力电热多场耦合作用下微电子产品可靠性测试平台

摘要

本发明公开了一种力电热多场耦合作用下微电子产品可靠性测试平台，属于微电子产品可靠性测试与评估设备技术领域。该测试平台由温度控制系统，电流加载系统，信号测试及采集系统和实验箱组成。温度控制系统控制冷却系统和加热器调整实验箱内的温度；电流加载系统对待测微电子产品施加电流载荷；信号测试及采集系统测试和采集待测微电子产品的电流、电压、电阻和温度信号并存储。测试平台的运行操作由计算机统一控制。低温制冷系统经制冷管道与实验箱连接。实验箱由箱体、保温层、观察窗、加热器、风机和样品支持系统组成，样品支持系统由样品托架，测试板、引线转连接接口构成。本发明可以实现微电子产品在多场耦合条件下的可靠性测试及寿命预测。

说明书

技术领域

本发明涉及微电子产品可靠性测试与评估设备技术领域，具体涉及一种力电 热多场耦合作用下微电子产品可靠性测试平台。

背景技术

在现代微电子工业中，互连体制造技术通常都是将互连电路物理沉积或化学 粘接在半导体材料或高聚物介电材料基板上，在这些物理或化学工艺过程中，制 备的互连体电路材料中通常受到基体的强约束效应而产生很高的工艺残余应力； 此外，当电流通过焊点引起温度变化时，由于焊料与基板材料热膨胀系数的不同 会导致在焊点中产生很强的热应力；因此微电子产品在长期使用过程中要同时受 到力和电的耦合作用。在力电热多场耦合作用下，温度和应力场会加快电迁移等 电致损伤的发生，同时电流作用也会促进材料中缺陷的形成和材料的弱化，进而 加速产品在应力场下的失效过程。因此，力电耦合作用下微电子产品的服役，不 能视做应力和电流两种效应的简单迭加，而是存在着复杂的关联与耦合效果。

目前对于微电子产品在力、热、电单场条件下的可靠性评估和寿命预测均有 较系统的测试方法、标准与装备，但对于力、热、电多场耦合条件下微电子产品 的可靠性测试与评估尚缺乏相应的测试技术，更没有相关的测试装备。

发明内容

本发明的目的在于提供一种力电热多场耦合作用下微电子产品可靠性测试平 台，该测试平台为力、热、电多场耦合条件下对微电子产品的可靠性测试与评估 的测试装备。

本发明的技术方案是：

一种力电热多场耦合作用下微电子产品可靠性测试平台，包括实验箱、控制 柜、温度控制系统、加热器、冷却系统、信号测试及采集系统、电流加载系统和 样品支持系统；温度控制系统、信号测试及采集系统、电流加载系统和冷却系统 设置于控制柜内；其中：

所述加热器设置于实验箱内部下侧，所述冷却系统经制冷管道接入实验箱内 部，所述温度控制系统与所述加热器和冷却系统相连接，用于根据预先设定的温 度值控制所述加热器及冷却系统的工作状态。

所述样品支持系统置于实验箱内部，包括样品托架和测试板，测试板包括母 板和子板；所述母板插接固定于样品托架上的专用接口内，母板上设置若干插槽， 子板分别插接于母板上的各个插槽内，测试样品与子板电连接。

所述电流加载系统通过测试板上的子板与测试样品电连接，用于对待测微电 子产品施加电流载荷。

所述信号测试及采集系统通过测试板上的子板与测试样品电连接，用于测试 和采集待测微电子产品的电流、电压、电阻和温度信号，采用多通道数字采集方 式进行数据测量及存储，存储的数据传输到计算机中存储以待后续分析和处理， 且可根据阻抗变化实现样品失效报警；测试平台的温度控制、电流加载和信号测 试均由计算机统一控制。

所述实验箱内部上侧安装温度传感器（热电偶），温度传感器与所述温度控制 系统相连，用于将测得的实验箱内部的温度传递给所述温度控制系统。

所述样品托架包括底板、热管、散热片和专用接口；样品托架底板采用不锈 钢或石英玻璃制成，底板上设有热管和散热片用于对测试样品散热，底板一面上 的一侧设置专用接口。

所述实验箱包括箱体外壳、保温层、支架以及能够打开和关闭的箱门，保温 层在外壳内侧用于维持实验箱内部温度，支架置于实验箱中部用于放置样品支持 系统，箱门上设置透明观察窗。

所述实验箱侧壁设置信号转接板，测试时输入的电流载荷和输出的测试信号 均经由信号转接板转接，并通过导线接入控制柜内的相应装置。

所述实验箱内顶部设置风机，用于循环实验箱内空气，保持实验箱内温度的 分布均衡。

上述测试平台工作温度范围为-50~200℃，升温速度10~50℃/分钟，降温速度 10~50℃/分钟，温度循环周期15~120分钟，测试电流密度为1×10³~9.9×10⁴A/cm²。

