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一种支持APD应用的平均光电流监控电路

摘要

本发明公开了一种支持APD应用的平均光电流监控电路,其特征在于:它包括一主电流回路,包括一正常偏置的光电二极管,该光电二极管阳极接入一跨阻放大器的输入端;以及一副电流回路,包括与跨阻放大器相同的一虚拟跨阻放大器、一个受控电流镜和一个差放模块;其中,所述跨阻放大器的输入端连接于该差放模块的负输入端,所述虚拟跨阻放大器的输入端连接于该差放模块的正输入端;该受控电流镜其虚拟输出端连接于该虚拟跨阻放大器的输入端,其控制端连接于该差放模块的差放输出端;本方案副电流回路可以使用低压电路来实现光电流监控作用,不受光电二极管本身偏置电压的影响;良好兼容不同偏置光电二极管,节省了成本。

著录项

  • 公开/公告号CN103746744A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-04-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 厦门优迅高速芯片有限公司;

    申请/专利号CN201310320421.8

  • 发明设计人 林少衡;

    申请日2013-07-26

  • 分类号H04B10/25;H04B17/00;

  • 代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司;

  • 代理人杨依展

  • 地址 361000 福建省厦门市软件园二期观日路52号402

  • 入库时间 2024-02-19 23:32:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-09

    授权

    授权

  • 2014-05-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H04B10/25 申请日:20130726

    实质审查的生效

  • 2014-04-23

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于光纤通信领域、实现光电二极管平均光功率监控的电 路。

背景技术

如图1和图2所示,在光纤通信系统中,光脉冲信号经过光电二极管 (photodiode)转化为电流信号,再输入到跨阻放大器20(Trans-Impedance  Amplifier,TIA)放大并转化为电压信号,再传输到后续电路进行信号处理。 光电二极管分为两种,一种是PIN管,其特点是反向偏置电压低,可直接由TIA 芯片1提供反向偏置电压,与跨阻放大器一起封装在TO-CAN内部,但不具有倍 增效应,因此接收灵敏度指标较低;另一种是基于雪崩效应的APD管(Avalanche  Photo Diode,APD),APD管的特点是反向偏置电压高,并且无法由TIA芯片1 提供反向偏置电压,需要由另外的升压芯片提供高压偏置,设置于TO-CAN模块 2外,但具有倍增效应,因此灵敏度指标较高。

在光纤通信网络管理中,需要监控光纤传输网络中的光功率,包括发射及接 收端。在接收端可通过监控光电二极管的平均响应光电流,来推算接收平均光 功率。传统做法在光电二极管D的电压偏置端串接一个电流镜10来镜像监控流 过光电二极管的光电流,由于PIN管和APD管两种不同的偏置电压需要,因此 监控电路也分为两种实现方法。图1所示为适应PIN管的光电流监视电路,图2 为适应APD管的监视电路。

图1和图2这两种方法无法通用,因为电流镜10串接在光电二极管D的阴 极端,直接通过电流镜10的镜像功能监控光电二极管D的光电流。在PIN型的 光电二极管应用中,监控电路可以整合到TIA芯片1内,但APD类型的光电二 极管应用中,由于特殊的高压要求,无法集成到TIA芯片;同时在图2所示针 对APD管的应用中,由于APD管偏置在高压(一般为40-60V左右),因此所需 的电流镜10也是特殊的高压器件,成本较高。

发明内容

针对上述现有适用于PIN型和APD型光电二极管的监控电路无法实现兼容、 成本较高的缺陷,本发明提出一种支持APD应用的平均光电流监控电路,其技 术方案如下:

一种支持APD应用的平均光电流监控电路,它包括:

一主电流回路,包括一正常偏置的光电二极管,该光电二极管阳极接入一跨 阻放大器的输入端;以及

一副电流回路,包括一虚拟跨阻放大器、一个受控电流镜和一个差放模块;

