一种金属纳米颗粒辅助实现发光二极管表面粗化的方法

摘要

一种金属纳米颗粒辅助实现发光二极管表面粗化的方法，属于半导体光电材料及器件制备技术领域。该方法首先在半导体衬底上生长发光二极管(LED)外延片，依次包括N-GaN、量子阱层、P-GaN层，然后在金属盐溶液中利用紫外光辅助将P-GaN表面沉积一层金属纳米颗粒，将沉积金属纳米颗粒之后的发光二极管外延片放入一定比例的氢氟酸和氧化剂组成的腐蚀液中，再利用紫外光辅助进行湿法腐蚀。金属纳米颗粒沉积在氮化镓薄膜上能改变表面的电子分布，增加腐蚀速率，有利于粗化结构的形成。这种方法适用于不同的半导体材料的刻蚀和发光二极管外延片的粗化，相对于现有工艺，成本低，粗化面积大，操作简单，能获得理想的粗化效果。