本发明的有益效果是：

1、本发明填补了力电热多场耦合条件下微电子产品可靠性测试和评估装备的 空白。

2、本发明测试温度范围和测试电流密度范围大，适用范围广，可适用于焊球 阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统 封装(SIP)等各种封装结构微电子产品的可靠性测试和评估。

3、本发明样品安装方便、操作简单，自动化程度较高。

附图说明

图1为本发明力电热多场耦合作用下微电子产品可靠性测试平台的结构示意 图。

图2为本发明测试平台中样品托架的结构示意图。

图3为本发明测试平台中测试板结构示意图。

图4为实施例1中的CSP互连封装结构产品电阻随测试时间变化曲线。

图5为实施例1中的CSP互连封装结构产品服役寿命的韦伯分析曲线。

图6为实施例1中的CSP互连封装结构产品最大允许电流随工作温度变化曲 线（服役寿命＞10万小时）。

图7为实施例2中Cu柱互连封装结构产品服役寿命的韦伯分析曲线。

图中：1-实验箱；2-控制柜；3-温度控制系统；4-电流加载系统；5-信号测试 及采集系统；6-温度传感器；7-冷却系统；8-加热器；9-制冷管道；10-透明观察 窗；11-风机；12-信号转接板；13-样品支持系统；14底板；15-母板；16-热管； 17-散热片；18-专用接口；19-插槽；20-支架。

具体实施方式

下面结合附图及实施例详述本发明。

如图1所示，本发明力电热多场耦合作用下微电子产品可靠性测试平台包括 实验箱（1）、控制柜（2）、温度控制系统（3）、加热器（8）、冷却系统（7）、信 号测试及采集系统（5）、电流加载系统（4）和样品支持系统（13）；温度控制系 统（3）、信号测试及采集系统（5）、电流加载系统（4）和冷却系统（7）设置于 控制柜（2）内。

所述加热器（8）设置于实验箱（1）内部下侧，所述冷却系统（7）经制冷管 道（9）接入实验箱（1）内部，所述温度控制系统（3）与所述加热器（8）和冷 却系统（7）相连接，实验箱（1）内部上侧安装温度传感器（热电偶）（6），温度 传感器（6）与所述温度控制系统（3）相连，用于将测得的实验箱（1）内部的温 度传递给所述温度控制系统（3）。

所述样品支持系统（13）置于实验箱（1）内部，包括样品托架和测试板，测 试板包括母板（15）和子板；所述母板（15）插接固定于样品托架上的专用接口 （18）内，母板（15）上设置若干插槽（19），子板分别插接于母板（15）上的各 个插槽（19）内，测试样品与子板电连接。

所述电流加载系统（4）通过测试板上的子板与测试样品电连接，用于对待测 微电子产品施加电流载荷；

所述信号测试及采集系统（5）通过测试板上的子板与测试样品电连接，用于 测试和采集待测微电子产品的电流、电压、电阻和温度信号，采用多通道数字采 集方式进行数据测量及存储，存储的数据传输到计算机中存储以待后续分析和处 理，且可根据阻抗变化实现样品失效报警；测试平台的温度控制、电流加载和信 号测试均由计算机统一控制。

所述样品托架包括底板（14）、热管（16）、散热片（17）和专用接口（18）； 样品托架底板（14）采用不锈钢或石英玻璃制成，底板（14）上设有若干热管（16）， 底板（14）的一面上的一侧设置专用接口（18）用于插接母板（15），专用接口（18） 与母板（15）插入的一端相配合；底板的另一面上设置若干散热片（17）用于对 测试样品散热。

所述实验箱（1）包括箱体外壳、保温层、支架（20）以及能够打开和关闭的 箱门，保温层在外壳内侧用于维持实验箱（1）内部温度，支架（20）置于实验箱 （1）中部用于放置样品支持系统（13），箱门上设置透明观察窗（10）。实验箱（1） 侧壁上装有信号转接板（12），测试时输入的电流载荷和输出的测试信号均经由信 号转接板（12）转接，并通过导线与控制柜（2）内的相应装置连接；实验箱（1） 内顶部还设置保持箱内温度分布均衡的风机（11）。

所述测试平台工作温度范围为-50~200℃，升温速度10~50℃/分钟，降温速度 10~50℃/分钟，温度循环周期15~120分钟，测试电流密度为1×10³~9.9×10⁴A/cm²。

利用上述测试平台对力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试时操作方法如 下：

测试时首先测量待测样品的电阻，测试中以样品电阻变化超过阈值为样品失 效判据，电阻变化阈值范围设定为样品初始电阻的10-50%。然后将待测样品电连 接到测试子板上。再将测试子板逐一插入到测试母板（15）的插槽(19)中。为保 证数据的完整性和可靠性，每组条件下测试样品数目不少于15个。

