法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-23
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B23K1/19 申请公布日:20140312 申请日:20131114
发明专利申请公布后的视为撤回
2014-04-09
实质审查的生效 IPC(主分类):B23K1/19 申请日:20131114
实质审查的生效
2014-03-12
公开
公开
机译: 一种低缺陷率的薄栅氧化物的生长方法。
机译: 具有高去除率和低缺陷率的对氧化物和氮化物有选择性的CMP组合物
机译: 具有高去除率和低缺陷率的对多晶硅和氮化物具有选择性的CMP组合物