形成超声匹配层的方法及超声换能器

摘要

本发明提供形成超声匹配层的方法及超声换能器。一种形成超声匹配层的示例性方法包括以下步骤：(a)提供一个声阵列换能器堆，其包括一个压电层并具有一个顶面和多个阵列元件，其中所述顶面包括多个未布置在所述多个阵列元件上的隔离物；(b)提供一个透镜组件，其具有顶面和底面；(c)将所述透镜组件的底面与多个隔离物相接触；(d)将换能器堆的顶面与透镜组件的底面之间的粘合剂熟化，以形成超声匹配层，其中所述粘合剂结合至透镜组件的底面和换能器堆的顶面，由所述多个隔离物产生的在所述换能器堆的顶面和所述透镜组件的底面之间的距离适合一个超声匹配层。

说明书

本申请是申请日为2009年9月18日、名称为“用于制造超声换 能器和其他部件的方法”的第200980145902.1号发明专利申请的分 案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求享有共同于2008年9月19日提交的美国临时申请 No.61/192,661和No.61/192,690的利益，所述两个申请都通过引用 方式在此纳入本文。

技术领域

本发明涉及制造电子部件诸如超声换能器的领域。

发明内容

总体而言，本发明提供用于制造电子部件诸如阵列超声换能器的 方法。

一方面，本发明在于一种制造呈一个图案的电极的方法,所述方法 包括如下步骤：提供一个电气部件，其包括多个第一电极；将包括多 个第二电极的连接器放置在所述电气部件附近；将包括基质材料和颗 粒材料的复合介质材料沉积在所述多个第一电极和所述多个第二电极 上，其中所述基质材料相比于所述颗粒材料在较低能量密度下被激光 烧蚀；将所述复合介质材料的至少一部分激光烧蚀以去除基质材料并 增加所述复合介质材料的表面积；将所述复合介质材料激光烧蚀以暴 露所述多个第一电极和所述多个第二电极；以及在所述复合介质材料 中从所述多个第一电极中的每一个电极到所述多个第二电极中的相应 电极激光烧蚀一个沟；在已经被烧蚀的区域上沉积导电金属；在所述 导电金属上沉积抗蚀剂，其中与其他烧蚀区域相比，所述抗蚀剂在所 述多个第一电极、多个第二电极以及所述沟上更厚；以及去除所述抗 蚀剂的一部分使得以呈一个负的图案来暴露所述导电金属并蚀刻所述 导电金属的暴露部分以制造呈所述图案的电极。本方法还可包括将经 过蚀刻的导电金属区域进行激光烧蚀，以去除位于其中的至少一部分 所述复合介质材料。在该可选步骤中，基本上所有的所述复合介质材 料和位于经过蚀刻的导电金属区域下方的部件的一部分可被烧蚀。

在一个相关方面，本发明在于一种用于制造呈一个图案的电极的 方法，所述方法包括以下步骤：提供一个超声阵列换能器堆，所述堆 具有一个压电层和在所述堆内延伸预定深度的多个第一切口槽，其中 所述多个第一切口槽限定多个超声阵列元件；将具有用于多个阵列元 件中的每一个阵列元件的电连接的连接器放置在所述堆的附近；在所 述堆的底面以及所述连接器的一部分上沉积包括基质材料和颗粒材料 的复合介质材料，其中所述基质材料相比于所述颗粒材料在较低能量 密度下被激光烧蚀；将所述复合介质材料的至少一部分激光烧蚀以去 除基质材料并增加所述复合介质材料的表面积；将所述复合介质材料 激光烧蚀以暴露所述多个阵列元件；以及在所述复合介质材料中从每 个阵列元件到连接器中的一个电连接激光烧蚀一个沟，其中所述烧蚀 不暴露所述多个第一切口槽；在步骤已经烧蚀的区域上沉积导电金属； 在所述导电金属上沉积抗蚀剂，其中与所述多个第一切口槽相比，在 每个阵列元件和沟上的抗蚀剂更厚；以及去除所述抗蚀剂的一部分使 得以呈一个相对所述电极的图案为负的图案来暴露所述导电金属的一 部分，以及蚀刻所述导电金属的暴露部分以制造呈所述图案的电极。 本方法还可包括将经过蚀刻的导电金属区域进行激光烧蚀，以去除在 所述多个第一切口槽上的所述复合介质材料从而在单个阵列元件之间 形成凹陷。在这个实施方案中，所述第一切口槽可被固体材料诸如环 氧树脂填充。本方法还可包括对单个阵列元件之间的凹陷进行激光烧 蚀，其中接下来对凹陷的烧蚀在相比于制造凹陷所用的能量密更高的 能量密度下进行。本方法还可包括从图案化后的电极去除所述抗蚀剂。 本方法可包括又一个蚀刻步骤以去除由激光烧蚀形成的导电金属毛 刺。优选的，没有步骤在高于70℃时进行。本方法还可包括在沉积导 电金属——例如，金——之前沉积一个粘合剂层——例如，包括铬的 粘合剂层。所述蚀刻步骤可去除沉积在粘合剂层上的导电金属，同时 对所述复合材料的激光烧蚀还可去除通过蚀刻暴露的粘合剂层。优选 地，在不足以烧蚀所述导电金属的能量密度下通过烧蚀去除所述抗蚀 剂。所述多个阵列元件的间距优选至多100μm，例如，至多65μm。 在所述复合介质材料中的示例基质材料是环氧树脂，示例颗粒材料是 二氧化硅或碳化硅。

本发明还在于通过上述方法制造的超声换能器。该换能器包括一 个阵列换能器堆，其具有在所述堆内延伸预定深度的多个第一切口槽， 并且其中所述多个第一切口槽限定多个超声阵列元件；连接器，其具 有用于每个阵列元件的一个电极；以及包括位于所述堆的底面以及所 述连接器的一部分上的基质材料和颗粒材料的复合介质材料，其中所 述基质材料相比于所述颗粒材料在较低能量密度下被激光烧蚀，其中 所述复合介质材料被放置在所述堆的底面以及所述连接器的一部分上 面；其中在所述复合介质材料中的沟将每个阵列元件连接至所述连接 器的电极中的一个；并且其中在每个沟内沉积的金属提供在每个活性 元件和连接器的电极中的一个电极之间的电连接。可选地，所述多个 第一切口槽被固体材料填充，以及所述堆的底面包括在所述固体材料 中的凹陷。所述换能器还可包括布置在所述复合介质材料、所述沟和 每个阵列元件的至少一部分上的背衬层（backing layer）。所述换能 器还可包括附着至所述堆的顶面的匹配层，和/或附着至所述堆的顶面 的透镜。所述阵列元件一般在至少20MHz的中心频率下运行。所述复 合介质层还可倾斜相邻于所述阵列元件中的每一个，以提供变迹 （apodization）并抑制高度上的旁瓣（side lobes）。所述换能器还 可包括限定在所述压电堆中的多个第二切口槽，每个第二切口槽在所 述堆内延伸预定深度，其中每个第二切口槽相邻于至少一个第一切口 槽，并且所述多个第二切口槽限定多个阵列子元件。

另一方面，本发明在于一种形成超声匹配层的方法，所述方法包 括以下步骤：提供一个声阵列换能器堆，其包括一个压电层并具有一 个顶面和多个阵列元件，其中所述顶面包括多个未布置在所述多个阵 列元件上的隔离物；提供一个透镜组件，其具有顶面和底面；将所述 透镜组件的底面与多个隔离物相接触；以及将换能器堆的顶面与透镜 组件的底面之间的粘合剂熟化，以形成超声匹配层，其中所述粘合剂 结合至透镜组件的底面和换能器堆的顶面，由所述多个隔离物产生的 在所述换能器堆的顶面和所述透镜组件的底面之间的距离适合一个超 声匹配层。所述透镜组件可包括一个透镜——其例如，由Rexolite 或TPX制备——和形成组件的底面的第二匹配层——其例如，包括氰 基丙烯酸盐粘合剂。所述第二匹配层可直接附着至透镜。所述换能器 堆还可包括在堆内延伸预定深度的多个第一切口槽，并且其中所述多 个第一切口槽限定多个阵列元件。所述换能器堆还可包括布置在所述 压电层和所产生的匹配层之间的第三和第四匹配层。