将测试母板（15）通过专用接口（18）连接到样品托架上，连接电流输入输 出引线和测试引线到转接板（12）内侧。将电流加载系统（4）连接到转接板（12） 外侧的电流输入输出端子（单一热循环条件下的测试不连接电流加载系统），将信 号测试及采集系统（5）连接到转接板（12）外端的测试信号端。将温度控制系统 （3）按照预设温度（-50°C～200°C可调）模式设置（恒温或温度循环模式，温 度循环方式模式中需要设置温度循环最低温度、最高温度、保温时间、升温速度 和降温速度），关闭实验箱门，启动风机（11），打开冷却系统（7）或/和加热器 （8）。待实验箱（1）内温度达到设定温度并稳定后，电流加载系统（4）和信号 测试及采集系统（5）测量并记录试样电阻的变化，记录样品电阻变化超过阈值的 时间（失效时间）。当80%样品失效后终止实验。采用韦伯分析给出产品的服役 寿命。

利用本发明测试平台进行力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试的方法 为：该方法首先在特定实验条件下测试微电子产品单场电迁移、单一热循环和力 电热多场耦合条件下样品的平均失效时间，然后通过多场耦合条件下的服役寿命 评价公式及测试中得到的参数，计算出不同电流密度和温度循环条件下微电子产 品的服役寿命；具体包括如下步骤：

（1）测量待测样品的初始电阻，设定电阻变化阈值。

（2）在恒温条件下对测试样品施加电流载荷，测试样品的电阻变化；以样品 电阻变化超过阈值为样品失效判据，测试样品的平均失效时间（寿命）MTTF； 根据公式（1）得出电迁移指数前因子A、电流常数n和电迁移激活能Q_em。

$\mathrm{MTTF}={\mathrm{Aj}}^{-n}\exp \left(\frac{Q_{\mathrm{em}}}{\mathrm{kT}}\right)---\left(1\right)$

其中：j为电流密度，k为玻尔兹曼常数，T为温度。

（3）在温度循环载荷下测试样品的电阻变化；以样品电阻变化超过阈值为样 品失效判据，测试样品的平均失效时间N_f0；然后根据公式（2）得出非弹性剪切 应变范围Δγ₀。

$N_{f0}=\frac{1}{2}{\left(\frac{{\mathrm{\Delta \gamma }}_0}{2{ϵ}_f}\right)}^{1/c}---\left(2\right)$

其中，疲劳延性指数c和疲劳延性系数ε_f为由材料自身决定的常数，可通过 材料疲劳手册及相关文献查得，亦可通过应变疲劳实验测量得到。

（4）在温度循环载荷和电流载荷耦合作用下测试样品的电阻变化；以样品电 阻变化超过阈值为样品失效判据，测试样品在多场耦合条件下的平均失效时间 N_f；然后根据公式（3）得出指数前耦合因子β和电流耦合因子l。

其中，Δt为温度循环周期。

（5）计算微电子产品的服役寿命：根据公式（3）计算不同电流密度和温度 循环条件下微电子产品的服役寿命。

所述特定实验条件是指该测试方法所采用加速实验方案中，选用的高于实际 使用条件下的电流密度、温度和温度变化速率；其中：测试电流密度范围为 1×10³~9.9×10⁴A/cm²；测试温度范围为-50~200°C，升温速度10~50°C/分钟，降温 速度10-50°C/分钟，温度循环周期15~120分钟；温度循环的最低温度-50~20°C可 调，保温时间1~45分钟可调；温度循环的最高温度60~200°C可调，保温时间1~45 分钟可调。

步骤（2）所述恒温条件是指在温度在-50~200°C范围内并保持某一温度不变。

步骤（1）中所述电阻变化阈值的设定范围为样品初始电阻的10~50％。

步骤（2）-（4）中为保证测试数据的完整性和可靠性，每组条件下测试样品 数目不少于15个。

实施例1

CSP互连封装结构试样多场耦合条件下的服役寿命预测，步骤如下：

（1）测量待测样品的电阻，设定电阻变化阈值为样品初始电阻的30%。

（2）作为对比试验的单一场电迁移实验在恒温环境下实施。将CSP样品分 为9组，每组15个试样，试样采用串联方式分别连接到恒流源上。测试在三组不 同电流密度和三组不同温度下进行，电流密度分别为4.4×10³A/cm²，4.7×10³A/cm²， 5.0×10³A/cm²。实验环境温度分别为30°C，50°C，70°C。测试中以样品电阻变化 超过阈值为样品失效判据。

