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用脉冲激光法制备单带差超晶格薄膜太阳电池的新技术

摘要

本发明属于新型薄膜太阳电池的结构设计和制备之技术领域。脉冲激光沉积(PLD)技术是一种先进的制备多层薄膜技术。本发明使用248nmKrF气体脉冲激光轰击化合物靶材,可以沉积出无组分偏析的化合物晶态薄膜,是制备半导体超晶格多层薄膜的理想技术方法。随着第三代太阳电池概念的提出和薄膜太阳电池研究的发展,基于多带隙半导体太阳电池模型,半导体超晶格薄膜在太阳电池领域的应用备受关注。本发明为了提高薄膜太阳电池的效率,开发新的太阳电池吸收层材料,简化技术环节,设计出了适宜的单带差超晶格薄膜太阳电池结构,并提出了制备这类太阳电池的专用PLD技术方法和思路。

著录项

  • 公开/公告号CN103715309A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-04-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川大学;

    申请/专利号CN201410009456.4

  • 申请日2014-01-09

  • 分类号H01L31/18;H01L31/0392;C30B23/02;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610064 四川省成都市武侯区一环路南一段24号

  • 入库时间 2024-02-19 23:02:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-17

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20140409 申请日:20140109

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-05-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20140109

    实质审查的生效

  • 2014-04-09

    公开

    公开

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