在一个相关方面，本发明在于一种超声换能器，其包括具有顶面 和底面的透镜组件；具有顶面和底面的阵列换能器堆；以及一个匹配 层，其附着至所述透镜组件的底面和所述换能器堆的顶面，其中所述 换能器堆包括一个压电层和多个阵列元件，所述换能器堆的顶面包括 多个未放置在所述多个阵列元件上面的隔离物，并且所述透镜组件的 底面与所述多个隔离物相接触。所述换能器堆还可包括在所述堆内延 伸预定深度的多个第一切口槽，并且其中所述多个第一切口槽限定多 个阵列元件；以及可选地在压电堆内限定的多个第二切口槽，每个第 二切口槽在所述堆内延伸预定深度，其中每个第二切口槽相邻于至少 一个第一切口槽，以及所述多个第二切口槽限定多个阵列子元件。所 述透镜组件可包括一个透镜——其例如，由Rexolite或TPX制备—— 和形成组件的底面的第二匹配层——其例如，包括氰基丙烯酸盐粘合 剂。所述第二匹配层可直接附着至透镜。所述换能器堆还可包括布置 在所述压电层和附着至所述透镜组件的底面的匹配层之间的第三匹配 层和第四匹配层。所述阵列元件优选在至少20MHz的中心频率下运行。 所述换能器还可包括对于每个阵列元件有一个电极的连接器，以及包 括位于所述堆的底面以及所述连接器的一部分上的基质材料和颗粒材 料的复合介质材料，其中所述基质材料相比于所述颗粒材料在较低能 量密度下被激光烧蚀，其中所述复合介质材料被放置在所述堆的底面 以及所述连接器的一部分上面；其中所述复合介质材料中的沟将每个 阵列元件与所述连接器的电极中的一个电极相连接；并且其中在每个 沟内沉积的金属提供在每个活性元件和所述连接器的电极中的一个电 极之间的电连接。

另一方面，本发明在于一种在表面上沉积材料——例如，金属或 粘合剂——的方法，所述方法包括以下步骤：提供包括基质材料(例如， 聚合物诸如环氧树脂)和颗粒材料(例如，二氧化硅或碳化硅)的复合介 质衬底；在足以将所述基质材料而非颗粒材料烧蚀的能量密度下激光 烧蚀复合衬底的表面，以形成具有比所述复合衬底的表面更大面积的 烧蚀面；以及将所述材料沉积在所述烧蚀面上，其中将所述材料粘合 至烧蚀衬底的强度大于将所述材料粘合至未烧蚀衬底的强度。用于沉 积的示例金属是金，本方法还可包括在沉积金之前施加粘合剂层。

本发明的优点将在下面的说明中部分给出，部分将从本说明中显 然可见，或者可通过实践本发明了解到。本发明的优点将借助于在所 附权利要求中具体给出的元件和组合被实现和获得。应理解的是，正 如已声明的，上述的概括说明和下面的详细说明都仅是示例性和解释 性的，不意在限制本发明。

附图说明

图1是一个举例示意的压电堆的横截面图（未按比例示出），示 出了：PZT层；地电极层，其安装至PZT层的顶面的一部分并且向外 延伸超出PZT层的纵向边缘；第一和第二匹配层，其安装在地电极层 的顶面的一部分上；透镜；第四匹配层，其安装至透镜的底面；第三 匹配层，其安装至第二匹配层的顶面和第四匹配层的底部的一部分； 以及介质层，其位于换能器的非活性区域下方。还示出了形成在地电 极层的顶表面上的多个隔离物，所述隔离物相对于PZT层的顶面向上 延伸预定距离，使得第四匹配层的底面可位于相对于PZT层和居间的 第一和第二匹配层的预期距离处。

图2是一个示例透镜的示意性横截面图（未按比例示出）。

图3是图1的PZT堆的示例横截面图，示出了换能器的活性区域 和非活性区域。

图4是被示为安装至支持构件的完整的PZT堆的横截面图，并且 示出了背衬层和介质层。所述信号电极（该信号电极未在此处示出， 但是其覆盖了阵列元件和相应柔性电路之间的介质层的一些部分）可 操作地将柔性电路结合至PZT堆中限定的具体阵列元件，地电极电结 合至相应的柔性电路的地。

图5是PZT堆的顶部的俯视图，其中所示的匹配层1和2相附着。

图6是PZT堆的顶部的俯视图，其中一个铜箔使用导电粘合剂安 装至该PZT堆。尽管所示的箔片延伸超过PZT堆的方位长度，但这两 个末端薄片最终会在接下来的制造步骤中被去除。

图7是图6的PZT堆的顶部的俯视图，其中所述铜箔的末端薄片 已被去除。

图8是安装有透镜的PZT堆的顶部的俯视图。

图9是PZT堆的顶部的俯视图，其将透镜示为透明层以便观察下 方的层的校准，以及所述铜箔、隔离物以及透镜的曲率半径的相对校 准和定位。

图10是在PZT堆已被磨合（lap）以实现最终目标厚度之后、且 即将与柔性电路集成以形成阵列组件的PZT堆的示意性横截面图。在 本实施方案中，所述堆的其余层在以后被完成。

图11是将被机械加工进PZT堆的示例切口图案的示意图。在这方 面，较长的线代表在阵列元件之间的第一切口槽，较短的线代表第二 切口槽，即，子方块（sub-dice）切口。

图12A和12B是用于供图10的PZT堆使用的支持构件的示意性俯 视图和立体图，示出第一纵向延伸的侧边缘部分和相对的第二纵向延 伸的侧边缘部分，每个侧边缘部分具有各自的内表面和相对的外表面， 其中第一和第二纵向延伸的侧边缘部分的各自内表面的一部分被配置 如下，使得电路板——诸如，例如但不意在限制，柔性电路板——的 远端部分可与其连接，其中所述支持构件在各自的第一和第二纵向延 伸的侧边缘部分之间具有一个中间部分，该中间部分限定了一个居于 中心的、纵向延伸的开口，其中图10的PZT堆被配置安装在支持构件 的中间部分的一部分上。

图13是被示为粘合至图10的PZT堆的图12A和12B的支持构件 的示意性横截面图。

图14是具有PZT堆固定安装于其中的支持构件的示意性仰视图， 示出了被激光切割进支持结构、并且相对于各自的阵列切口布置的柔 性校准特征（feature）。一方面，右侧的柔性校准特征相对于左侧的 特征偏离如下一段距离，该距离基本等于阵列的间距（pitch）。还示 出了一个放大的俯视图。

图15是具有PZT堆固定安装于其中的支持构件的示意性仰视图， 示出了柔性电路对相对于阵列切口校准的情况。红色条纹代表在柔性 电路的顶侧上的铜迹线。

图16是以芯片方式被接合（be die attached to）至两个柔性电 路之后的PZT堆的示意性横截面图。

图17是示出施加的介质层的示意性横截面图。

图18是所完成的介质层的示意性横截面图。在这方面，介质层限 定了阵列的高度尺寸并且在实现信号电极的沉积方面提供了从柔性电 路到所述堆的平滑过渡面。

图19是信号电极层的信号电极图案的示意图。在本示例中，橙色 条纹代表已被去除的电极，红色条纹代表每个相应柔性电路的引线框 （leadframe）。在本示意图中，示出了在每个柔性电路上方和下方的 附加电极图案。

图20是对于示例256元件换能器的全信号电极图案的示意图。青 色方框限定了PZT堆的活性区域，粉色方框限定了总括信号电极 （blanket signal electrode）的周界。激光修整（橙色）延伸超过 Au周界，使得每个信号电极都被绝缘。

图21是示出应用背衬材料的示意性横截面图。

图22A和22B是在沉积信号电极图案之前，安装在支持构件上的 阵列组件的示意性横截面图。图22A代表在将柔性电路进行接地之前 的阵列组件，图22B代表了进行接地使得完成信号回路之后的阵列组 件。

图23是示出连接至示例PZT堆的一对柔性电路的示意图。在一个 示例实施方案中，示出了组件的引脚1（即，元件1），其连接至阵列 组件左侧的柔性电路。在本非限制性实施例中，阵列组件左侧的柔性 电路连接至奇数元件，阵列组件右侧的柔性电路连接至偶数元件。

具体实施方式

本发明在于用于制造电气部件诸如超声换能器的方法。具体而言， 本发明提供了在表面上沉积材料诸如金属的方法；图案化电极的方法， 例如在将超声换能器连接至电路的部件方面；以及为超声换能器制造 集成匹配层的方法。本发明还在于由此处描述的方法制造的超声换能 器。

沉积材料

本发明提供了用于使材料附着至表面——例如金属薄膜或诸如环 氧树脂的粘合剂——的改进方法。本方法还涉及使用复合材料的衬底。 所述复合材料包括基质材料和颗粒材料，所述基质材料相比于所述颗 粒材料在较低激光能量密度下被烧蚀。当该衬底在合适能量密度下烧 蚀时，基质材料被去除，但是颗粒材料得到保留，除非包围所述颗粒 的所有基质材料都被去除。该方法得到的是，一个由基质和部分暴露 的颗粒材料相结合形成的高度三维的表面。相比于未烧蚀的表面，该 新形态的表面区域极大地增加。然后将材料诸如金属或粘合剂沉积到 烧蚀后的表面上，由于烧蚀形成的形态，粘附力增加。增加的粘附力 优选允许选定区域内的材料稍后烧蚀，而不使未烧蚀区域中的材料分 层。示例的基质材料是聚合物诸如环氧树脂，示例的颗粒材料是二氧 化硅和碳化硅。用于沉积的示例金属是金。如本领域所知的，对于某 些金属，诸如金，粘合层——例如包括铬的粘合层也可被沉积。此处 提供了本方法的条件和用途的实施例。

