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孔间距和孔直径可独立调节的Si纳米孔阵列模板的制备方法

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摘要

本发明提出了一种小孔径的Si纳米孔阵列模板的制备方法。其工艺步骤分为磁控溅射，两步阳极氧化，H

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-11-05

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23F 17/00 授权公告日:20121003 终止日期:20130919 申请日:20100919

专利权的终止
2012-10-03

授权

授权
2011-03-16

实质审查的生效 IPC(主分类):C23F 17/00 申请日:20100919

实质审查的生效
2011-01-19

公开

公开

1. 孔间距和孔直径可独立调节的Si纳米孔阵列模板的制备方法 [P] . 中国专利： CN101949017B . 2012.10.03
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