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降低高密度等离子体磷硅玻璃颗粒的方法

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摘要

一种降低高密度等离子体磷硅玻璃颗粒的方法，包括：执行步骤S1：提供具有半导体器件之硅基衬底，并进行富硅氧化物薄膜淀积；执行步骤S2：进行未掺杂硅玻璃薄膜淀积；执行步骤S3：进行磷硅玻璃薄膜淀积，在所述磷硅玻璃薄膜淀积时，所述磷烷（PH

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-12-21

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/203 申请公布日:20140205 申请日:20131113

发明专利申请公布后的视为撤回
2014-03-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/203 申请日:20131113

实质审查的生效
2014-02-05

公开

公开

1. 降低高密度等离子体磷硅玻璃颗粒的方法 [P] . 中国专利： CN103560080A . 2014-02-05
2. 改善高密度等离子体化学气相淀积的磷硅玻璃形貌的方法 [P] . 中国专利： CN102082091B . 2012.07.11
3. Method of high density plasma phosphosilicate glass process on pre-metal dielectric application for plasma damage reducing and throughput improvement [P] . 美国专利： US6461966B1 . 2002-10-08

机译：在金属前电介质上进行高密度等离子体磷硅玻璃工艺的方法，以减少等离子体损伤并提高产量
4. Method for reducing the intrinsic stress of high density plasma films [P] . 美国专利： US7294205B1 . 2007-11-13

机译：降低高密度等离子体膜固有应力的方法
5. A method for reducing the intrinsic stress of high-density plasma films [P] . 日本专利： JP3927642B2 . 2007-06-13

机译：降低高密度等离子体膜固有应力的方法