利用间隔物掩模的频率加倍

摘要

本发明利用间隔物掩模的频率加倍。本发明描述了一种用于制造半导体掩模的方法。首先提供具有牺牲掩模和间隔物掩模的半导体叠层。所述牺牲掩模由一系列线构成，并且所述间隔物掩模包括与所述一系列线的侧壁邻接的间隔物线。接着，修剪所述间隔物掩模。最后，去除所述牺牲掩模，以提供经修剪的间隔物掩模。经修剪的间隔物掩模使得牺牲掩模的一系列线的频率加倍。