一种控制在炉管内生成的氧化层厚度的方法

摘要

本发明提供一种控制在炉管内生成的晶片氧化层厚度的方法，在炉管内的产品晶片两侧设置有冗余片以将所述炉管装满，所述方法包括：使第一冗余片的与产品晶片正面相对的表面具有与产品晶片背面最外层相同的材料；其中所述产品晶片正面为所述产品晶片的要形成氧化层的表面，并且所述第一冗余片是炉管内最接近所述产品晶片的冗余片。本发明还提供了一种用于制作非易失性存储器件的方法，可以在该方法流程中使用上述控制晶片氧化层厚度的方法。