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一种改变激发发射器的辐射特性的方法

摘要

一种改变发射器(2)的辐射特性的方法及其中的层结构(1),其中,所述发射器(2)设置在包括金属材料的层结构的附近,以至于发射器(2)耦合到层结构(1)的表面态,特别是表面等离子激元,其改变发射器(2)的辐射特征,其中,所述的层结构(1)包括金属层(3),夹在非金属衬顶层(4)和非金属衬底层(5)之间,其中,至少所述金属层(3)和所述衬顶层(4)被具有等于或小于1纳米的均方根粗糙度的光滑界面(8)分隔开,和其中,所述金属层(3)的厚度是所述发射器(2)的发射波长(λ')的1/100和1/20。

著录项

  • 公开/公告号CN103649727A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-03-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 勃林格殷格翰国际有限公司;

    申请/专利号CN201280029174.X

  • 发明设计人 K.埃尔萨亚德;K.海因策;A.乌里克;

    申请日2012-04-13

  • 分类号G01N21/64;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人张平元

  • 地址 德国殷格翰

  • 入库时间 2024-02-19 23:28:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-23

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N21/64 申请公布日:20140319 申请日:20120413

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-05-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/64 申请日:20120413

    实质审查的生效

  • 2014-03-19

    公开

    公开

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