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薄膜静态腐蚀速率测量方法

摘要

本发明提供了一种薄膜静态腐蚀速率的测量方法。该方法包括:在晶片的衬底上形成薄膜,将晶片的一部分浸泡在化学机械抛光液中,浸泡一段时间后用轮廓仪测量界面处的高度差,从而得到该薄膜的静态腐蚀速率。

著录项

  • 公开/公告号CN103852410A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-06-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 安集微电子(上海)有限公司;

    申请/专利号CN201210496284.9

  • 发明设计人 蔡鑫元;荆建芬;张建;王雨春;

    申请日2012-11-28

  • 分类号G01N17/00;

  • 代理机构上海翰鸿律师事务所;

  • 代理人李佳铭

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼602室

  • 入库时间 2024-02-19 23:58:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-07-20

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N17/00 申请公布日:20140611 申请日:20121128

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-06-11

    公开

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