公开/公告号CN103314442A
专利类型发明专利
公开/公告日2013-09-18
原文格式PDF
申请/专利权人 桑迪士克3D有限责任公司;
申请/专利号CN201180060113.5
申请日2011-10-06
分类号H01L27/24;H01L45/00;G11C13/00;
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人黄小临
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 21:27:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-05-11
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L27/24 申请公布日:20130918 申请日:20111006
发明专利申请公布后的视为撤回
2013-10-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/24 申请日:20111006
实质审查的生效
2013-09-18
公开
公开
机译: 具有采用双极存储元件的存储单元的多级存储阵列及其形成方法
机译: 具有采用双极存储元件的存储单元的多级存储阵列及其形成方法
机译: 具有铁电存储元件和磁阻存储元件的存储器件和多级存储单元