矩阵数值方法的公 式如下

BC={Πj=1kcosδjiηjsinδjiηjsinδjcosδj}1ηk+1---(2)

δj=2πλNjdj---(3)

T=1-(η0B-Cη0B+C)(η0B-Cη0B+C)*---(4)

其中,公式(2)中的B、C为矩阵元。k为第k层膜。i为复数单位。 ηj和ηk+1分别为第j层膜和衬底的光学导纳。δj为软x射线在第j层 膜中的相移,它可用公式(3)表述出来,公式(3)中λ为入射波的 波长,Nj为第j层膜在波长为λ时的折射率,而dj为第j层膜的厚度, 公式(4)中,T为膜系的透射率,η0为入射一方的光学导纳,透镜 是放于真空之中,η0和ηk+1均可看作是真空的光学导纳,

利用公式(1)和转移矩阵方法的公式(2)——(4)以及材料 原子散射因子η1,η2和经典原子半径r0的实际数据,用数值方法计 算m个周期的n级Fibonacci序列薄膜系的透射率;

6)根据上述计算结果所得到的材料A和B的厚度d,利用薄膜 制备工艺,用厚度为d的材料A和B,制备m个周期的n级Fibonacci 序列薄膜系,并在制备好的薄膜系的一个表面,加工所需要的对称面。

本发明的有如下的一些优点:

1)利用上述方法即可以设计使软X射线发散的透镜,也可以设 计使软X射线聚焦的透镜,且可以实现软X射线的大角度入射,可 以方便地构成各种组合透镜,从而提高软X射线的成像质量。

2)通过调节一维光子晶体的晶格常数a或薄膜的厚度d,可以方 便地设计用于不同软X射线波段的透射式薄膜透镜。

3)利用光子晶体不同的负折射频率范围,可以在软X射线波段 设计不同带宽的薄膜透镜。

4)本发明透射式软X射线薄膜透镜可以放大倏逝波,从而可以 进一步减小汇聚光的光斑,并提高其功率密度,这一点非常有利于提 高软X射线成像的精度。

5)本发明的透镜利用成熟的薄膜制备工艺制备,因而其制作方 便简单。

附图说明

图1为锰和硅的折射率随波长的变化关系。

图2为n级Fibonacci序列薄膜系的构造示意图;其中图1(a) 为0级Fibonacci序列薄膜系的横截面图;图(b)为1级Fibonacci 序列薄膜系的横截面图;图(c)为2级Fibonacci序列薄膜系的横截 面图。

图3是以4级Fibonacci序列薄膜系为例构成的一维光子晶体示 意图。

图4是4级Fibonacci序列薄膜系构成的一维光子晶体能带图。

图5为4级Fibonacci序列薄膜系一维光子晶体等频率圆图;其 中其中图4(a)为等频率圆的二维图;图4(b)为等频率圆的三维 图。

图6为3个周期的4级Fibonacci序列薄膜系的透射率随波长的 变化关系。

图7是以3个周期的3级Fibonacci序列薄膜系为例构成的透射 式Fibonacci序列薄膜汇聚透镜一个横截面示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。

用于软X射线波段的透射式Fibonacci薄膜透镜,包括有 Fibonacci薄膜系,Fibonacci薄膜系的一侧表面为平面,另一侧表 面刻蚀成凹状或凸状对称面结构。

所述的对称面是凹面还是凸面需要根据透镜的用途确定,若透镜 用于聚焦软X射线,则需要刻蚀成凹面;若透镜用于发散软X射线, 则需要刻蚀成凸面。凹(或凸)状对称面包括球面,抛物面等结构, 其尺寸依据透镜的焦距确定。

所述的用于制备Fibonacci薄膜系的两种材料可以根据透镜所 处软X射线波段进行选择,主要包括原子量小于36的单元素材料及 其化合物材料。

用于软X射线波段透射式Fibonacci薄膜透镜的设计方法,包括 以下步骤:

1)确定透镜的中心波长为Λ,选用两种厚度均为d的材料A和 B,材料A和B在原子量小于36的元素及其化合物材料中选择,由 这两种材料构成n级Fibonacci序列薄膜;

实际材料A和B的选择原则为一方面要求所选的两种材料在透 镜的波长范围内有尽可能大的折射率差异,另一方面,两种材料在该 波长范围内有尽可能小的吸收系数,根据上述原则,材料可以在原子 量小于36的单元素材料及其化合物材料中选择;

2)将步骤1)的n级Fibonacci序列薄膜构成一维光子晶体,利 用数值方法计算该一维光子晶体薄膜的能带和等频率圆,若该一维光 子晶体薄膜负折射率等频率圆的无单位频率范围为a/λ∈[f1,f2],其 中,a为一维光子晶体的晶格常数,λ为入射波的波长,则由此可以 计算出这种一维光子晶体的晶格常数a和构成这种一维光子晶体薄 膜的两种材料的厚度d,以及这种一维光子晶体负折射率所处的实际 波长区间λ∈[Λ1,Λ2];

