法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-12-09
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01G25/02 申请公布日:20140618 申请日:20140319
发明专利申请公布后的视为撤回
2014-07-16
实质审查的生效 IPC(主分类):C01G25/02 申请日:20140319
实质审查的生效
2014-06-18
公开
公开
机译: 用于表皮生长的复合半导体基体的制造方法,在复合半导体基体上的表皮生长的方法以及复合半导体基体
机译: 生产部件包括:通过常规方法形成基体;将体积体直接层叠在基体上;在体积体上形成另外的体积体;以及在基体和体积体之间插入诸如管的插入物。
机译: 通过降低压力蒸气的生长,Al基体上Al2O3单晶膜在Si基体上的异外延性生长