用于增强III-V半导体膜中的p-型掺杂的方法

摘要

本发明提供了掺杂半导体膜的方法。所述方法包括在促进掺杂有p-型掺杂剂的III-V半导体膜的形成的条件下，在掺杂剂、能够用作电子库的表面活性剂和氢存在的情况下，生长III-V半导体膜外延。在所述方法的一些实施方式中，掺杂的III-V半导体膜的外延生长在第一氢分压下开始，所述第一氢分压在外延生长过程的过程中被升高至第二氢分压。