3)根据步骤2)的计算结果,采用镀膜工艺,利用材料A和B 制备厚度为d,周期为m的n级Fibonacci序列薄膜,采用刻蚀技术 或微机械加工技术,在薄膜的一个表面制备凹或凸状对称面,若透镜 为汇聚透镜则需要制备凹状对称面;若透镜为发散透镜则需要制备凸 状对称面,即可制备出该透射式薄膜透镜。

本发明的设计和加工过程:

1)令所设计透镜使用的中心波长为Λ;例如:Λ=14.36nm。

2)选择两种适合镀膜的实际材料A和B。材料A、B在波长范 围[ζ12]内的折射率分别为nA和nB,其中,Λ满足Λ∈[ζ12]。

材料的选择方法之一可以利用如下的公式(1)进行

N=1-12πwr0λ2(η1+iη2)=1-δ----(1)

其中,N,1-δ和β为材料的复折射率,折射率和吸收系数;η=η1+iη2为原子散射因子,i为复数单位;r0为经典原子半径;w为薄膜单位 体积的原子数;λ为入射波的波长。

例如:利用原子散射因子η1,η2和经典原子半径r0的实际数据 计算发现,锰和硅的折射率随波长的变化关系如图1所示。其中,横 坐标为波长,单位为纳米;纵坐标为折射率。图中的实线和虚线分别 为锰和硅材料的折射率随波长的变化关系。

在图1中,当波长范围为[13.89,15.46]纳米时,锰的折射率近 似为0.920,而硅的折射率近似为0.999。由于该波长范围包含了波长 Λ=14.36nm,因而,可以选择上述A、B两种材料为锰和硅,且有 nA=0.920和nB=0.999。

3)利用这两种实际材料A和B构成n级Fibonacci序列薄膜系, 其中,由A材料和B材料构成的薄膜厚度均为d。Fibonacci序列薄 膜系的构造方法如下:0级Fibonacci序列薄膜系由材料A和B构成, 膜系的层数为两层,膜系中A、B两种材料的排列顺序可以表示为 AB,图2(a)为0级Fibonacci序列薄膜系的横截面图,其中,白色部 分为A材料构成的薄膜,用图中的字母A表示;而阴影部分为B材 料构成的薄膜,用图中的字母B表示。图中的字母d表示薄膜的厚 度,下同;当采用一定的替代规则后即可产生1级Fibonacci序列薄 膜系,1级Fibonacci序列薄膜系仍由A、B两种材料构成,膜系的层 数为三层,膜系中A、B两种材料薄膜的排列顺序可以表示为ABA, 见图2(b);这里的替代规则为,用材料排列顺序为AB的两层薄膜代 替0级Fibonacci序列薄膜系中的A层薄膜,用材料A构成的一层薄 膜代替0级Fibonacci序列薄膜系中的B层薄膜,由此构成1级 Fibonacci序列薄膜系。这样,在上一级Fibonacci序列薄膜系中使用 上述替代规则,就可以构成下一级Fibonacci序列薄膜系,见图2(c)。

4)由上述n级Fibonacci序列薄膜系构成一维光子晶体薄膜系。 利用数值方法计算这种一维光子晶体薄膜系的能带和等频率圆,并根 据带隙的位置绘制光子晶体的等频率圆图。若该一维光子晶体薄膜的 负折射率等频率圆的无单位频率范围为a/λ∈[f1,f2],其中,a为一维 光子晶体的晶格常数,λ为入射波的波长,f1和f2为无单位频率。则 根据a/Λ=(f1+f2)/2可以计算出这种一维光子晶体的晶格常数a,根据 式a/f21和式a/f12可以计算出一维光子晶体负折射率所处的实 际波长区间λ∈[Λ1,Λ2]。比较波长区间[Λ1,Λ2]和[ζ12],其交集即 为这种透射式Fibonacci序列薄膜透镜所使用的波长区间。同时,若 上述n级Fibonacci序列薄膜系由p层膜构成,则由式a=pd可以得到 每层膜的厚度d。

图3是由4级Fibonacci序列薄膜系构成的一维光子晶体薄膜系 的横截面示意图。其中,白色部分为A材料构成的薄膜,用图中的 字母A表示;而阴影部分为B材料构成的薄膜,用图中的字母B表 示。4级Fibonacci序列薄膜系共有13层,每层厚度为d。它们为一 个周期单元,既该光子晶体的晶格常数为a,如图3所示。

若图3中的A、B两种材料分别为上述的锰和硅材料,则利用数 值方法计算的这种由4级Fibonacci序列薄膜系构成的一维光子晶体 薄膜系的能带如图4所示。其中横坐标为波矢k,纵坐标为无单位频 率a/λ,而a为一维光子晶体的晶格常数,λ为入射波的波长。因此, 图4表示的是频率随波矢变化的色散关系。