电极图案化

本发明还提供了用于图案化电极的方法。本方法可被用于将能够 耐得住镀金属法步骤（最高温度约60℃-70℃之间）的任意电气部件 直接连接至柔性或其他电路板类型的部件。本方法可被用于沿X，Y和 Z方向，于mm规模的路程上制造小于5μm的特征（feature）。

通常，本方法包括提供需要电极图案化的电气部件。所述部件被 涂覆以材料，诸如上述的复合材料。该涂层被常规地烧蚀，并按照电 极的预期图案被选择性去除。接下来将导电金属层沉积在烧蚀后的表 面上。然后将抗蚀剂应用在金属层上。因为所述涂层按照电极图案被 去除，其中在涂层被去除处所施加的金属被沉积在槽或沟中。这些槽 或沟被注满抗蚀剂，导致形成高出电极图案的更厚的抗蚀剂层。接下 来从不构成电极图案部分的区域中去除所述抗蚀剂，并蚀刻所述金属。 然后将这些区域中任何剩下的金属和涂层烧蚀。最后，所述抗蚀剂可 被去除，形成电极图案。如此处更加详细描述的，电气部件的一部 分——例如，换能器的切口槽中的填料——会被烧蚀以形成相对于图 案化电极的凹陷。接下来可使用在相对高能量密度下在这些凹陷中的 烧蚀，以去除先前步骤后留下的无关金属。所述凹陷保护图案化电极 免受烧蚀的副作用（其原本可能会导致分层）的影响。

本方法的一个示例用途在于制造与阵列超声换能器的电连接。阵 列的每个元件一般都连接至一个同轴电缆。在高频（例如，20MHz及 以上）时，构成阵列的元件一般都太小且易损，因而不适于常规的引 线接合法（其通常需要至少约75μm）。另外，引线接合法所需的热聚 集（thermal budgets）也会成为问题。对于高频换能器，湿蚀刻也会 无效，这是由于热聚集而无法对抗蚀剂进行硬烤（hard bake），因为 抗蚀剂会在去除金属之前就融解。电极的激光烧蚀也会成问题，因为 薄膜可被去除，但是频繁破裂，以及提供抗裂性的较厚膜（>约6000 埃）由于激光烧蚀中的金属的溅射，倾向于短路。此外，烧蚀过程可 能会造成电极的附带损害。然而，本发明的方法可被用来制备与阵列 的多个元件的多个电连接，所述阵列例如具有40μm或更小（例如， 小于25μm）的间距，以及小到16μm宽的子元件（sub-element）。

可结合本发明用于烧蚀的激光器是短波激光器诸如KrF受激准分 子激光器系统（具有例如约248nm波长）或氟化氩激光器（具有例如 约193nm波长）。另一方面，用于切割压电层的激光器是短脉冲长度激 光器。例如，可以使用被修改为发射大约ps到fs的短脉冲长度的激 光器。可使用具有大约0-20J/cm²的能量密度范围的KrF受激准分子 激光器系统（具有大约248nm波长的UV光）。可在低于去除导电材料 所需的能量密度下去除抗蚀剂（例如，小于0.8J/cm²）。当希望如此 处所述通过烧蚀来去除残留的导电金属、粘合层以及复合材料时，能 量密度可在0.8-1.0J/cm²之间。较高能量密度——例如，高达5 J/cm²——下的烧蚀可被用来去除位于凹陷中的复合材料（以及位于其 下的部分电气部件）。

此处提供了本方法的条件和用途的进一步实施例。

集成匹配层

本发明在于用于制造集成匹配层的方法。对于高频应用，用于聚 焦超声阵列的透镜通常被制造为一个分立的部件，其必须附着至换能 器。在高频下，使用粘合剂附着透镜很复杂，因为对于20MHz，需要 将任一粘合线减少至小于大约1μm，对于较高频，则需要减少至较薄。 产生这样的粘合线存在以下挑战：i)当粘合剂中的基本球形的小空隙 被挤平时，产生大空隙。这样的空隙可能由任一个表面上的潮湿问题 造成，或者由粘合剂中截留的小空隙造成。ⅱ)将粘合线挤压成这样的 尺寸会干扰分子在粘合剂中的迁移率并降低性能。ⅲ)为了将粘合线压 至合适尺寸，必须将位于粘合在一起的两个部分之间的多余的粘合剂 从中挤压出。随着粘合厚度减少，克服粘合剂内的剪切力所需的力随 着粘合厚度非线性增加，并且会迅速超出所述堆和/或透镜材料可接受 的力预算。为了确保粘合线对所述堆没有不利影响，本发明提供了一 种将粘合线制造进匹配层的方法。本方法消除了对于超薄层的需要， 从而摆脱了上述顾虑。

本方法利用了施加在换能器周界的、并继而被磨合以实现集成匹 配层的预期最终高度的隔离物。然后通过将透镜（以及附着至透镜的 任意匹配层）和隔离物所附着至的表面之间的粘合剂进行熟化来制造 匹配层。如果在粘合剂中使用颗粒例如用于调整声阻抗，可使用纳米 颗粒掺杂质以确保所形成的未熟化的胶能够以不超出少量微米的误差 被向下压到隔离物上（由于颗粒被限制在隔离物的顶部和透镜的底部 之间）。希望隔离物非常小以使限制的粉末最少化，但是又得大到足以 被准确磨合至一个高度，其直径例如约0.25-0.75mm。在预期频率范 围内，该方法所需的夹紧力非常小，因为粘合线相对较厚，例如在 5-25μm之间。此处提供了本方法的条件和用途的实施例。

对换能器的综述

还将围绕可使用此处描述的方法而制造的超声换能器来进一步描 述本发明。换能器堆的部件，包括压电层、匹配层、透镜以及背衬层 在本领域是公知的，并被描述在美国专利No.7,230,368、美国公开文 本No.2007/0222339、美国公开文本No.2007/0205698以及美国公开 文本No.2007/0205697中。

一方面，超声换能器包括一个堆，该堆具有第一面、相对的第二 面以及延伸在二者之间的纵向轴线Ls。所述堆包括多个层，每层都具 有顶面和相对的底面。一方面，所述堆的多个层包括压电层和介质层 （其可如此处所述被沉积并被图样化）。一方面，所述介质层连接至压 电层的至少一部分并位于其下面。

所述堆的多个层还可包括地电极层、信号电极层、背衬层，以及 至少一个匹配层。附加的层的切面可包括但不限于暂时性保护层（未 示出）、声透镜、光致抗蚀剂层（未示出）、导电环氧树脂（未示出）、 粘合剂层（未示出）、聚合物层（未示出）、金属层（未示出）等。

所述压电层可由各种材料制成。例如，形成压电层的材料包括陶 瓷、单晶体、聚合物和共聚物材料、具有0-3、2-2和/或3-1连接性 （connectivity）的陶瓷-聚合物和陶瓷-陶瓷复合物等。在一个实施 例中，压电层包括锆钛酸铅（PZT）陶瓷。

所述介质层可限定所述压电层的活性区域。所述介质层可被应用 至所述压电层的底面。一方面，所述介质层不会覆盖所述压电层的整 个底面。一方面，所述介质层限定一个开口或间隙，其沿着与所述堆 的纵向轴线基本平行的方向延伸第二预定长度。所述介质层中的开口 优选与压电层的底面的中心区域对准。所述开口限定阵列的高度尺寸。 一方面，阵列的每个元件都具有相同的高度尺寸，且开口的宽度在如 下的压电层区域内是恒定的，该区域被保留用于已形成切口槽的器件 的活性区域。一方面，介质层中的开口的长度可沿着基本垂直于所述 堆的纵向轴线的轴线方向以预定方式变化，最终形成阵列元件的高度 尺寸的变化。

介质层和压电层的相对厚度以及介质层和压电层的相对介电常数 限定了所施加的电压在两个层上被分割的程度。在一个实施例中，电 压可被分割为介质层占90%、压电层占10%。可以设定，可改变在介质 层和压电层上的电压分割比率。在其下面没有介质层的压电层部分中， 施加电压的整个大小都在压电层上。这部分限定了阵列的活性区域。 在这方面，介质层允许了使用比活性区域更宽的压电层，并且允许了 在活性区域中制造切口槽，并允许切口槽以一种方式延伸超出该区域， 使得即阵列元件和阵列子元件被限定在活性区域中，但是在顶面上保 持共同的地。

