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测量晶片上杂质的装置和测量晶片上杂质的方法

摘要

提供了一种用于测量晶片上杂质的装置和一种测量晶片上杂质的方法。该装置包括:晶片对准器件,其用于对准晶片;装载机器人,其用于移动并装载已对准的晶片;旋转台,其用于旋转已装载的晶片;扫描机器人,其用于保持用于晶片的自然氧化层蚀刻溶液和金属杂质回收溶液;以及容器,其用于接收预先设定的蚀刻溶液和回收溶液,其中,所述扫描机器人将晶片的边缘区域上的氧化层去除。

著录项

  • 公开/公告号CN103443911A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-12-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LG矽得荣株式会社;

    申请/专利号CN201280013923.X

  • 发明设计人 李成旭;

    申请日2012-03-21

  • 分类号H01L21/66(20060101);

  • 代理机构11270 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人胡春光;张颖玲

  • 地址 韩国庆尚北道

  • 入库时间 2024-02-19 21:44:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-06

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/66 申请公布日:20131211 申请日:20120321

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-04-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20120321

    实质审查的生效

  • 2013-12-11

    公开

    公开

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