其中,所述跨阻放大器的输入端连接于该差放模块的负输入端,所述虚拟跨 阻放大器的输入端连接于该差放模块的正入端;

该受控电流镜其虚拟输出端连接于该虚拟跨阻放大器的输入端,其控制端连 接于该差放模块的差放输出端,其镜像电流端作为整个装置的监控电流输出;

所述跨阻放大器和虚拟跨阻放大器其结构、电气参数和生成工艺保持一致;

在差放模块的控制下,该跨阻放大器和虚拟跨阻放大器的输入共模电压、输 入电流均保持一致。

本方案的优选者如下:

在较佳实施例中,所述跨阻放大器包括:MOS管M0,其栅极连接所述光电二 极管的阳极;其漏极连接电阻R1和电阻R0的一端;其源极接地;电阻R1的另 一端接M0栅极;电阻R0另一端接Vdd;

所述虚拟跨阻放大器包括:MOS管M1,其漏极连接电阻R2和电阻R3的一端; 其源极接地;电阻R2的另一端接M0栅极;电阻R3另一端接Vdd;

所述受控电流镜包括:MOS管M2和M3,两者栅极相连成为所述控制端;M2 的漏极为所述虚拟输出端,M3的漏极为所述镜像电流端;M2和M3的源极接Vdd;

所述差放模块包括一误差放大器,其引脚与该差放模块的所述正输入端、负 输入端和差放输出端一一对应。

在另一类较佳实施例中,所述跨阻放大器包括:MOS管M0和M4,二者漏极 源极同向相串联,M0栅极连接所述光电二极管的阳极;M4漏极连接电阻R1和 电阻R0的一端;M0源极接地;电阻R1的另一端接M0栅极;电阻R0另一端接 Vdd;

所述虚拟跨阻放大器包括:MOS管M1和M5,M5漏极连接电阻R2和电阻R3 的一端;M1源极接地;电阻R2的另一端接M0栅极;电阻R3另一端接Vdd;

其中MOS管M4和M5栅极相连成为一偏置设置端;

所述受控电流镜包括:MOS管M2、M3和M6,其中M2和M3栅极相连再连接 于M2漏极和M6源极;M6的栅极成为所述控制端;M6的漏极为所述虚拟输出端, M3的漏极为所述镜像电流端;M2和M3的源极接Vdd;

所述差放模块包括一误差放大器,其引脚与该差放模块的所述正输入端、负 输入端和差放输出端一一对应。

所述跨阻放大器和副电流回路集成于一同一芯片。

本方案带来的有益效果有:

通过使用一个虚拟的跨阻放大器,以及结合用来模拟光电二极管的受控电流 镜,以副电流回路的形式映射了光电二极管的监控电流,因而不受光电二极管 本身偏置电压的影响;实现了不同偏置光电二极管的良好兼容性。其优势在于, 副电流回路可以使用低压电路来实现光电流监控作用,同时可以被集成在跨阻 放大器IC芯片的产品中,构成通用模块,也避免了高压器件的高昂成本。

附图说明

以下结合附图实施例对本发明作进一步说明:

图1是传统适用于PIN型光电二极管D的监控电路结构示意图;

图2是传统适用于APD型光电二极管D的监控电流结构示意图;

图3是本发明实施例一的模块示意图;

图4是本发明实施例二的模块示意图;

图5是本发明实施例三的模块示意图。

具体实施方式

实施例一:

如图3所示,本发明一个实施例的结构示意图。本领域的技术人员在该结构 披露之后可以立刻获得具体的实施方案。

本实施例一种用于高速光通信的支持APD应用的平均光电流监控电路,它总 共具有两个电流回路,分别是主电流回路和副电流回路;其中,主电流回路包 括一正常偏置的光电二极管D,可以是APD型也可以是PIN型;该光电二极管D 阳极接入一跨阻放大器20的输入端21;其光电流输出就直接进入跨阻放大器 20实现信号读取。副电流回路包括一虚拟跨阻放大器30、一个受控电流镜40 和一个差放模块50。

