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公开/公告号CN103597617A
专利类型发明专利
公开/公告日2014-02-19
原文格式PDF
申请/专利权人 加利福尼亚大学董事会;
申请/专利号CN201280028479.9
发明设计人 S·纳卡姆拉;S·P·登巴尔斯;D·F·费泽尔;C-C·潘;Y·赵;S·田中;
申请日2012-06-11
分类号H01L33/00;H01L33/02;H01L33/04;
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人赵蓉民
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 22:49:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-01-21
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L33/00 申请公布日:20140219 申请日:20120611
发明专利申请公布后的视为撤回
2014-02-19
公开
机译: 低效率下垂的半极性蓝色发光二极管和高发射强度
机译: 高发射功率和低效率的半球形蓝色发光二极管
机译:高功率,低效率下降半极性(2021)单量子阱蓝色发光二极管
机译:高功率蓝紫色半极性(2021)InGaN / GaN发光二极管,具有200A / cm2的低效率下垂
机译:通过背面粗糙化技术获得的30mW级高功率和高效率蓝色半极性(1011)InGaN / GaN发光二极管
机译:半极性(2021)蓝色和绿色InGaN发光二极管
机译:在半极性(202′1′)GaN衬底上的高功率蓝色激光二极管。
机译:冷热混合白色有机发光二极管带有蓝色延迟荧光发射器同时作为蓝色发射器和三重态宿主
机译:采用西非膦腈基荧光发射器的高功率效率蓝色到绿色有机发光二极管
机译:设计和开发硅超高频功率晶体管,能够在430 mc时提供20瓦输出功率,最低效率为50%,功率增益为6B最终报告,1964年6月29日 - 1965年12月1日