在堆中限定了多个第一切口槽。每个第一切口槽在堆内延伸预定 深度，且沿基本平行于所述堆的纵向轴线的方向延伸第一预定长度。 所述第一切口槽的“预定深度”可遵照如下预定深度轮廓（profile）， 该轮廓根据第一切口槽的相应长度上的位置而变。每个第一切口槽的 第一预定长度至少与介质层所限定的开口的第二预定长度一样长，且 比沿基本平行于所述堆的纵向轴线的纵向方向的位于所述堆的第一面 和相对的第二面之间的纵距要短。一方面，多个第一切口槽限定了多 个超声阵列元件。

所述超声换能器还可包括多个第二切口槽。在这方面，每个第二 切口槽在堆内延伸预定深度，且沿基本平行于所述堆的纵向轴线的方 向延伸第三预定长度。第二切口槽的“预定深度”可遵循如下预定深 度轮廓，该轮廓根据第二切口槽的相应长度上的位置而变。每个第二 切口槽的长度至少与介质层所限定的开口的第二预定长度一样长，且 比沿基本平行于所述堆的纵向轴线的长度方向的位于所述堆的第一面 和相对的第二面之间的纵距要短。一方面，每个第二切口槽相邻于至 少一个第一切口槽。一方面，多个第一切口槽限定了多个超声阵列元 件，多个第二切口槽限定了多个超声阵列子元件。例如，对于一个如 下的阵列：该阵列中，两个相应的第一切口槽之间有一个第二切口槽， 每个阵列元件具有两个阵列子元件。对于每个阵列元件具有两个子方 块元件的64-元件阵列来说，制造129个相应的第一和第二切口槽以 制造128个压电子元件，其构成阵列的64个元件。可以设定，对于较 大阵列可增加该数字。对于没有子方块的阵列，对于具有64个和256 个阵列元件的阵列结构可分别使用65个和257个第一切口槽。一方面， 第一和/或第二切口槽可被注满空气。在替代方面，第一和/或第二切 口槽也可被注满液体或固体，诸如，例如聚合物。

因为第一切口槽和第二切口槽都不延伸进所述堆的相应第一面和 第二面中的任一个，即，所述切口槽具有中间长度，所形成的阵列元 件被位于所述堆的相应第一面和第二面附近的所述堆的毗邻部分支 撑。

所述堆的压电层可在如下频率共振，即，相对于电流诊断成像频 率标准(current clinical imaging frequency standards)被认为是 较高的频率。一方面，压电层在大约30MHz的这一中心频率处发生共 振。在其他方面，压电层在处于大约10-200MHz之间、优选处于大约 20-150MHz之间、以及更优选处于大约25-100MHz之间的一中心频率 下共振。

多个超声阵列子元件中的每一个都有大约0.2-1.0的宽高比，优 选大约0.3-0.8之间，更优选大约0.3-0.7之间。一方面，对于压电 元件可以使用小于约0.6的宽高比。该宽高比以及由此产生的几何形 状有助于将阵列元件的横向共振模式与用于产生声能的厚度共振模式 分开。因此，所给出的宽高比被配置用于防止压电条内的任何横向共 振模式干扰首要的厚度模式共振。如本领域技术人员所能理解的，类 似的横截面设计可被考虑用于其他类型的阵列。每个阵列元件可包括 至少一个子方块切口，使得每个阵列元件将实际上包括两条或更多的 条，其中属于每一个各元件的所有条的信号电极一起电短路。

压电条的宽高比还会影响阵列元件的方向性（directivity），即， 宽度越窄，方向性就越低，并且阵列的转向角(steering angle)就越 大。对于具有大于约0.5λ的间距的许多阵列而言，针对驱动元件的 小孔产生的栅瓣（grating lobes）的振幅将增加。PZT条的各种示例 宽高比可包括但不限于：

第一和/或第二切口槽可被空气或液体或固体——诸如聚合 物——填充。填充物可以是如下低声阻抗材料，即，将阵列结构内的 相邻压电条之间的机械耦合（coupling）最小化的低声阻抗材料。如 果选定，低声阻抗材料可具有在压电条的带宽之外的声响应以避免与 压电条的任何不想要的耦合。应理解，填充物的选择会影响阵列元件 的有效宽度，即，阵列元件的有效宽度将会由于元件之间的任何机械 耦合而等于或大于阵列元件的实际宽度。而且，随着有效宽度增加， 阵列元件的方向性将稍微增加。例如，但不意在限制，Epotek301和 /或301-2环氧树脂等可被用做切口填充物材料。

使用多个第一和第二切口槽，通过“子方块”形成子元件是一种 如下技术，其中两个相邻的子元件被一起电短路，使得所述一对短路 的子元件如同阵列的一个元件一样工作。对于指定的元件间距——其 是第一切口槽形成的阵列元件的中心与中心之间的间隔——子方块允 许实现提高的元件宽高比，使得元件内不想要的横向共振被调整到器 件运行的预期带宽之外的频率。

一方面，所述堆的压电层具有大约7.5-300微米的间距，优选大 约10-150微米，更优选大约15-100微米。在一个实施例中，且不意 在限制，对于30MHz的阵列设计，对于1.5λ所形成的间距是大约74 微米。

在高频下，当阵列元件的宽度和切口槽的宽度按比例缩小至1-10 微米量级时，在阵列制造中希望制造窄的切口槽。缩小切口槽可使阵 列的间距最小化，使得在阵列器件的正常运行中，能量的栅瓣的影响 可被最小化。而且，通过将切口槽变窄，对于指定阵列间距而言，通 过去除尽可能少的压电层，元件强度和灵敏度被最大化。使用激光加 工，压电层可被图案化以细小的间距并保持机械完整性。

如上指出的，多个层还可包括信号电极层和地电极层。所述电极 可通过施加金属化层来限定，所述金属化层覆盖介质层和压电层的暴 露区域。如本领域技术人员可以理解的，所述电极层可包括任意金属 化表面。可以使用的电极材料的非限制性实施例是镍（Ni）。不进行氧 化的较低阻抗（在1-100MHz下）的金属化层可通过薄膜沉积技术诸如 溅射（蒸发、电镀等）被沉积。Cr/Au组合（分别为300/3000埃）是 一个这样的较低阻抗的金属化层的示例，但是也可使用较薄和较厚的 层。铬被用作金的界面间粘合层。如本领域技术人员清楚的，可以设 定，可使用在半导体和微制造领域中公知的其他惯用的界面间粘合层。 信号电极可如此处所述被图案化。

所述堆的多个层还可包括至少一个匹配层，所述匹配层具有顶面 和相对的底面。一方面，所述多个层包括两个这样的匹配层。第一匹 配层的底面的至少一部分可连接至压电层的顶面的至少一部分。如果 使用第二匹配层，第二匹配层的底面的至少一部分连接至第一匹配层 的顶面的至少一部分。所述匹配层能至少与介质层中所限定的开口在 基本平行于所述堆的纵向轴线的长度方向上的第二预定长度一样长。 此处描述了用于制造集成匹配层的方法。

匹配层的厚度通常等于处于器件的中心频率下的声音在匹配层材 料本身内的波长的大约1/4。这些匹配层的具体厚度范围取决于对这 些层的选择、这些层的具体材料特性以及器件的预期中心频率。在一 个实施例中，且不意在限制，对于聚合物基的匹配层材料，在30MHz 下，其优选厚度值为约15-25μm。

一方面，匹配层的声阻抗可在8-9Mrayl之间；另一方面，该声 阻抗可在3-10Mrayl之间；再一方面，该声阻抗可在1-33Mrayl之间。

所述堆的多个层还可包括一个背衬层，其具有顶面和相对的底面。 一方面，背衬层基本填充介质层所限定的开口。另一方面，背衬层的 顶面的至少一部分连接至介质层的底面的至少一部分。又一方面，介 质层的基本所有底面都连接至背衬层的顶面的至少一部分。再一方面， 背衬层的顶面的至少一部分连接至压电层的底面的至少一部分。

所述匹配层和背衬层可选自声阻抗位于空气和/或水的声阻抗与 压电层的声阻抗之间的材料。另外，如本领域技术人员可以理解的， 环氧树脂或聚合物可与各种组分和各种比例的金属和/或陶瓷粉末混 合，来制造具有各种声阻抗和声衰减的材料。在本公开文本中，可以 设定任意这样的材料的组合。匹配层的选择范围从1-6分立层到一个 逐渐变化的层，背衬层的选择范围从0-5分立层到一个逐渐变化的层， 所述选择改变了某一具体中心频率下的压电层的厚度。

