法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-02
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G02B27/09 申请公布日:20131225 申请日:20120607
发明专利申请公布后的视为撤回
2014-06-04
著录事项变更 IPC(主分类):G02B27/09 变更前: 变更后: 申请日:20120607
著录事项变更
2014-01-22
实质审查的生效 IPC(主分类):G02B27/09 申请日:20120607
实质审查的生效
2013-12-25
公开
公开
机译: 通过二极管激光器的光学切割和光束整形产生高功率,高亮度光束
机译: 高功率半导体激光器阵列装置,可以从上方匹配来自半导体激光器单元的激光束的波长和相位,以下是由半导体激光器单元制造的激光束的制造方法,以及使用这种方法的半导体激光器的应用半导体激光阵列装置
机译: 二极管激光器阵列元件的光束组合,可实现高亮度和高功率