一种基于SBR与PO技术的强散射中心计算方法

摘要

本发明属于信号特征控制技术领域，具体涉及一种基于SBR与PO技术的强散射中心计算方法。该计算方法通过射线追踪和物理光学进行热点计算，获得能给出目标表面每个面元的RCS贡献的分布图，通过比较热点图定位强散射部位。该方法与低频法相比，采用SBR和PO方法计算目标热点具有较高的效率；热点贡献附在目标三维模型表面上，可直观的分析强散射贡献部位。并且该方法可追踪分离的二次、三次强耦合结构。目标上分离的部位的耦合产生的强多次散射，常常不容易发现，通过热点图可将这些隐含的强散射结构找出来。