一方面，换能器的背衬层可被配置使得当压电元件被电激发或者 在接收模式运行时，朝向背衬层向下传播的声能被背衬材料吸收以避 免在超声换能器堆的厚度内任何不必要的声反射。一方面，为了影响 对进入背衬材料的声能的预期吸收，具有高的声衰减的单一背衬材料 被配置得足够厚使得该层像无限厚的层一样起作用。如果设定了不止 一种背衬材料，为了以任意方式调节换能器的带宽和/或特征频率响 应，则相应地选择声阻抗。在一个示例方面，背衬层可包括掺杂粉末 的环氧树脂。

一方面，透镜可被布置为与堆的最上层的顶面处于基本覆盖配准 （overlying registration）。所述透镜可被用于将声能聚焦。所述透 镜可由本领域技术人员所能知晓的聚合物材料制成。在一个优选方面， 所述透镜可由与水良好匹配且具有低声损耗的材料制成。例如，具有 三个平坦侧面和一个曲面的预形成或预制造的Rexolite块可被用作 透镜。曲率半径（R）是由声透镜的预期焦距决定的。例如但不意在限 制，所述透镜可通过利用计算机数字控制设备、激光加工、模制等被 常规地成型。一方面，曲率半径足够大使得曲率宽度（WC）至少与介 质层所限定的开口一样宽。示例的透镜材料是聚甲基戊烯（例如， ）以及交键的聚苯乙烯（例如，）。

Rexolite中的声速大于水中的声速，因此，透镜由凹面制成。透 镜的曲率半径限定了阵列的升高的焦深。对于10mm的焦距，曲率半径 （R）=3.65mm。再一方面，透镜的最大曲率深度可被最小化以避免在 成像过程中使用的声凝胶中截留有空气包（air pocket）。又一方面， 透镜最薄的横截面部分可以被制得尽可能薄，使得在透镜的正面形成 的内部声反射暂时保持接近主脉冲。又一方面，透镜的最薄的横截面 部分可以足够厚以通过BF和/或CF等级的IEC患者泄露电流测试。 在另一方面，透镜的曲率可延伸超出阵列的活性区域，以避免由于透 镜边界不连续性所导致的任何不希望的衍射。示例Rexolite透镜的示 例焦深和曲率半径为：

在一个优选方面，透镜的最小厚度基本位于介质层所限定的开口 或间隙的中心的上方。而且，曲率宽度大于介质层所限定的开口或间 隙。一方面，透镜的长度可大于切口槽的长度，以允许一旦将透镜安 装在换能器器件的顶部上面，所有的切口槽都被保护并密封。

至少一个第一切口槽可延伸穿过或进入至少一个层，以达到其在 堆中的预期深度/深度轮廓。所述堆的层中的一些层或全部层可被基本 上同时切穿或切入。这样，多个所述层可被基本上同时选择性地切穿。 此外，正如本领域技术人员可以明了的，一些层可被同时选择性地切 穿，而另一些层可随后在多个时刻被选择性地切穿。一方面，至少一 个第一和/或第二切口槽的至少一部分延伸至如下预定深度，该深度是 从压电层的顶面到压电层的底面的距离的至少60%；以及至少一个第 一和/或第二切口槽的至少一部分可延伸至如下预定深度，该预定深度 是从压电层的顶面到压电层的底面的距离的100%。

至少一个第一切口槽的至少一部分可延伸进入介质层预定深度， 且一个第一切口槽的至少一部分还可延伸进入背衬层预定深度。如本 领域技术人员会明了的，进入背衬层的预定深度可从0微米变化到等 于或大于压电层自身的厚度。利用激光实施穿过背衬层的微加工可在 相邻元件之间的绝缘方面提供显著改进。一方面，一个第一切口槽的 至少一部分延伸穿过至少一个层，并延伸进入背衬层预定深度。如此 处所述，进入背衬层的预定深度可变化。与同一相应切口槽的另一部 分的预定深度相比，或与沿其纵向方向基本平行于所述堆的纵向轴线 的另一个切口槽的至少一部分的预定深度相比，至少一个第一切口槽 的至少一部分的预定深度可变化。另一方面，至少一个第一切口槽的 预定深度可比至少一个另一切口槽的预定深度更深。

如上所述，至少一个第二切口槽可如上文针对第一切口槽所描述 的一样，延伸穿过至少一个层达到其在所述堆中的预定深度。第二切 口槽可如上文针对第一切口槽所描述的一样延伸进入或穿过所述堆的 至少一个层。如果所述堆的各个层被单独切割，所述堆的给定层中的 每一个切口槽，无论第一切口槽还是第二切口槽都会基本与位于其相 邻层中的相应槽覆盖配准。

换能器还可包括一个支持构件，从而为换能器的各种部件提供机 械支撑，并且在制造过程中提供辅助。

现在将围绕图1-23中大体示出的换能器配置描述本发明。超声换 能器包括堆800，所述堆具有第一面802、相对的第二面804，以及在 二者之间延伸的纵向轴线Ls。所述堆具有多个层，每个层具有顶面828 和相对的底面830。所述堆的多个层包括例如压电层806、介质层808， 以及多个匹配层。所述介质层可连接至压电层的至少一部分并位于其 下面。在一个实施例中，所述多个匹配层包括在堆中的四个匹配层。

所述堆的多个层还可包括地电极层810、信号电极层812和背衬 层814，所述地电极层被布置在压电层的顶面上。

如图1和图3中所示，换能器堆限定了一个活性区域和一个非活 性区域，其中一个介质层被提供在地电极的下方，所述地电极充当电 势分割器并限制施加在压电层上的电压。在附图中，所述堆包括活性 区域中的以下各层（从上到下）：

在非活性区域，所述堆换能器包括以下各层（从上到下）：

压电层806可由各种材料制成。例如但不意在限制，形成压电层 的材料可包括陶瓷、单晶体、聚合物和共聚物材料，具有0-3、2-2 和/或3-1连接性的陶瓷-聚合物以及陶瓷-陶瓷复合物，诸如此类等。 在一个实施例中，压电层包括锆钛酸铅（PZT）陶瓷。

如图6-7中所示，相应的第一和第二地电极的内缘可具有如下锯 齿状或阶梯状设计，其有助于在地电极粘合至压电层时帮助避免任何 故障线（fault lines）。又一方面，相应的第一和第二地电极的外缘 被配置为延伸越过压电层的相应的纵向面边缘，使得它们可如所预期 地被布置为与电路板电通信以形成预期的接地。从而，一方面，地电 极层的一部分一般保持暴露以允许信号地可从地电极被连接至电路 板。

再一方面，相应的第一和第二地电极的内缘彼此间隔开一个如下 距离，该距离足以使相应的第一和第二匹配层被顺序安装在相应的第 一和第二地电极的内缘之间的压电层的顶面上。在这方面，第一和第 二匹配层816、826的纵向延伸边缘可与相应的第一和第二地电极的内 缘间隔开。可选地，可提供多个隔离物，使其位于如所述堆的活性区 域所限定的声场的外侧，处于相应的第一和第二地电极的顶面的一部 分上。每个隔离物900相对于压电层的顶面向上延伸预定距离，使得 第四匹配层846的底面可相对于压电层和居间的第一和第二匹配层位 于预定距离。在这方面，一个隔离物可位于或形成在相应的第一和第 二地电极的锯齿状内缘的向内延伸部分上。一方面，一旦完成所述堆 的装配，由所述隔离物900形成的间隔等于所述堆的第三匹配层836 的厚度。可以设定，所述隔离物可由可被磨合成或构造至目标厚度的 任意材料制成。

在一个示例方面，介质材料包括掺杂二氧化硅的Epotek301环氧 树脂，其具有大约为4的较低的相对介电常数，并且当介质表面被低 能量密度的UV光和/或等离子体处理时，其可对溅射的金提供强粘附。 又一方面，介质的厚度可至少为10μm，优选至少10μm，更优选至少 20μm。可选地，介质层的边缘可相对于横截面倾斜，以提供一些变迹 （apodization）并帮助抑制高度上的旁瓣（side lobe）。倾斜的具体 形状可由本领域技术人员基于对超声波的预期影响来选择。另一方面， 限定阵列的高度尺寸的掺杂环氧树脂介质层中的间隙的宽度可优选在 大约0.5mm-3.5mm之间，更优选在大约0.75mm-3.0mm之间，最特别地 在1.0mm-3.0mm之间。

所述堆的多个层还可包括至少一个匹配层，该匹配层具有一个顶 面和相对的底面。又一方面，每个匹配层的声阻抗可被配置使得声阻 抗从压电层上方的第一匹配层至正好位于透镜下面的顶部匹配层单向 减少。在一个示例方面，匹配层中的至少一个层是聚合物基的。还可 以设定所有的匹配层都是聚合物基的。再一方面，示例的多个匹配层 可形成不具有可察觉的相位中断的基本平滑的脉冲响应。脉冲响应的 平滑性质意味着在时间和换能器的频率响应之间存在着可预知的关 系。

