监控集成电路制造中离子注入工艺的方法

摘要

本发明涉及一种监控集成电路制造中离子注入工艺的方法，所述方法包括以下步骤：提供一需要进行离子注入工艺的半导体衬底和该离子注入工艺所允许形成的非晶层的厚度值范围；对上述的半导体衬底进行所述离子注入工艺后，于所述半导体衬底上形成器件区域和测试区域；获取所述测试区域中形成的离子注入区域的第二厚度值，并将该第二厚度值与所述厚度值范围进行比较，以判断是否继续该半导体衬底的后续工艺。由于本发明方法中的测试区域是与器件结构在同一离子注入工艺中同时形成的，因此其能够客观反应采用离子注入工艺所形成的器件结构的真实情况。