机译:具有1T1R架构的Ti / ZrO_2 / Pt非易失性存储器的低功耗纳秒级操作和多级双极电阻切换研究
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan;
Winbond Electronics Corporation, Hsinchu 300, Taiwan;
Winbond Electronics Corporation, Hsinchu 300, Taiwan;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan;
机译:非易失性存储器件的Ti / MnO_2 / Pt结构中的双极阻性开关行为
机译:TaN / CeO_2 / Ti:/ Pt存储设备中从单极性到双极性的过渡,多级切换,突然和逐步复位现象
机译:从单极转换到双极,多级切换,突然和逐渐复位现象:/ PT存储器设备
机译:用于非易失性存储器应用的Cu / Ti:ZrO_2 / Pt的双稳态电阻切换
机译:6H碳化硅中双极非易失性随机存取存储单元的分析和优化
机译:Au / SrTiO3 / Ti存储单元极性相反的双极电阻开关特性
机译:基于Bi缺陷的pt / BFO / sRO异质结构的多级记录 针对高密度信息的铁电电阻切换 存储在非易失性存储器中