在一个示例性给出的方面，多个匹配层包括四个这样的匹配层。 在一个示例方面，第一匹配层816的底面的至少一部分可连接至地电 极层的顶面的至少一部分，所述地电极层如上所述安装在压电层的顶 面上。第二匹配层826的底面的至少一部分连接至第一匹配层的顶面 的至少一部分。第一和第二匹配层可以至少与介质层所限定的开口在 基本平行于所述堆的纵向轴线的长度方向上的第二预定长度一样长。

如图8-9中所示，透镜809可被放置为与作为所述堆的最上面的 层的匹配层的顶面基本覆盖配准。在这方面，透镜是一个可被用于将 声能聚焦的固定透镜。例如，一块预形成或预制造的Rexolite——其 可具有三个平坦的侧面和一个曲面——可被用作透镜。又一方面，固 定透镜809提供了一种用于在高度上进行聚焦的装置。透镜的厚度可 比压电层或匹配层更厚。

一方面，第四匹配层846的顶面粘合至透镜的底部平面。在其中 透镜由Rexolite制成的实施方案中，第四匹配层846可由氰基丙烯酸 盐（CA）粘合剂制成，该粘合剂是一种可被牢固粘合至Rexolite透镜 的低声学材料，正如美国公开文本No.2007/0205698中所描述的。当 然，可以设定，可使用能够被牢固粘合至预期透镜材料的任意低阻抗 材料。又一方面，优选的是CA层的底面——即，第四匹配层——粘合 连接至第二匹配层的顶面。在这方面，第四匹配层的底面坐于多个隔 离物的顶面上，使得透镜可位于距第二匹配层预期距离处/与第二匹配 层间隔开预期距离。在这方面，粘合层将透镜粘合至所述堆。

所应用的粘合剂层还可作为第三匹配层836，只要施加至透镜的 底面的粘合剂层在厚度上相对于波长是合适的（诸如，例如但不限于， 在厚度上是波长的1/4）。在这个实施例中，可以设定，选择粉末以及 选定粉末浓度来调节声阻抗使其匹配预期的声学图（acoustic profile）。本领域技术人员将明白Epotek301环氧树脂、Epotek301-2 环氧树脂以及诸如此类可被用作粘合剂层以形成所述的第三匹配层。 Epotek301环氧树脂在其纯状态（pure state）下具有2.9Mrayl的 声阻抗，并且可被掺杂具有不同成分和大小的粉末以形成0-3复合材 料，所述材料可被配置为在控制声音的密度和速度上具有预期的声阻 抗。在这个示例方面，CA层充当作换能器的匹配层之一。从而，在一 个非限制性实施例方面，多个匹配层可包括一个CA层，三个位于下面 的匹配层可包括装有粉末的Epotek301环氧树脂、Epotek301-2环 氧树脂以及诸如此类。

再一方面，在将透镜安装到堆上之前，CA层和透镜可被激光切割， 其有效地将阵列切口（即，第一和/或第二阵列切口槽）——以及在一 方面，子方块切口或第二切口——延伸穿过两个匹配层（或者如果使 用了两个匹配层的话）进入透镜。如果CA和透镜被激光切割，可使用 一个拾放机器（或者根据被粘合在一起的实际部件来设计具体尺寸和 形状的校准夹具）在堆的顶层的最上表面同时沿X和Y将透镜校准。 为了激光切割CA和透镜，可使用大约0.5-5J/cm²的激光能量密度。

在各种示例方面，阵列具有下列声设计特征：

实施例1–图案化电极

一个柔性电路被放置在一个相对于超声阵列平面成45度倾斜的 平面上，所述柔性电路的每个指状物（finger）与相应的阵列元件排 成直线。两块柔性电路——阵列的每一侧有一个——相互错列，使得 每个柔性电路是阵列的间距的两倍。所述柔性电路永久粘附在这个位 置。整个组件被填充二氧化硅颗粒的环氧树脂充满，所述环氧树脂覆 盖所有的柔性指状物。所述环氧树脂被塑形以形成在所有阵列上的平 滑的内部轮廓，使得从一个面到另一个面没有突然过渡。

然后利用一个受激准分子激光器（例如，248nm）来选择性地暴露 阵列的活性区域——通过使用一个不会烧蚀压电物质但是却可去除环 氧树脂混合物的能量密度，从压电的表面，例如，沿每个元件的PZT， 去除颗粒/环氧树脂。在活性区域的每个元件之间留有切口宽度的隆起 （ridges）。然后从柔性指状物上去除环氧树脂混合物，暴露柔性电 路的铜。然后从每个元件到其相应的指状物之间形成沟（trenche）。 溅射所述换能器，使整个内表面覆盖1μm的金。可以使用任意本位金 属（standard metal）。可使用一个铬粘合层与金沉积物相结合。环 氧树脂混合物的激光烧蚀和压电的激光激活提高了金属的粘附力。

将标准的正性光致抗蚀剂涂覆到金上。由于所述沟和隆起，所述 抗蚀剂较厚地淤积在沟内而在较高区域保持较薄。所述抗蚀剂可以允 许被干燥但是不允许进行硬烤。使用设置到非常低能量密度（大约0.3 J/cm²）的激光去除抗蚀剂而不损坏下面的金。这是重要的，因为直接 对金烧蚀一般会导致剩下的电极的间接损坏。在如此将电极负图案暴 露在抗蚀剂中之后，使用标准湿金蚀刻方法在高达50℃的稍高温度下 将金蚀刻长达数分钟。这样做的结果是将几乎所有的金向下移至 Cr/Au合金区域，该区域仅是大约300埃厚。

使用处于稍微较高能量密度——例如，大约0.8J/cm²——的激光 去除剩下的金属。该能量密度将去除剩下的金属并在金层下的环氧树 脂中形成沟。在其中切口小于5μm的活性区域，可使用第三、高能量 密度通路（例如，处于大约3J/cm²）去除短路。使用0.8J/cm²通路 制成的沟充当由激光脉冲所导致的等离子体的导向装置，从而防止了 可能会由于初始使用高能量密度所导致的电极的间接损坏。在最后一 个激光器通路后，可使用短湿蚀刻来清理激光切割边缘的毛刺。最后， 通过在室温下在合适溶剂中进行溶解来去除抗蚀剂。

实施例2–使换能器与电路结合

图4-23示出了制备上述换能器堆以及可操作地将换能器堆与电 路板结合的方法。在下文中所述的实施方案中的任一个实施方案可基 本上用本发明的任意方法来实施。

在第一步骤中，压电层——其中有金属化的地电极层（未示出） 结合至压电层的顶面——被初始地封阻，并且其底面被常规地磨合以 实现第一预期厚度。一方面，第一预期厚度一般不是最终厚度，而是 允许对压电层继续操作的一个厚度。在第二步骤中，第一匹配层816 被应用至金属化地电极层的顶面的一部分，并且在熟化后，被磨合至 目标厚度。同步地，第二匹配层826被应用至第一匹配层的顶面的一 部分并且接下来在熟化后被磨合至目标厚度。一方面，第一匹配层和 第二匹配层都基本位于压电层的中心并且在压电层的伸长边缘之间的 压电层的顶面上延伸。第一和第二匹配层816、826的纵向延伸边缘可 与压电层的纵向延伸边缘间隔开。

接下来，将铜箔910——例如使用导电粘合剂——结合至金属化 的地电极层的顶面的一部分。如图6中所示，铜箔被布置为在周向围 绕第一和第二匹配层。又一方面，铜箔910——其限定相应的第一和 第二地电极——也被布置使得相应的第一和第二地电极的内缘与相应 的第一和第二匹配层的纵向延伸边缘间隔开。又一方面，相应的第一 和第二地电极的向外的边缘向外延伸出压电层的纵向面，使得它们可 在制造方法的接下来步骤中被可操作地结合至电路板的地。再一方面， 如附图中示出的，第一和第二地电极的内缘可具有延伸出压电层的纵 向面的锯齿状图案，使得相应的第一和第二地电极可沿着压电层的相 应的纵向面被容易地弯曲。如图7中所示，铜箔的相应末端接下来被 去除，以将相应的第一地电极和第二地电极物理地隔开。一方面，邻 近的铜箔可用于将铜箔粘合至压电层。可选地，单个的第一地电极和 第二地电极可被单独安装至压电层，这将形成如图7中所示的相同结 构。所述第一和第二地电极有效地作为金属化的地电极层的延伸部。