图4中第二能带的等频率圆图如图5所示。其中,图5(a)是等频 率圆的二维图,图5(b)是等频率圆的三维图。在图5(a)中,横、纵坐 标均为波矢k,图中曲线为等频率圆,数字为无单位频率a/λ的数值; 在图5(b)中,横、纵坐标均为波矢k,而竖直坐标轴为频率轴,单位 为a/λ。由图5可以看出,一方面,随着波矢趋向于0,等频率圆的 频率在逐渐增大,表明该等频率圆区域是一个负折射区。且负折射区 的频率范围为a/λ∈[2.76,2.85]。另一方面,等频率圆为圆形说明负 折射区为各项同性的。这样,利用式a/Λ=(f1+f2)/2,a=pd,a/f21和a/f12及参数Λ=14.36nm,f1=2.76和f2=2.85就可以得到该一维 光子晶体的晶格常数a=40.28nm,膜层厚度d=3.10nm及该一维光子 晶体负折射率所处的实际波长区间λ∈[Λ1=14.13,Λ2=14.59]nm。比 较一维光子晶体负折射率所处的实际波长区间λ∈[Λ1=14.13, Λ2=14.59]与锰和硅材料的相应折射率所处的波长区间[ζ1=13.89, ζ2=15.46]nm,显然可以得到结论,在软X射线波段为λ∈[14.13, 14.59]nm内可以制备透射式Fibonacci薄膜透镜。

5)计算膜系透射率的转移矩阵数值方法的公式如下

BC={Πj=1kcosδjiηjsinδjiηjsinδjcosδj}1ηk+1---(2)

δj=2πλNjdj---(3)

T=1-(η0B-Cη0B+C)(η0B-Cη0B+C)*---(4)

其中,公式(2)中的B、C为矩阵元。k为第k层膜。i为复数单位。 ηj和ηk+1分别为第j层膜和衬底的光学导纳。δj为软x射线在第j层 膜中的相移,它可以用公式(3)表述出来。公式(3)中λ为入射波 的波长,Nj为第j层膜在波长为λ时的折射率,而dj为第j层膜的厚 度。公式(4)中,T为膜系的透射率。η0为入射一方的光学导纳。 这里,由于可以假定透镜是放于真空之中,因而,η0和ηk+1均可以看 作是真空的光学导纳。

这样,利用公式(1)和转移矩阵方法的公式(2)——(4)以 及材料原子散射因子η1,η2和经典原子半径r0的实际数据,就可以 用数值方法计算m个周期的n级Fibonacci序列薄膜系的透射率。若 上述m个周期的n级Fibonacci序列薄膜系的透射率满足透镜的透射 要求,则可以根据上述数据制备透射式Fibonacci序列薄膜透镜。其 原因在于:这种透镜对软x射线的作用可以分为三个部分,既对软x 射线的反射部分,透射部分以及吸收部分。由于在软x射线波段,材 料对软x射线的吸收部分占有主要地位,这样,考虑到透镜的结构, 则透镜的透射率一般要大于相应膜系的透射率。

若选择上述A、B两种材料仍分别为锰和硅,利用这两种材料构 建如图3所示的3个周期的4级Fibonacci序列薄膜系。当膜层的厚 度为d=3.10nm时,则根据锰和硅的原子散射因子η1,η2和经典原子 半径r0的实际数据,利用上述数值方法可以计算该3个周期的4级 Fibonacci序列薄膜系的透射率,计算结果如图6所示。图6的横坐 标为波长,单位为纳米。纵坐标为透射率。其中的实线为膜系透射率 随波长的变化关系。虚线为波长范围λ∈[14.13,14.59]nm。在该波 长范围内,3周期膜系的透射率有6%~8%。

显然,通过调节晶格常数a或薄膜的厚度d,我们可以在波长区 间[ζ1=13.89,ζ2=15.46]nm内获得更高的膜系透射率。

6)根据上述计算结果所得到的材料A和B的厚度d,利用薄膜 制备工艺,用厚度为d的材料A和B,制备m个周期的n级Fibonacci 序列薄膜系,并在制备好的薄膜系的一个表面,利用微加工技术或刻 蚀技术,加工所需要的对称面。对称面的结构是凹面还是凸面需要根 据透镜的用途确定,若透镜用于聚焦软X射线,则需要制备成凹状 对称面结构;若透镜用于发散软X射线,则需要制备成凸状对称面 结构。凹(或凸)状对称面包括球面,抛物面等结构,其尺寸依据透 镜的焦距确定。由此即可制备出使用波长在设计范围内的透射式 Fibonacci序列薄膜透镜。图7为这种透射式Fibonacci序列薄膜聚焦 透镜的一个横截面示意图。其中,箭头表示入射光的入射方向。白色 部分为A材料构成的薄膜,用图中的字母A表示;而阴影部分为B 材料构成的薄膜,用图中的字母B表示。a为光子晶体的晶格常数。 对称面为凹状球对称面。

例如,若认为上述锰和硅材料制备的3周期4级Fibonacci序列薄膜 系的透射率可以满足透镜透射率的要求,则可以利用镀膜技术,使用 锰和硅材料制备每层厚度为3.1nm的3周期4级Fibonacci序列薄膜 系,而后,在其一个表面加工所需要的对称面,从而构成透射式 Fibonacci序列薄膜透镜。

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