跨阻放大器20的输入端还连接于差放模块50的正输入端,虚拟跨阻放大器 30的输入端连接于该差放模块50的负输入端;受控电流镜40其虚拟输出端41 连接于虚拟跨阻放大器30的输入端31,其控制端42连接于差放模块50的差放 输出端,其镜像电流端43作为整个装置的监控电流输出;跨阻放大器20和虚 拟跨阻放大器30其结构、电气参数和生成工艺保持一致,使二者的输入输出性 能、温度特性等均对称。

在差放模块50的控制下,跨阻放大器20和虚拟跨阻放大器30的输入共模 电压、输入电流均保持一致。

可见,本方案通过使用一个虚拟的跨阻放大器30,以及结合用来模拟光电 二极管的受控电流镜40,以副电流回路的形式映射了光电二极管D的监控电流, 同时该电流实现了与光电二极管D所在主电流回路的电压分离,因而不受光电 二极管D本身偏置电压的影响;通过差放模块50的反馈作用,使得镜像电流端 43得到与光电二极管D同步变化的镜像电流。本方案实现了不同偏置光电二极 管D的良好兼容性。其优势在于,副电流回路可以使用低压电路来实现光电流 监控作用,同时可以被集成在跨阻放大器IC芯片的产品中,构成通用模块。

实施例二:

如图4所示,本发明实施例二的电路示意图。

本实施例的主要结构与实施例一类似。跨阻放大器包括:MOS管M0,其栅极 连接光电二极管D的阳极,D已经处于正常偏置的状态;M0漏极连接电阻R1和 电阻R0的一端;其源极接地;电阻R1的另一端接M0栅极;电阻R0另一端接 Vdd;虚拟跨阻放大器30包括:MOS管M1,其漏极连接电阻R2和电阻R3的一 端;其源极接地;电阻R2的另一端接M0栅极;电阻R3另一端接Vdd;受控电 流镜40包括:MOS管M2和M3,两者栅极相连成为控制端42;M2的漏极为虚拟 输出端41,M3的漏极为镜像电流端43;M2和M3的源极接Vdd;差放模块50包 括一误差放大器,其引脚与该差放模块的正输入端、负输入端和差放输出端一 一对应。

可见,本方案采用十分简洁的结构实现了主、副电流回路,其跨阻放大器20 和虚拟跨阻放大器30也容易实现结构、工艺的对称,故一致性较好,易于在实 现在跨阻放大器集成芯片中。

实施例三:

如图4所示,本发明实施例三的示意图。本实施例基本结构与实施例一类似。 跨阻放大器20包括MOS管M0和M4,二者漏极源极同向相串联,M0栅极连接光 电二极管D的阳极;M4漏极连接电阻R1和电阻R0的一端;M0源极接地;电阻 R1的另一端接M0栅极;电阻R0另一端接Vdd;虚拟跨阻放大器30包括:MOS 管M1和M5,M5漏极连接电阻R2和电阻R3的一端;M1源极接地;电阻R2的另 一端接M0栅极;电阻R3另一端接Vdd;其中MOS管M4和M5栅极相连成为一偏 置设置端,可便利实现偏置可调的功能。

受控电流镜40包括:MOS管M2、M3和M6,其中M2和M3栅极相连再连接于 M2漏极和M6源极;M6的栅极成为控制端42;M6的漏极为虚拟输出端41,M3 的漏极为镜像电流端43;M2和M3的源极接Vdd;差放模块50与实施例二相同, 包括一误差放大器,其引脚与该差放模块的正输入端、负输入端和差放输出端 一一对应。

以上所述,仅为本发明较佳实施例而已,故不能依此限定本发明实施的范 围,即依本发明专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰,皆应仍属本发 明涵盖的范围内。

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