另一方面，为了从相应的第一和第二地电极的顶面实现一个支座 （standoff），将多个隔离物900布置在相应的第一和第二地电极的 顶面的多个部分上。所述多个隔离物900可以是柱状物或点状物，它 们分布在压电层的整个周界。又一方面，多个隔离物900可被布置在 与相应的第一和第二地电极的内缘相邻的所述相应的第一和第二地电 极的顶面的多个部分上。再一方面，所述多个隔离物可被布置在所述 堆的活性区域外面，即，在所述堆的非活性区域中。所述隔离物可由 任意能够被磨合以实现预期目标厚度的常规材料制成。

第四匹配层846粘附结合至透镜809，并且接下来允许在被磨合 以实现预期目标厚度之前熟化。在一示例方面，所述透镜可包括 Rexolite，第四匹配层可包括CA粘合剂。又一方面，第四匹配层可被 应用至Rexolite白板（blank），并且可在将Rexolite白板加工成透 镜之前被磨合以实现预期目标厚度。

参照图1和8-10，第四匹配层846位于多个隔离物的顶面上，以 确保被用于粘合透镜/第四匹配层的粘合剂将形成第三匹配层836，所 述第三匹配层在粘合剂熟化时具有预期的目标厚度。另一方面，粘合 的透镜/第四匹配层可位于所述堆的基本中心与压电层形成预期配准。

现在参照图11，一方面，压电层的底面可在形成第一和第二切口 槽之前被磨合以实现预期厚度。所述第一和第二切口槽被形成达到堆 中的预期深度。所述第一和第二切口槽是从所述堆的底部在所述堆中 加工形成的。一方面，所述第一和第二切口槽是使用大约3-10J/cm²之间——优选地大约5J/cm²——的激光能量密度用激光加工进所述 堆中的。该激光能量密度足以形成在所述堆的压电层中希望得到的切 口高宽比。

而且，一方面，测针记号基准（pin marker fiducial）可，例如 但不限于，通过激光加工被描划在压电层的底面上。所述测针记号基 准可以是例如至少一个标记，诸如多个十字形记号。如果使用的话， 所述测针记号可被用于在接下来的下游制造方法中将所述堆相对于柔 性电路正确定位。又一方面，所述测针记号基准应延伸进入压电层的 底面一个深度，该深度足以使得当压电层的底面被磨合以实现最终目 标厚度时所述测针记号基准仍是可见的。优选的是所述测针记号基准 的蚀刻图案基本笔直向下延伸，使得当压电层的底面被磨合时，测针 记号基准的宽度不变。

如图11中所示，又一方面，激光校准标记930可，例如但不限于， 通过激光加工被描划在压电层的底面上。所述激光校准标记930可以 是至少两个标记，诸如两个十字形记号，在所述堆的任一个末端有一 个。如果使用的话，所述激光校准标记930可被用于在接下来的下游 制造方法中帮助所述堆的校准和/或配准。又一方面，校准标记应延伸 进入压电层的底面一个深度，该深度足以使得当压电层的底面被磨合 以实现其最终目标厚度时所述标记仍是可见的。优选的是所述激光校 准标记的蚀刻图案基本笔直向下延伸，使得当压电层的底面被磨合时， 所述激光校准标记的宽度不变。

可选地，所形成的第一和第二切口槽被如上所述填充，且填充材 料允许熟化。接下来，所述压电层的底面被磨合以实现其最终目标厚 度，这导致如图10中所示的所述堆的横截面图。人们应理解，在制造 过程的这个阶段，介质层、信号电极层以及背衬层尚未形成。

现在参照图12A和12B，示出了支持构件940的一个示例实施方 案。所述支持构件具有第一纵向延伸侧边缘部分942以及相对的第二 纵向延伸侧边缘部分944，每个侧边缘部分具有相应的内表面946和 相对的外表面948，其中第一和第二纵向延伸侧边缘部分的相应内表 面的一部分被配置使得电路板——诸如柔性电路板——或电路板对 （如图23中所示）的远端部分可与其连接。可使用具有较少迹线 （traces）的其他柔性设计。例如，可需要更多柔性电路来相加构成 总计256条迹线。支持构件还具有在相应的第一和第二纵向延伸侧边 缘部分之间延伸的中间部分，所述第一和第二纵向延伸侧边缘部分限 定一个中心的、纵向延伸开口。所述中间部分还向所述支持构件提供 机械强度和完整性，这是必要的，因为当所述支持构件被结合至所述 堆时，其将提供机械支撑以防止所述堆在剩下的装配过程中变形。一 方面，第一和第二纵向延伸侧边缘部分942、944可被布置为相互之间 成锐角，或者，它们可被布置为相互之间基本平行或者相互之间共面。

在一个示例方面，多个电路校准特征960——诸如图10-15中示 出的示例刻痕线——被切入或者以其他方式常规地形成进支持构件的 中间部分的底面的一部分中。在这个方面，所述多个电路校准特征可 被布置使得它们相邻于和/或延伸至相应的第一和第二纵向延伸侧边 缘部分和/或支持构件的开口。可以理解，多个电路校准特征允许将电 路板或电路板对的引线框（信号迹线）的远端部分相对于堆内切割的 第一切口槽准确地定位。可以设定，支持构件的开口的相对侧上的多 个电路校准特征相互之间彼此偏离一个等于换能器阵列的间距的距 离，以允许在电路板或电路板对与阵列元件之间形成交互的信号电极 图案。一方面，可在将所述堆安装至支持构件之后的一个单独步骤中 形成多个校准特征960。或者，可在将所述堆固定安装至支持构件之 前形成多个校准特征，只要所述支持构件能够充分配准地被安装至所 述堆。

如图13中所示，换能器堆被固定安装至支持构件940的中间部分 的顶面的至少一部分，并且电路校准特征被形成使得所述电路校准特 征被放置为与压电层的阵列开口相配准。一方面，所述堆组件可粘附 结合至支持构件。可以设定，一方面，所述多个校准特征960可在将 所述堆固定安装至支持构件之后的一个单独步骤中被形成在所述支持 构件中。可选地，所述多个校准特征可在将所述堆固定安装至支持构 件之前被形成在所述支持构件中。

电路板——诸如图16中示出的柔性电路——的远端的相应底面 连接至第一和第二纵向延伸侧边缘部分924、944的相应内表面946。 一方面，可通过使用粘合剂——诸如CA粘合剂——将柔性电路结合至 支持构件。相应的柔性电路与多个电路校准特征960相配准地被固定 安装至第一和第二纵向延伸侧边缘部分的相应内表面，以确保相应电 路板上的电路与阵列换能器的切口校准达到小于约0.5间距公差内。

如图17中所示，介质层（例如，如此处所述的复合材料）可被应 用至阵列的底面部分。在一个可选步骤中，基准标记可在应用介质层 之前被掩盖掉。一方面，介质材料可延伸以覆盖附接至支持构架的柔 性电路或者柔性电路对的引线框。一方面，可以设定，如果希望的话， 介质材料可与介质材料分别被应用。又一方面，介质层的轮廓相对于 压电堆的短轴居中，并且其被配置使得位于压电层的底面上的介质层 的厚度满足使压电层不起作用的最小电学要求。另一方面，所述介质 层可被配置使得从柔性电路到压电层的底面的面过渡具有如下控制的 横截面轮廓，该横截面轮廓在制备沉积信号电极层中没有尖锐的边缘 或底切。所述介质从零到目标厚度的过渡允许相对均匀厚度的临时共 形涂层——诸如，例如但不意在限制，抗蚀剂材料——被应用在总括 信号电极层的顶部，这允许在接下来图案化信号电极层的过程中使用 光烧蚀平版印刷法。

实际上，优选如图17中所示将介质层应用在压电堆的底部上，并 且接下来使用低能量密度的激光来整修去除活性区域中的电介质，并 且形成如图18中所示的平滑过渡。这样的低能量密度可安全且干净地 去除介质材料而不会明显烧蚀金属氧化物粉末、PZT或者柔性电路上 的铜等金属。在以248nm运行的受激准分子激光器的非限制实例中， 合理的能量密度在0.5-1.5J/cm²的范围内。如上所述，介质层中形 成的开口限定了阵列的高度，并且所述开口可具有下列特征：其可比 第一和第二切口槽相对于压电堆的短轴的长度更窄，和/或其可比多个 第一切口槽相对于压电堆的长轴的长度更长。