（3）作为对比试验的单一热循环实验在温度循环载荷下实施，选用1组15 个CSP样品。测试温度循环范围为-40～125°C，升温速度15°C/分钟；降温速度15°C/ 分钟，保温时间20分钟，温度循环周期62分钟。测试中以样品电阻变化超过阈 值为样品失效判据。

（4）多场耦合条件下的可靠性测试在温度循环载荷和电流载荷耦合作用下实 施。将CSP样品分为3组，每组15个试样，试样采用串联方式分别连接到恒流 源上。测试在三组不同电流密度下进行，分别为2.4×10³A/cm²，2.7×10³A/cm²， 3.0×10³A/cm²。测试温度循环范围为-40～125°C，升温速度15°C/分钟；降温速度 15°C/分钟，保温时间20分钟，温度循环周期62分钟。测试中以样品电阻变化超 过阈值为样品失效判据。

（5）根据测试结果，依据公式（1）（2）（3）进行计算，即可得出相关实验 参数及加速因子，具体为：根据步骤（2）测试结果和公式（1）得出电迁移指数 前因子A、电流常数n和电迁移激活能Q_em；根据步骤（3）测试结果和公式（2） 得出非弹性剪切应变范围Δγ₀，本实施例公式（2）中疲劳延性指数c和疲劳延性 系数ε_f由文献查得（W.Engelmaier,Fatigue Life of Leadless Chip Carder Solder  Joints During Power Cycling,IEEE Transactions on Components Hybrids And  Manufacturng Technology6:3(1983)232-237）；根据步骤（4）测试结果和公式 （3）得出指数前耦合因子β和电流耦合因子l；将上述得到相关实验参数及加速 因子代入公式（1）并进而根据公式（1）计算出不同电流密度和温度循环条件下 CSP互连封装结构电子产品的服役寿命。

本实施例中CSP互连封装结构产品电阻随测试时间变化曲线如图4所示（多 场耦合条件下）。

本实施例中CSP互连封装结构产品服役寿命（多场耦合条件下）的韦伯分析 曲线如图5所示。

本实施例中CSP互连封装结构产品最大允许电流（多场耦合条件下）随工作 温度变化曲线（服役寿命＞10万小时）如图6所示。

实施例2

Cu柱互连封装结构试样多场耦合条件下的服役寿命预测，步骤如下：

（1）测量待测样品的电阻，设定电阻变化阈值为样品初始电阻的20%。

（2）作为对比试验的单一场电迁移实验在恒温环境下实施。将Cu柱样品分 为9组，每组20个试样，试样采用串联方式分别连接到恒流源上。测试在三组不 同电流密度和三组不同温度下进行，电流密度分别为1.1×10⁴A/cm²， 1.2×104⁴A/cm²，1.3×10⁴A/cm²。实验环境温度分别为30°C，50°C，70°C。测试中 以样品电阻变化超过阈值为样品失效判据。

（3）作为对比试验的单一热循环实验在温度循环载荷下实施。选用1组20 个Cu柱样品。测试温度循环范围为-40~125°C，升温速度15°C/分钟；降温速度 15°C/分钟，保温时间20分钟，温度循环周期62分钟。测试中以样品电阻变化超 过阈值为样品失效判据。

（4）多场耦合条件下的可靠性测试在温度循环载荷和电流载荷耦合作用下实 施。将Cu柱样品分为3组，每组20个试样，试样采用串联方式分别连接到恒流 源上。测试在三组不同电流密度下进行，分别为7.2×10³A/cm²，8.1×10³A/cm²， 9.0×10³A/cm²。测试温度循环范围为-40~125°C，升温速度15°C/分钟；降温速度 15°C/分钟，保温时间20分钟，温度循环周期62分钟。测试中以样品电阻变化超 过阈值为样品失效判据。

（5）根据测试结果，依据公式（1）（2）（3）进行计算，即可得出相关实验 参数及加速因子，具体为：根据步骤（2）测试结果和公式（1）得出电迁移指数 前因子A、电流常数n和电迁移激活能Q_em；根据步骤（3）测试结果和公式（2） 得出非弹性剪切应变范围Δγ₀，本实施例公式（2）中疲劳延性指数c和疲劳延性 系数ε_f由文献查得（W.Engelmaier,Fatigue Life of Leadless Chip Carder Solder  Joints During Power Cycling,IEEE Transactions on Components Hybrids And  Manufacturing Technology6:3(1983)232-237）；根据步骤（4）测试结果和公式 （3）得出指数前耦合因子β和电流耦合因子l；将上述得到相关实验参数及加速 因子代入公式（1）并进而根据公式（1）计算出不同电流密度和温度循环条件下 Cu柱互连封装结构电子产品的服役寿命。本实施例中Cu柱互连封装结构产品服 役寿命的韦伯分析曲线如图7所示（多场耦合条件下）。

上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施 例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替 代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。