一种超薄高压瞬态电压抑制二极管及其应用

摘要

本发明公开一种超薄高压瞬态电压抑制二极管及其应用，属于半导体器件领域，包括塑封体、上框架、下框架，以及焊接在上框架和下框架上的瞬态电压抑制二极管芯片，上述塑封体内水平排列封装有若干组上框架和下框架，焊接在上框架和下框架上的瞬态电压抑制二极管芯片均处于同一水平面上。上述超薄高压瞬态电压抑制二极管将瞬态电压抑制二极管芯片采用水平排列的方式进行封装，可以大幅度降低高压瞬态电压抑制二极管的高度，而且多颗瞬态电压抑制二极管芯片互不相连，独立封装，工艺简单，不会因一颗芯片失效而造成整个二极管报废。