参照图19和20，信号电极层的图案化以及将其电连接至柔性电 路或柔性电路对可通过使用常规的封装技术完成，诸如，但不限于平 版印刷法及引线结合法、各向异性导电膜和带，或者在所述堆和所述 柔性引线框之间的直接接触。然而，优选的是，通过使用多个可以被 推广至高于50MHz的频率的于最小封装轨迹体积内完成所述信号电极 层的图案化的步骤。一方面，通过下列基本步骤（下面将更加详细描 述）制造信号电极：借助于激光光烧蚀对电极进行表面制备；真空沉 积总括信号电极并且将所述堆的底面短路至柔性电路的所有迹线，即， 将所述堆的256个阵列元件短路连接至柔性电路的所有256条迹线； 以及结合激光光烧蚀平版印刷术和化学蚀刻将绝缘的电极图案化为溅 射金属。一方面，可以设定，每个信号电极将由金（Au）制成，并且 将是大约0.5-1.5um厚；优选大约0.6-1.2um厚，更优选地大约 0.8-1.0um厚。所述的金电极的厚度允许金如同肉眼可见的或大块金 属层一样起作用，并且具有预期的易延展和可卷曲的特性，这增加了 器件的可靠性。

可以明白，具有较小100埃厚度的Cr或Ti/W的薄层可被常规地 用作粘附层，或者镍铬合金被用作扩散屏障——当沉积金电极时。常 规地，这些附加层的厚度相对于金电极非常薄，并且，在通过共同沉 积将金属合金化的情况下，合金的数量不足以影响下述的信号电极图 案技术。可以设定，在描述信号电极的图案化时，其中包括了金属合 金的所有组合。

在沉积信号电极之前，可使用激光以确保压电层的底部的预期部 分被完全暴露，没有残留的介质层覆盖住活性区域的压电层。而且， 激光可将位于第一切口槽上方的介质层图案化以形成升高的隆起。人 们将明白在活性区域中的第一切口槽上方形成的隆起将帮助减小应用 在第一切口槽上的抗蚀剂的厚度，并允许抗蚀剂淤积在压电层上。这 有助于提供对信号电极的干净的切口图案化。

另一方面，激光可被用于形成从阵列的每个活性元件延伸至其在 柔性电路引线框上的指定铜迹线的浅沟或凹陷通路。在介质中的从活 性元件（active element）到柔性电路的沟允许抗蚀剂淤积在其中， 这帮助在图案化信号电极的过程中保护金。又一方面，激光可被用在 该步骤中以去除在相应的柔性电路的铜迹线上的介质材料并干净地暴 露所述铜迹线。

可选地，激光可被用于在将要被信号电极覆盖的阵列换能器的部 分上形成“不平整的”有纹表面（textured surface）。所述有纹表 面可帮助促进将信号电极金属粘附至表面，如此处所述。

对于示例的256元件换能器阵列，信号电极层形成由256个隔离 信号电极构成的信号电极图案。一方面，每个隔离的信号电极可在所 述堆的活性区域中——包括到介质层的倾斜过渡——具有最小的电极 间隙，所述最小的电极间隙大约与相邻的阵列元件之间的第一切口槽 的宽度一样宽。该电极间隙可从介质间隙的一侧延伸到另一侧并且优 选基本直接位于第一切口槽上。或者，在子方块切口，即第二切口槽 之上不需要电极间隙，因为子方块压电条如上所述被电短路在一起。 另一方面，在介质层的顶部，通过去除在相邻于每个阵列元件的两个 电极间隙之间的金，每个隔离的信号电极的末端止于介质层上。如图 19和20中所示，对于每个相邻元件，末端图案从左到右交替并且匹 配柔性电路引线框。又一方面，末端图案从所述堆到柔性电路的延伸 可被提供在介质的顶部以完成将每个信号电极与相邻元件的绝缘。如 人们将理解的，末端图案的延伸也可从左变化到右使得所述延伸落在 柔性电路上的两个相邻引线之间。

在一个实施方案中，在将一个金层常规沉积到换能器的准备好的 部分之后，使用多步骤的激光烧蚀和蚀刻过程来形成复杂的信号电极 图案。在一个示例方面，可使用常规溅射技术来施加金层。在第一步 骤中，应用抗蚀剂层以在所沉积的金层上获得基本均匀的涂层。所述 堆可被翻倒或摇动以帮助确保抗蚀剂涂层基本均匀。在这方面，可以 设定，抗蚀剂将被允许在基本室温下变干燥。在抗蚀剂的软烤温度以 下的升高温度也是允许的，只要该温度不超过所述堆的材料或构造所 对应的热预算或限度（例如但不限于50℃）。在接下来的步骤中，使 用例如大约0.3J/cm²的低能量密度的激光可仅将整个信号电极图 案——诸如，例如整个256阵列元件信号电极图案——上的抗蚀剂光 烧蚀。在接下来的步骤中，将信号电极图案常规蚀刻以使所施加的金 层变薄。非限制性地，该蚀刻步骤可通过将蚀刻材料加温至32℃并且 蚀刻3分钟来示例完成。

接下来，激光可被基本应用在第一切口槽上以帮助去除仍然位于 第一切口槽上的任何残留金属中的大部分。而且，在该步骤中，可以 设定，在相邻于压电层的底面的第一切口槽内的填充材料的一部分将 被去除。如人们将明白的，这样去除填充材料将在第一切口槽内的填 充材料中形成浅沟，所述第一切口槽延伸在压电层的底面的平面下。 一方面，可以设定，对于该烧蚀步骤激光将使用中间能量密度，即， 大约0.3-0.8J/cm²之间。

又一方面，可以设定，可在每个激光烧蚀步骤之后，实现将一普 通激光以低能量密度水平——即，大约0.3到0.4J/cm²之间——从柔 性电路以及其他潜在暴露区域上面越过。激光的这样低能量密度的经 过可帮助确保去除任何残留的、不希望的蚀刻后的溅射的金。

在一个可选的附加步骤中，激光可被另外以极小数量脉冲在高能 量密度下施加在第一切口槽和末端图案上以去除在信号电极形成过程 的该阶段可能仍然存在的任何毛刺。正如人们将理解的，先前形成的 任何凹陷的特征可帮助保护沉积的信号电极免受在增加的能量密度激 光烧蚀过程中形成的等离子体羽辉（plasma plume）的侵害。

如人们将理解的，在上述处理之后，将每个信号电极可操作地安 装至换能器，并且将其电连接至柔性电路的一个单独电路和一个单独 阵列元件。或者，测试信号电极是否短路使得可识别任意短路并且可 完成目标重新工作以校正所识别的短路。

或者，可执行一个附加的蚀刻步骤来清理信号电极图案的毛刺。 非限制性地，这个蚀刻步骤可通过将蚀刻材料加温至32℃并且蚀刻1 分钟来完成。这个步骤可帮助去除任何最后残渣，当应用背衬层时， 所述最后残渣会存在导致短路的风险。最后，将抗蚀剂从换能器/支持 构件/柔性电路组件——即，阵列组件——中清除干净，并且再次对信 号电极进行短路测试，使得可识别任意短路并且可完成锁定的重复工 作以修正所识别的短路。

如图21中所示，应用背衬层以完成阵列组件。一方面，背衬层可 被布置以覆盖并延伸超出所述堆的活性区域。又一方面，背衬层可基 本填充在支持构件的第一和第二纵向延伸侧边缘部分的相应内表面之 间的所述支持构件内限定的空腔。

在一个附加步骤中并且参照图22A和22B，从所述堆到结合的柔 性电路的信号返回通路应在形成信号电极之前被可操作地结合。这允 许在已形成信号电极图案之后，测试信号电极的电安全。一方面，导 电材料——诸如，铜带以及诸如此类——被布置在阵列组件上以将相 应的第一和第二地电极电连接至柔性电路上的相应的地。所述铜带可 与附加的导电环氧树脂材料或低温焊料相结合以形成可靠的电接触。 由此，在一个实施例中，来自组件的信号返回通路基本平行于切口延 伸至所述堆的末端，向上穿过导电环氧树脂粘合线进入铜箔，然后通 过示例的铜带的附加导电通路到达柔性电路上。

其他实施方案

在本申请中，参考了各种出版物。这些出版物的公开文本在此通 过引用方式以其整体纳入本文本。

除非另外明确指出，此处给出的任何方法决不能理解为需要以特 定顺序实施其步骤。相应地，在其中方法权利要求没有实际说明其步 骤所要遵循的顺序或者在权利要求或说明书中没有以其他方式明确指 出步骤限于特定顺序时，在任何情况下决不意在暗示存在一个顺序。 上述声明同样适用任何没有字面基础的解释，包括：相对于步骤或操 作流的安排的逻辑问题；从语法结构或标点符号得出的简单含义；以 及在本说明书中描述的实施方案的数目或类型。

本领域技术人员应明白在不偏离本发明的范围或主旨的情况下， 可以对本发明做出各种修改和变化。结合考虑本说明书以及此处公开 的对本发明的实践，本发明的其他实施方案对于本领域技术人员将是 明了的。说明书和实施例意在仅被认为是示例性的，本发明的真正范 围和主旨由下列权利要求说明。

其他实施方案在权利要求中。